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1. 发明公开

KR1020160122328A 고순도 글리콜계 화합물의 제조방법 审中-实审
标题翻译：制备高纯度甘油基化合物的方法
公开(公告)号：KR1020160122328A
公开(公告)日：2016-10-24
申请号：KR1020150051908
申请日：2015-04-13
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 이엔에프테크놀로지
发明人： 정재우 , 박홍식 , 김봉균 , 윤승호 , 이상대 , 박영진 , 박효원 , 윤상문
IPC分类号： C07C29/80 , C07C29/06 , C07C31/20
CPC分类号： C07C41/42 , B01D3/009 , C07C41/46 , C07C43/11
摘要： 포름알데히드(formaldehyde)를포함하는제1 글리콜(glycol)계화합물, 히드라지드(hydrazide)계화합물및 설폰산(sulfonic acid)계화합물의혼합물을교반하는단계및 교반결과물을분별증류하여포름알데히드(formaldehyde)의함량이 0 ppm 인제2 글리콜계화합물을회수하는단계를포함하는글리콜계화합물제조방법이제공된다.
摘要翻译：提供一种二醇类化合物的制造方法。该方法包括搅拌第一二醇基化合物，酰肼基化合物和磺酸基化合物的混合物，并对所得搅拌物质进行分馏，以回收甲醛含量为0ppm的第二种二醇类化合物。

2. 发明公开

KR1020170031315A 기판 분리 장치 및 이를 이용한 기판 분리 방법 审中-实审
标题翻译：基板分离装置及使用其的基板分离方法
公开(公告)号：KR1020170031315A
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：KR1020150128564
申请日：2015-09-10
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 최원우 , 윤승호 , 황채룡 , 이상봉
IPC分类号： H01L51/56 , H01L21/78 , H01L21/67 , H01L21/683
CPC分类号： H01L51/56 , B32B38/10 , B32B43/006 , H01L21/67092 , H01L21/6838 , H01L51/003 , H01L2251/5338 , Y10T156/1132 , Y10T156/1168 , Y10T156/1944 , Y10T156/1978
摘要： 본발명의일 실시예는스테이지및 스테이지와마주보며, 복수의진공패드부를포함하는흡착기를구비하고, 스테이지의상면은, 제1영역과, 제1영역의양측에위치하는제2영역들을포함하고제2영역각각은제1영역에대하여경사를이루도록제1영역이놓이는평면과다른평면상에놓이는기판분리장치를개시한다.
摘要翻译：本发明的一个实施例包括吸附器，其面对台和台并且包括多个真空垫部分，台的上表面包括第一区域和位于第一区域的两侧的第二区域每个第二区域位于与第一区域所处的平面不同的平面上，以相对于第一区域倾斜。

3. 发明公开

KR1020170019027A 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：柔性显示装置的制造方法
公开(公告)号：KR1020170019027A
公开(公告)日：2017-02-21
申请号：KR1020150112673
申请日：2015-08-10
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 윤승호 , 조은정
IPC分类号： G09F9/30 , G09F9/00
CPC分类号： H01L51/0097 , B32B37/025 , B32B38/10 , B32B2310/0843 , B32B2457/20 , H01L51/003 , H01L2227/326 , H01L2251/5338 , Y02E10/549
摘要： 본발명은제1 영역및 제1 영역을둘러싸는제2 영역을포함하는캐리어를준비하는단계, 캐리어의적어도제1 영역상에제1 기판형성층을형성하는단계, 캐리어의제2 영역의적어도일부에서캐리어의상면을제거하는단계, 캐리어의제1 영역과제2 영역에걸쳐제1 기판형성층상에접착층을형성하는단계, 캐리어의제1 영역과제2 영역에걸쳐접착층상에제2 기판형성층을형성하는단계, 및캐리어로부터제1 기판형성층을분리하는단계를포함하는디스플레이장치의제조방법을개시한다.
摘要翻译：公开了制造柔性显示器的方法。在一个方面，该方法包括制备载体，其包括第一区域和包围第一区域的第二区域，在载体的至少第一区域上形成第一基底形成层，从第二区域移除载体的顶表面并在载体的整个第一和第二区域上在第一基底形成层上形成粘合剂层。该方法还包括在载体的整个第一和第二区域的整个粘合剂层上形成第二衬底形成层，并将第一衬底形成层与载体分开。

4. 发明公开

KR1020140019108A 식각액 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법 审中-实审
标题翻译：使用该薄膜晶体管的蚀刻组合物和制造方法
公开(公告)号：KR1020140019108A
公开(公告)日：2014-02-14
申请号：KR1020120085334
申请日：2012-08-03
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김봉균 , 박홍식 , 이왕우 , 문영민 , 윤승호 , 최영주 , 김상우 , 이기범 , 이대우 , 조삼영
IPC分类号： C09K13/00 , C09K13/04 , H01L21/302
CPC分类号： H01L21/465 , C09K13/00 , C09K13/06 , C23F1/30 , H01L21/32134 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要： An etchant composition is provided. The etchant composition according to one embodiment of the present invention includes ammonium persulfate, azole compounds, water-soluble amine compounds, sulfonic acid-containing compounds, nitrate-containing compounds, phosphate-containing compounds, chloride-containing compounds, and residual water.
摘要翻译：提供蚀刻剂组合物。根据本发明的一个实施方案的蚀刻剂组合物包括过硫酸铵，唑化合物，水溶性胺化合物，含磺酸化合物，含硝酸盐化合物，含磷酸盐化合物，含氯化合物和残留水。

5. 发明授权

KR102230619B1 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102230619B1
公开(公告)日：2021-03-24
申请号：KR1020140094802
申请日：2014-07-25
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김봉균 , 윤승호 , 최신일
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
摘要： 박막트랜지스터기판은기판상에배치되는게이트전극, 상기게이트전극과일부중첩하여상기기판상에배치되고, 산화물반도체물질을포함하는반도체층, 및상기반도체층상에배치되는소스전극, 및상기반도체층상에상기소스전극과이격되어배치되는드레인전극을포함한다. 여기서, 상기소스전극및 상기드레인전극은배리어층, 및상기배리어층에배치되는주배선층을포함하고, 상기배리어층은상기반도체층상에배치되는제1 금속층, 및상기제1 금속층상에배치되는제2 금속층을포함할수 있다.

6. 发明公开

KR1020160017795A 박막 트랜지스터 기판, 이의 제조 방법, 및 박막 트랜지스터 기판을 포함하는 표시 장치 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管基板，其制造方法和具有薄膜晶体管的显示器件
公开(公告)号：KR1020160017795A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：KR1020140100615
申请日：2014-08-05
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 윤승호 , 김봉균 , 김영준 , 박홍식 , 김병범 , 신상원
IPC分类号： H01L27/32 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , G02F1/1368 , H01L21/465 , H01L21/467 , H01L23/53238 , H01L27/124 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 표시장치는박막트랜지스터기판을포함하며, 상기박막트랜지스터기판은게이트전극, 반도체층, 소스전극, 및드레인전극을포함하는박막트랜지스터를포함한다. 상기소스전극및 상기드레인전극각각은배선층, 및보호층을포함하며, 상기보호층은 70중량% 초과내지 85중량% 미만의아연산화물및 15중량% 초과내지 30중량% 미만의인듐산화물을포함한다.
摘要翻译：本发明提供一种薄膜晶体管基板及其制造方法以及包括薄膜晶体管基板的显示装置。显示装置包括薄膜晶体管基板。薄膜晶体管基板包括具有栅电极，半导体层，源电极和漏电极的薄膜晶体管。源电极和漏电极中的每一个包括布线层和保护层。保护层包括大于70重量％至小于85重量％的氧化锌和大于15重量％至小于30重量％的氧化铟。因此，覆盖薄膜晶体管的保护膜的沉积特性得到改善，因此保护膜的缺陷减少。

7. 发明授权

KR102121257B1 표시 장치 및 이의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102121257B1
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：KR1020170142792
申请日：2017-10-30
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 성우용 , 김수연 , 김종기 , 윤승호 , 이희연 , 장문원
IPC分类号： H01L51/52 , H01L27/32 , H01L51/56

8. 发明公开

KR1020170051598A 기판 절단용 스테이지 및 기판 절단 장치 审中-实审
标题翻译：基材切割台和基材切割装置
公开(公告)号：KR1020170051598A
公开(公告)日：2017-05-12
申请号：KR1020150151095
申请日：2015-10-29
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 최원우 , 윤승호 , 이상봉
IPC分类号： H01L51/56 , H01L21/78 , H01L21/76 , H01L23/00
CPC分类号： B23K26/402 , B23K26/0622 , B23K26/082 , B23K26/0876 , B23K26/38 , B23K37/0408 , B23K2201/42 , B23K2203/56 , B25B11/005 , H01L21/67092 , H01L21/6838
摘要： 본발명은기판절단용스테이지및 기판절단장치를개시한다. 본발명은기판이로딩되며제1 개구를가지는복수개의셀 영역과, 상기복수개의셀 영역의외측에배치되고, 상기제1 개구의직경보다직경이큰 제2 개구를가지는가장자리영역과, 상기복수개의셀 영역사이에배치되는더미영역및 상기셀 영역과상기더미영역의사이또는, 상기셀 영역과상기가장자리영역의사이에배치되는절단홈부를포함한다.
摘要翻译：本发明公开了一种基板切割台和基板切割设备。本发明和多个小区区域和所述衬底装载有第一开口，配置在多个单元区域的外侧，所述第一开口直径大于所述边缘区域具有多个大第一开口直径虚设区域和所述单元区域和虚拟区之间设置在两个小区或区域，包括小区区域，而切槽的部件之间被布置在边缘区域之间。

9. 发明公开

KR1020160014833A 금속 배선의 제조 방법 및 박막트랜지스터 기판 제조 방법 审中-实审
标题翻译：金属接线和薄膜晶体管基板的制造方法
公开(公告)号：KR1020160014833A
公开(公告)日：2016-02-12
申请号：KR1020140096523
申请日：2014-07-29
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 윤승호 , 배수빈 , 정유광
IPC分类号： H01L27/32 , H01L21/335 , H01L29/786 , H01L21/027
CPC分类号： H01L27/1288 , H01L27/124 , H01L29/4908
摘要： 본발명은기판상에제1 및제2 도전층을순차적으로형성하는단계와, 상기제1 및제2 도전층상에제1 감광막패턴을형성하는단계와, 상기제1 감광막패턴을마스크로이용하여, 상기제1 및제2 도전층의일부를식각처리하여제1 및제2 도전패턴을형성하는단계와, 상기제1 감광막패턴을에슁(ashing) 처리하여상기제1 감광막패턴보다일정간격내부에위치하는제2 감광막패턴을형성하는단계와, 상기제2 감광막패턴을마스크로하여노출된제1 도전패턴을식각처리하는단계및 상기제2 감광막패턴을제거하는단계를포함한다.
摘要翻译：本发明提供一种金属线的制造方法和薄膜晶体管基板的制造方法，其能够通过除去驻留在铜（Cu）侧表面上的钛（Ti）残渣而提高可靠性。金属线的制造方法包括以下步骤：在基板上依次形成第一导电层和第二导电层; 在所述第一和第二导电层上形成第一感光膜图案; 通过使用第一感光膜图案作为掩模来蚀刻第一和第二导电层的一部分以形成第一和第二导电图案; 灰化第一感光膜图案以形成位于其内侧比第一感光图案更远一定间隔的第二感光膜图案; 通过使用第二感光膜图案作为掩模来蚀刻暴露的第一导电图案; 并去除第二感光膜图案。

10. 发明公开

KR1020160013431A 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管基板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160013431A
公开(公告)日：2016-02-04
申请号：KR1020140094802
申请日：2014-07-25
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김봉균 , 윤승호 , 최신일
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/441 , H01L21/465 , H01L21/47635 , H01L23/53228 , H01L23/53238 , H01L27/124 , H01L27/1259 , H01L29/41733 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L29/78618
摘要： 박막트랜지스터기판은기판상에배치되는게이트전극, 상기게이트전극과일부중첩하여상기기판상에배치되고, 산화물반도체물질을포함하는반도체층, 및상기반도체층상에배치되는소스전극, 및상기반도체층상에상기소스전극과이격되어배치되는드레인전극을포함한다. 여기서, 상기소스전극및 상기드레인전극은배리어층, 및상기배리어층에배치되는주배선층을포함하고, 상기배리어층은상기반도체층상에배치되는제1 금속층, 및상기제1 금속층상에배치되는제2 금속층을포함할수 있다.
摘要翻译：薄膜晶体管基板包括：设置在基板上的栅电极; 半导体层，其设置在与所述栅电极部分重叠并且包括氧化物半导体材料的所述基板上; 以及设置在所述半导体层上的源电极和漏电极，其中所述漏电极与所述源电极间隔开。源电极和漏极各自包括阻挡层和主布线层，主布线层设置在阻挡层上，阻挡层包括设置在半导体层上的第一金属层和设置在半导体层上的第二金属层在第一个金属层上。

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