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1. 发明授权

KR100513713B1 전이금속박막형상 제어에 의한 탄소나노튜브의 수직 성장방법 失效
标题翻译：通过改变过渡金属薄膜的形态，垂直排列碳纳米管的生长方法
公开(公告)号：KR100513713B1
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：KR1020000025333
申请日：2000-05-12
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 이영희 , 이병수 , 최영철 , 김종민 , 최원봉 , 이내성
IPC分类号： H01L21/20 , B82Y40/00
摘要： 본 발명은 전이금속박막의 표면형상을 제어함에 의해 수직으로 성장되는 탄소나노튜브의 직경, 밀도, 길이를 마음대로 조절할 수 있는 전이금속박막의 표면형상을 제어에 의한 탄소나노튜브 성장 방법을 기재한다. 본 발명에 따른 전이금속박막형상 제어에 의한 탄소나노튜브의 수직 성장 방법은, (가) 형성되는 결정의 형상과 크기를 원하는 모양과 크기로 조절하면서 상기 기판 상에 전이금속박막을 증착하는 단계; 및 (나) 상기 증착된 전이금속박막 상에 탄소나노튜브를 성장시키는 단계;를 포함한다. 먼저, (가) 단계의 기판 준비 방법은 일반적으로 sputter를 이용하는 경우 sputtering power 밀도를 조절하거나 증착온도 또는 열처리 온도를 변화시켜 Ni, Co, Fe 혹은 그들 혼합물의 grain 크기 및 밀도를 조절한다. 다음에, (나) 단계의 탄소나노튜브의 합성 증착은 실리콘기판이나 유리기판 위에 증착된 전이금속박막을 반응로 안으로 옮겨 플라즈마화학기상증착법이나 열화학증착법으로 메탄가스, 아세틸렌가스, 에틸렌가스, 프로판가스등의 탄화수소가스를 반응로 내에 흘려줌으로써, 상기 촉매금속막 위에 탄소나노튜브를 성장시킨다.

2. 发明公开

KR1020000009237A 필드 에미터의 제조 방법 无效
标题翻译：现场发射机的制造方法
公开(公告)号：KR1020000009237A
公开(公告)日：2000-02-15
申请号：KR1019980029511
申请日：1998-07-22
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 이내성 , 한인택 , 최원봉 , 최준희
IPC分类号： H01J9/02
摘要： PURPOSE: A manufacturing method of a field emitter is provided to lower operating voltage required to electron emission and present afield emitter having an amorphous carbon micro-tip. CONSTITUTION: The present invention discloses a manufacturing method of a field emitter comprising: a step forming stripe shape cathode electrodes on substrate; a step forming an insulation layer on the cathode electrodes and the exposed substrate; a step forming a gate layer on the insulation layer; a step forming plural holes by etching from the top of the gate layer to the top of the cathode electrodes; a step forming a divide layer on the gate layer; a step forming micro-tips having prescribed height within the holes by using amorphous carbon particles; and a step removing the divide layer.
摘要翻译：目的：提供一种场发射器的制造方法，以降低电子发射所需的工作电压，并提供具有无定形碳微型尖端的远场发射体。构成：本发明公开了一种场致发射体的制造方法，包括：在基板上形成条状阴极电极的台阶; 在阴极电极和暴露的基板上形成绝缘层的步骤; 在所述绝缘层上形成栅极层的步骤; 通过蚀刻从栅极层的顶部到阴极的顶部形成多个孔的台阶; 在所述栅极层上形成分割层的步骤; 通过使用无定形碳颗粒在孔内形成具有规定高度的微尖端的步骤; 以及去除划分层的步骤。

3. 发明授权

KR100314094B1 전기 영동법을 이용한 카본나노튜브 필드 에미터의 제조 방법 失效
标题翻译：使用电泳法制造碳纳米管场发射体的方法
公开(公告)号：KR100314094B1
公开(公告)日：2001-11-15
申请号：KR1019990033119
申请日：1999-08-12
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 최원봉 , 김훈영 , 정득석 , 강정호
IPC分类号： H01J1/30 , C01B31/02 , B82Y40/00
CPC分类号： B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , Y10S977/842 , Y10S977/844 , Y10S977/847
摘要： 본발명은전계방출표시소자(Field Emission Display) 등에사용되는필드에미터에서전자방출을위한팁으로초미세카본나노튜브를전기영동법으로부착시킨전기영동법을이용한카본나노튜브필드에미터의제조방법을기재한다. 본발명에따른전기영동법을이용한카본나노튜브필드에미터의제조방법은팁으로초미세카본나노튜브분말에계면활성제를넣어잘 분산시킨용액을만들고, 이카본나노튜브분말용액에필드에미터형성을위한기판을넣어전기영동법으로 +로대전된카본나노튜브를 -전압이인가된음극에증착시켜필드에미터를제작한다.이러한방법은전극에카본나노튜브의선택적증착이가능하며, 전공정을통하여상온증착법및 저온열처리를이용한초저가기술을이용하여필드에미터의일함수를낮추어구동전압을하강시키고, 동작시발생하는이온화가스등에의한내구성을향상시켜필드에미터의동작수명을증가시킨다.

4. 发明公开

KR1020010077687A 2차 전자 증폭 구조체를 채용한 전계 방출 소자 无效
标题翻译：使用二次电子放大结构的场发射显示
公开(公告)号：KR1020010077687A
公开(公告)日：2001-08-20
申请号：KR1020000005649
申请日：2000-02-07
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 이원태 , 최원봉 , 한인택
IPC分类号： H01J1/30 , C01B31/02
摘要： PURPOSE: A field emission display using a secondary electron amplification structure is provided to be capable of enhancing brightness or lowering drive voltage by stacking a fluoride film or an oxide film on a carbon nanotube to increase a secondary electron emission coefficient. CONSTITUTION: A front glass substrate(200) and a rear glass substrate(110) are arranged oppositly each other with a constant gap sustained by spacers(150). Anodes(160) and cathodes(120) are respectively formed on opposing surfaces of the front substrate(200) and rear substrate(110). An insulating layer(130) is formed on the rear substrate(110) including the cathodes. Electron emission micro tips(120) are formed on the cathodes(120) exposed through holes(130a) formed on the insulating layer(130). Gates(140) are formed on the insulating layer(130) to have apertures(140a) corresponding to the holes(130a). A fluorescent layer is formed on the anodes(160). A carbon nanotube(191) is formed on walls of the gate apertures(140a). MgO layer(192) is formed on the carbon nanotube.
摘要翻译：目的：使用二次电子放大结构的场致发射显示器能够通过在碳纳米管上层叠氟化物膜或氧化膜来提高亮度或降低驱动电压，从而增加二次电子发射系数。构成：前面玻璃基板（200）和后玻璃基板（110）以间隔物（150）保持的恒定的间隙相对配置。阳极（160）和阴极（120）分别形成在前基板（200）和后基板（110）的相对表面上。在包括阴极的后衬底（110）上形成绝缘层（130）。电子发射微尖端（120）形成在通过形成在绝缘层（130）上的孔（130a）暴露的阴极（120）上。在所述绝缘层（130）上形成有对应于所述孔（130a）的孔（140a）的门（140）。在阳极（160）上形成荧光层。在门孔（140a）的壁上形成碳纳米管（191）。在碳纳米管上形成MgO层（192）。

5. 发明公开

KR1020000039520A 필드 에미터 및 그 제조방법 无效
标题翻译：现场发射器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020000039520A
公开(公告)日：2000-07-05
申请号：KR1019980054873
申请日：1998-12-14
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 한인택 , 이내성 , 최원봉
IPC分类号： H01J9/02 , H01J1/304
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a field emitter is provided to increase the amount of the discharged electrons by increasing the amount of the current with respect to the tip. CONSTITUTION: A cathode layer, an insulating layer, and a gate layer are sequentially deposited on a glass substrate. A gate having an opening of a predetermined diameter is formed by etching the gate layer. A hole which correspond to the opening is formed in the insulating layer by etching. A dividing layer is formed by the electric beam depositing method. A single tip is formed by sequentially depositing a first depositing layer, a second depositing layer, and a third depositing layer. Portions of the first, second, and third depositing layers are removed by etching the divided layer.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造场发射器的方法，通过增加电流相对于尖端的量来增加放电电子的量。构成：阴极层，绝缘层和栅极层依次沉积在玻璃基板上。通过蚀刻栅极层形成具有预定直径的开口的栅极。通过蚀刻在绝缘层中形成与开口对应的孔。通过电子束沉积法形成分隔层。通过依次沉积第一沉积层，第二沉积层和第三沉积层形成单个尖端。通过蚀刻分割层来去除第一，第二和第三沉积层的一部分。

6. 发明公开

KR1020000021034A 전기 영동법에 의한 필드 에미터의 제조방법 无效
标题翻译：电解法制备场发射体的方法
公开(公告)号：KR1020000021034A
公开(公告)日：2000-04-15
申请号：KR1019980039946
申请日：1998-09-25
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 최원봉 , 이내성 , 한인택
IPC分类号： H01J9/02
摘要： PURPOSE: A method for fabricating field emitter is provided to increase the life of an emitter by improving the endurance by an ionization gad, reducing a work function and a driving voltage of the emitter. CONSTITUTION: A method includes the steps of: installing a substrate where a field emitter(20) is formed to be separated from an electrode plate in a vessel filled with a diamond powder solution; precipitating a diamond powder(25a) in a room temperature atmosphere on a surface of the field emitter by applying a bias voltage on the electrode plate from a power source; and performing a low temperature thermal treatment to the field emitter deposited with the diamond powder after taking out the field emitter from the vessel. The work function of the field emitter is lowered by growing the field emitter, and the life of the field is increased by increasing endurance.
摘要翻译：目的：提供一种制造场致发射体的方法，通过提高电离钆的耐久性，降低功函数和发射极的驱动电压来增加发射极的寿命。构成：一种方法包括以下步骤：在填充有金刚石粉末溶液的容器中安装形成场致发射体（20）以与电极板分离的基板; 通过从电源施加偏置电压，在场致发射体的表面上在室温气氛中沉淀金刚石粉末（25a）; 并且在从容器中取出场致发射体之后，对沉积有金刚石粉末的场致发射体进行低温热处理。通过增加场发射器来降低场发射器的功函数，并且通过增加耐久性来增加场的寿命。

7. 发明公开

KR1020010103984A 전이금속박막형상 제어에 의한 탄소나노튜브의 수직 성장방법 失效
标题翻译：通过改变过渡金属薄膜的形态来快速生长碳纳米管的方法
公开(公告)号：KR1020010103984A
公开(公告)日：2001-11-24
申请号：KR1020000025333
申请日：2000-05-12
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 이영희 , 이병수 , 최영철 , 김종민 , 최원봉 , 이내성
IPC分类号： H01L21/20 , B82Y40/00
摘要： 본 발명은 전이금속박막의 표면형상을 제어함에 의해 수직으로 성장되는 탄소나노튜브의 직경, 밀도, 길이를 마음대로 조절할 수 있는 전이금속박막의 표면형상을 제어에 의한 탄소나노튜브 성장 방법을 기재한다. 본 발명에 따른 전이금속박막형상 제어에 의한 탄소나노튜브의 수직 성장 방법은, (가) 형성되는 결정의 형상과 크기를 원하는 모양과 크기로 조절하면서 상기 기판 상에 전이금속박막을 증착하는 단계; 및 (나) 상기 증착된 전이금속박막 상에 탄소나노튜브를 성장시키는 단계;를 포함한다. 먼저, (가) 단계의 기판 준비 방법은 일반적으로 sputter를 이용하는 경우 sputtering power 밀도를 조절하거나 증착온도 또는 열처리 온도를 변화시켜 Ni, Co, Fe 혹은 그들 혼합물의 grain 크기 및 밀도를 조절한다. 다음에, (나) 단계의 탄소나노튜브의 합성 증착은 실리콘기판이나 유리기판 위에 증착된 전이금속박막을 반응로 안으로 옮겨 플라즈마화학기상증착법이나 열화학증착법으로 메탄가스, 아세틸렌가스, 에틸렌가스, 프로판가스등의 탄화수소가스를 반응로 내에 흘려줌으로써, 상기 촉매금속막 위에 탄소나노튜브를 성장시킨다.

8. 发明公开

KR1020010017543A 전기 영동법을 이용한 카본나노튜브 필드 에미터의 제조 방법 失效
标题翻译：使用电泳制备碳纳米管场发射体的方法
公开(公告)号：KR1020010017543A
公开(公告)日：2001-03-05
申请号：KR1019990033119
申请日：1999-08-12
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 최원봉 , 김훈영 , 정득석 , 강정호
IPC分类号： H01J1/30 , C01B31/02 , B82Y40/00
CPC分类号： B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , Y10S977/842 , Y10S977/844 , Y10S977/847 , H01J1/30 , B82Y40/00 , C01B32/05
摘要： PURPOSE: A method of fabricating a carbon-nanotube field emitter using electrophoresis is provided which attaches carbon-nanotube as a tip for emitting electrons to reduce work function and driving voltage of the emitter and improve endurance to ionized gases generated during operation of the emitter. CONSTITUTION: A stripe-shaped cathode(12) is formed on a substrate(11), and an insulating layer(13) having a hole(13a) is formed on the cathode. A metal gate(14) having an opening(14a) corresponding to the hole is formed on the insulating layer, and a carbon-nanotube tip formed on the exposed surface of the cathode. The substrate on which the cathode is formed is placed in a container filled with carbon-nanotube powder solution, having a predetermined distance from an electrode plate. A predetermined bias voltage is applied to the electrode plate to attach the carbon-nanotube powder(25) to the exposed surface of the cathode through the hole of the insulating layer at the normal temperature. Then, the substrate to which the carbon-nanotube powder is attached is taken out of the container to be heat-processed at a predetermined temperature.
摘要翻译：目的：提供一种使用电泳制造碳纳米管场发射体的方法，其将碳纳米管作为用于发射电子的尖端，以降低发射极的功函数和驱动电压，并提高发射极运行期间产生的电离气体的耐久性。构成：在基板（11）上形成条状阴极（12），在阴极上形成具有孔（13a）的绝缘层（13）。在绝缘层上形成具有与孔对应的开口（14a）的金属栅极（14），形成在阴极的露出面上的碳纳米管尖端。将其上形成阴极的基板放置在填充有与电极板预定距离的碳纳米管粉末溶液的容器中。将预定的偏置电压施加到电极板，以在正常温度下通过绝缘层的孔将碳纳米管粉末（25）附着到阴极的暴露表面。然后，将附着有碳纳米管粉末的基板从规定温度下进行热处理的容器取出。

9. 发明授权

KR100490527B1 카본나노튜브를 채용한 2차 전자 증폭 구조체 및 이를 이용한 플라즈마 표시 패널 및 백라이트 失效
标题翻译：使用碳纳米管和等离子体显示面板的二次电子放大结构和使用其的背光
公开(公告)号：KR100490527B1
公开(公告)日：2005-05-17
申请号：KR1020000005648
申请日：2000-02-07
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 이원태 , 최원봉 , 한인택 , 이정희 , 유세기
IPC分类号： H01J11/20 , H01J11/40
CPC分类号： B82Y10/00 , H01J1/32 , H01J11/12 , H01J11/40 , H01J43/06 , H01J65/04 , Y10S977/939 , Y10S977/952
摘要： 본 발명은 카본나노튜브를 채용한 2차 전자 증폭 구조체 및 이를 이용한 플라즈마 표시 패널과 백 라이트(Secondary electron amplification structure applying carbon nanotube and Plasma display panel and Back light using the same)을 기재한다. 본 발명에 따른 2차 전자 증폭 구조체는 카본나노튜브 위에 MgO 박막이나 MgF
2 , CaF
2 , LiF 와 같은 불화물(floride) 혹은 Al
2 O
3 , ZnO, CaO, SrO, SiO
2 및 La
2 O
3 등과 같은 산화(oxide)물 박막을 적층한 구조로 제작되어 전자나 이온에 의한 2차 전자 방출 계수를 증대시키는 작용을 한다.

10. 发明公开

KR1020040011181A 연료전지용 탄소나노튜브, 그 제조방법 및 이를 채용한연료전지 有权
标题翻译：用于燃料电池的碳纳米管，其制备方法和使用其的燃料电池
公开(公告)号：KR1020040011181A
公开(公告)日：2004-02-05
申请号：KR1020020044631
申请日：2002-07-29
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 최원봉 , 주제욱 , 박찬호 , 장혁
IPC分类号： B82B1/00 , B82B3/00 , B82Y10/00
CPC分类号： H01M4/8605 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , H01M4/9083 , H01M4/926 , H01M2008/1095 , Y10S977/70 , Y10S977/701 , Y10S977/72 , Y10S977/743 , Y10S977/843 , Y10S977/847
摘要： PURPOSE: Provided is a carbon nano-tube having a large specific surface area for use in an electrode of a fuel cell, which is directly used in the fuel cell without any further treatments and increases the electrode reaction efficiency and the fuel cell performance. CONSTITUTION: The carbon nano-tube for a fuel cell comprises nano-sized metal catalyst particles dispersed in the inner and outer surfaces of the carbon nano-tube, wherein the dispersity of the catalyst particles is 0.3-5 mg/cm¬2 and the carbon nano-tube is grown directly on a carbon substrate by Chemical Vapor Deposition or Plasma Chemical Vapor Deposition. Particularly, the metal catalyst particles are selected from the group consisting of Pt, Ru, Fe, Co and a mixture thereof, and the carbon substrate is a carbon cloth or a carbon paper. The carbon nano-tube preferably has a branched shape.
摘要翻译：目的：提供一种用于燃料电池电极的比表面积大的碳纳米管，其直接用于燃料电池中，无需进一步处理，并提高电极反应效率和燃料电池性能。构成：用于燃料电池的碳纳米管包括分散在碳纳米管的内表面和外表面的纳米级金属催化剂颗粒，其中催化剂颗粒的分散性为0.3-5mg / cm 2，碳纳米管通过化学气相沉积或等离子体化学气相沉积直接生长在碳底物上。特别地，金属催化剂颗粒选自Pt，Ru，Fe，Co及其混合物，碳基材是碳布或碳纸。碳纳米管优选具有分支形状。

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