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1. 发明授权

KR101825493B1 금속 배선용 식각액 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 표시판의 제조방법 有权
标题翻译：用于电极的蚀刻剂和使用该蚀刻剂制造薄膜晶体管阵列面板的方法
公开(公告)号：KR101825493B1
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：KR1020100036364
申请日：2010-04-20
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 솔브레인 주식회사
发明人： 이병진 , 박홍식 , 이태형 , 송용성 , 박충우 , 오종현
IPC分类号： C09K13/10
CPC分类号： C09K13/10 , C23F1/10 , C23F1/44 , H01L21/32134 , H01L27/124 , H01L27/1259 , H01L29/4908
摘要： 본발명은표시장치의금속배선을식각하기위한식각액에관한것으로, 본발명에따른금속배선식각액은과산화수소, 산화제, 불소화합물, 킬레이트제, 질산계화합물, 붕소계화합물, 첨가제및 잔량의물을포함하는것을특징으로한다.
摘要翻译：本发明涉及用于蚀刻金属布线的蚀刻剂，并且根据本发明的金属布线蚀刻剂包括约5重量％至约15重量％的过氧化氢，约0.5重量％至约5重量％的氧化剂，约0.1重量％至约1重量％的氟化物基化合物，约0.5重量％至约5重量％的硝酸盐基化合物和约0.05重量％至约1重量％的硼基化合物。

2. 发明公开

KR1020110116761A 금속 배선용 식각액 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 표시판의 제조방법 审中-实审
标题翻译：电极蚀刻及使用其制造薄膜晶体管阵列板的方法
公开(公告)号：KR1020110116761A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：KR1020100036364
申请日：2010-04-20
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 솔브레인 주식회사
发明人： 이병진 , 박홍식 , 이태형 , 송용성 , 박충우 , 오종현
IPC分类号： C09K13/10
CPC分类号： C09K13/10 , C23F1/10 , C23F1/44 , H01L21/32134 , H01L27/124 , H01L27/1259 , H01L29/4908
摘要： 본 발명은 표시장치의 금속 배선을 식각하기 위한 식각액에 관한 것으로, 본 발명에 따른 금속 배선 식각액은 과산화수소, 산화제, 불소 화합물, 킬레이트제, 질산계 화합물, 붕소계 화합물, 첨가제 및 잔량의 물을 포함하는 것을 특징으로 한다.

3. 发明公开

KR1020110085254A 금속 배선용 식각액조성물 및 상기 식각액을 사용한 박막트랜지스터 표시판의 제조 방법 无效
标题翻译：金属接线用金属及使用其制造薄膜晶体管阵列的方法
公开(公告)号：KR1020110085254A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：KR1020100004930
申请日：2010-01-19
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 솔브레인 주식회사
发明人： 이병진 , 박홍식 , 이태형 , 송용성 , 박충우 , 이창호
IPC分类号： C09K13/08
CPC分类号： H01L21/32134 , C09K13/08 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/44
摘要： PURPOSE: An etchant composition for metal wiring is provided to etch a multi-layered film including copper in one time and to obtain an etch rate suitable for a processing, proper etching amount and proper taper inclination angle. CONSTITUTION: An etchant composition for metal wiring comprises 5-25 weight% of peroxides, 0.5-5 weight% of oxidizing agents, 0.1-1 weight% of fluoride-based compound and 1-10 weight% of glycohols. The peroxides comprise ammonium persulfates, sodium persulfates, potassium persulfates or mixture thereof. The oxidizing agent comprises potassium hydrogen sulfate, sodium nitrate, ammonium sulfate, sodium sulfate, sodium hydrogen sulfate or mixture thereof.
摘要翻译：目的：提供用于金属布线的蚀刻剂组合物以一次性蚀刻包括铜的多层膜，并获得适合于加工，适当蚀刻量和适当的锥形倾斜角的蚀刻速率。构成：用于金属布线的蚀刻剂组合物包括5-25重量％的过氧化物，0.5-5重量％的氧化剂，0.1-1重量％的氟化物基化合物和1-10重量％的醇。过氧化物包括过硫酸铵，过硫酸钠，过硫酸钾或其混合物。氧化剂包括硫酸氢钾，硝酸钠，硫酸铵，硫酸钠，硫酸氢钠或其混合物。

4. 发明授权

KR101157207B1 박막 트랜지스터 액정표시장치용 식각조성물 有权
标题翻译：用于薄膜晶体管液晶显示器
公开(公告)号：KR101157207B1
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：KR1020100033232
申请日：2010-04-12
申请人： 솔브레인 주식회사
发明人： 오종현 , 박충우 , 송용성 , 이태형
IPC分类号： C09K13/10 , C09K13/08
摘要： 본 발명은 박막 트랜지스터 액정표시장치의 TFT (Thin Film Transistor)를 구성하는 게이트(Gate), 소스(Source) 및 드레인(Drain) 전극용 금속배선재인 구리막과 다른 금속으로 이루어진 다중막의 패터닝(patterning)을 위한 식각액의 조성물에 관한 것이다.
본 발명은 과산화수소 3~20 중량%, 황산염 0.1~5 중량%, 불소 화합물 0.001~2 중량%, 킬레이트제 0.1~5 중량%, 무기산 0.1~5 중량%, 붕소계 화합물 0.01~1 중량%, 첨가제 0.1~5 중량% 및 총 중량이 100 중량%가 되도록 물을 포함하는 식각조성물로 공정에 적합한 식각속도, 적당한 식각량 및 적절한 테이퍼 경사각을 제공할 수 있다. 또한 기존 과수계 식각액의 문제점인 안정성 측면을 증가시켜 처리매수 능력이 증가한 것을 특징으로 한다.

5. 发明授权

KR101841050B1 식각 조성물 및 패턴화된 절연막 有权
公开(公告)号：KR101841050B1
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：KR1020130156233
申请日：2013-12-16
申请人： 솔브레인 주식회사
发明人： 박진철 , 박충우 , 이길호
IPC分类号： C09K13/08 , C09K13/06
摘要： 본발명은식각조성물, 이를이용한패턴화된절연막의제조방법, 패턴화된절연막및 이를포함하는반도체소자에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른식각조성물은평면의식각면을형성할수 있다. 그결과상기식각조성물로식각된절연막은후속공정에도입될수 있는금속막등을우수한품질로형성하게할 수있다. 또한, 상기식각조성물은실리콘산화막및 실리콘질화막을동시에식각할수 있어효율적으로패턴화된절연막을제공할수 있다.

6. 发明公开

KR1020150053212A 식각 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 审中-实审
标题翻译：用于蚀刻的组合物，以及使用其制备半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020150053212A
公开(公告)日：2015-05-15
申请号：KR1020130166538
申请日：2013-12-30
申请人： 솔브레인 주식회사
发明人： 손정익 , 송기창 , 박충우
IPC分类号： C09K13/08 , H01L21/306
CPC分类号： H01L29/66765 , C09K13/08 , C23F1/18 , H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L21/32134
摘要： 본발명에서는비정질실리콘산화막의절연막에대해우수한식각특성을나타내고, 특히상기절연막이수소가도핑된비정질실리콘산화막위에인이도핑된비정질실리콘산화막이교대로적층된적층구조의절연막일경우균일식각이가능하며, 식각조성물내 Cu 이온농도의증가에도절연막에대한식각속도를일정하게유지할수 있으며, 또석출물의발생을방지할수 있고, 또상기절연막위에구리및 몰리브덴-티탄합금을주성분으로하는금속적층막이형성된경우, 절연막과금속적층막의일괄식각이가능한식각조성물, 및이를이용한반도체소자의제조방법을제공한다.
摘要翻译：本发明提供一种蚀刻用组合物及其制造方法。用于蚀刻的组合物相对于非晶氧化硅膜的绝缘膜表现出优异的蚀刻特性。特别是，当绝缘膜是具有堆叠结构的绝缘膜时，蚀刻用组合物能够均匀地进行蚀刻，其中磷掺杂非晶氧化硅膜交替堆叠在掺杂氢的非晶氧化硅膜的顶部。此外，尽管用于蚀刻的组合物中的Cu离子浓度增加，但用于蚀刻的组合物可以保持相对于绝缘膜的蚀刻速度，并且可以防止沉积。此外，当在绝缘膜上形成具有铜和钼 - 钛合金作为主要成分的金属层叠膜时，绝缘膜和金属层叠膜可以一次蚀刻。蚀刻用组合物包含：5〜20重量％的过氧化氢; 0.1〜1重量％的氟系化合物; 0.2〜5重量％的无机羧酸盐; 剩余的去离子水。

7. 发明公开

KR1020130130515A 은함유 패턴의 식각액 有权
标题翻译：银河模式
公开(公告)号：KR1020130130515A
公开(公告)日：2013-12-02
申请号：KR1020120054388
申请日：2012-05-22
申请人： 솔브레인 주식회사
发明人： 박진철 , 박충우 , 이길호 , 유연석
IPC分类号： C09K13/06 , C09K13/00
摘要： The present invention relates to an etchant used in wet-etching a metal film in a manufacturing process of a flat panel display (FPD) and, more specifically, to an etchant related to a single film consisting of Ag or an Ag alloy; and a multilayer consisting of an alloy film of Ag and a heterogeneous metal, Ag and a transparent conductive metal such as indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO), especially to a triple film of transparent electrode/Ag-palladium alloy film/transparent electrode.
摘要翻译：本发明涉及在平板显示器（FPD）的制造工艺中湿蚀刻金属膜中使用的蚀刻剂，更具体地，涉及与由Ag或Ag合金组成的单个膜相关的蚀刻剂; 以及由Ag和异质金属的合金膜Ag和诸如氧化铟锡（ITO）和氧化铟锌（IZO）的透明导电金属组成的多层，特别是透明电极/ Ag-钯合金的三层膜薄膜/透明电极。

8. 发明公开

KR1020100053175A 투명도전막 식각용액 有权
标题翻译：用于透明导电ITO膜的探测器
公开(公告)号：KR1020100053175A
公开(公告)日：2010-05-20
申请号：KR1020080112176
申请日：2008-11-12
申请人： 솔브레인 주식회사
发明人： 이석중 , 박충우 , 이태형
IPC分类号： C09K13/00 , C09K13/04
CPC分类号： C09K13/00 , H01L31/022466 , H01L31/1884 , Y02E10/50 , C09K13/04
摘要： 본발명은박막트랜지스터액정표시장치등의평판디스플레이표시장치의박막트랜지스터제조공정에서미세패턴으로형성된투명도전막의식각용액조성물에관한것이다. 본발명은함할로겐화합물 0.05 ~15 중량%, 보조산화제 0.1 ~ 20중량%, 식각조절제 0.05 ~ 15중량%, 잔사억제제 0.1 ~ 15중량%, 부식억제제 0.3 ~ 10중량% 및전체조성물총 중량이 100중량%가되도록하는물로구성되어있으며, 구리막, 구리합금막, 몰리브데늄막, 몰리브데늄합금막또는이들이적층된다중막의침해현상이없도록하는투명도전막식각조성물에관한것이다. 본발명의투명도전막식각조성물은부식억제제와경시변화억제제를함유하고있는수용액으로서종래의투명도전막식각조성물에서발생되는측면식각현상, 경시변화현상, 식각시잔사발생현상, 구리막, 구리합금막, 몰리브데늄막, 몰리브데늄합금막또는이들이적층된다중막의침해현상등의단점을완전히제거하여준다. 특히본 발명은종래의투명도전막식각조성물의주요문제점인식각시 잔사발생현상과구리막, 구리막구리합금막, 몰리브데늄막, 몰리브데늄합금막또는이들이적층된다중막의침해하는현상을제거하여투명도전막의선택적패턴식각이가능하다. 또한본 발명에의한투명도전막식각조성물은적당한식각속도와적당한경사각을제공할수 있으며, 증발량을현저히감소시켜식각조성물의성분량의변동을감소시키고, 그로인한흄(fume)발생량을줄여대기환경오염을막을수 있는장점을가지고있다. 본발명에의한투명도전막식각조성물은미세패턴으로형성된투명도전막의패턴식각을위하여적용할경우종래의투명도전막식각조성물과달리박막트랜지스터의전극재료로주로사용되는구리막, 구리합금막, 몰리브데늄막, 몰리브데늄합금막또는이들이적층된다중막의침해현상이거의없기때문에원가절감과공정수율을향상시킬수 있는장점이있다.
摘要翻译：目的：提供用于透明导电ITO膜的蚀刻剂溶液以选择性地图案蚀刻透明导电膜，并且减少蚀刻剂溶液的含量的变化。构成：透明导电ITO膜的蚀刻剂溶液含有0.05〜15重量％的含卤化合物，0.1〜20重量％的辅助氧化剂，0.05〜15重量％的蚀刻改性剂，0.1〜15重量％的残留抑制剂，0.3〜10重量％％的防腐剂和水使总量达到100wt％。

9. 发明公开

KR1020160005640A 복합금속막용 식각 조성물 및 이를 이용한 금속배선 형성방법 无效
标题翻译：用于复合金属层的蚀刻组合物及其形成金属线的方法
公开(公告)号：KR1020160005640A
公开(公告)日：2016-01-15
申请号：KR1020140191564
申请日：2014-12-29
申请人： 솔브레인 주식회사
发明人： 박진철 , 이길호 , 박충우
IPC分类号： C09K13/08 , C09K13/06 , C23F1/18
CPC分类号： C09K13/08 , C09K13/06 , C23F1/18
摘要： 구리막에인듐산화막또는몰리브덴합금막이포함하는복합금속막용식각조성물및 이를이용한금속배선형성방법에관한기술로서, 복합금속막용식각조성물은 5 내지 15 중량%의과산화수소, 0.2 내지 2.0 중량%의무기산염, 0.5 내지 2.5 중량%의알킬설폰산, 0.1 내지 0.5 중량%의불소화합물, 0.5 내지 1.5 중량%의킬레이트제, 0.2 내지 1.0 중량%의부식억제제, 0.1 내지 0.5 중량%의과산화수소안정화제및 여분의물을포함한다. 복합금속막용식각조성물은 0.3 중량% 이하의불산화합물을포함하고있음에도불구하고, 복합금속막에포함된구리막의식각속도의감소없이, 금속산화막의식각속도를증가시킴으로서최종적으로형성되는금속산화막패턴의테일(tail) 길이가최소한으로짧게존재할수 있도록한다.
摘要翻译：本发明涉及包含氧化铟膜和钼合金膜的复合金属膜蚀刻组合物及其金属线形成方法。复合金属膜蚀刻组合物包括：5-15重量％的过氧化氢; 0.2-2.0重量％的无机酸盐; 0.5-2.5重量％的烷基磺酸; 0.1-0.5重量％的氟化合物; 0.5-1.5重量％的螯合剂; 0.2-1.0重量％的腐蚀抑制剂; 0.1-0.5重量％的过氧化氢稳定剂; 和剩余部分的水。复合金属膜蚀刻组合物可以通过增加金属氧化物膜的蚀刻速度来最小化最终金属氧化物膜的尾部的长度，而不会降低复合金属膜中包含的铜膜的蚀刻速度，即使组合物包含0.3 wt％以下的氢氟酸组合物。

10. 发明公开

KR1020150040728A 식각 조성물 및 패턴화된 절연막 审中-实审
标题翻译：蚀刻和图案绝缘膜的组成
公开(公告)号：KR1020150040728A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：KR1020130156233
申请日：2013-12-16
申请人： 솔브레인 주식회사
发明人： 박진철 , 박충우 , 이길호
IPC分类号： C09K13/08 , C09K13/06
CPC分类号： C09K13/08 , C09K13/00 , C09K13/06
摘要： 본발명은식각조성물, 이를이용한패턴화된절연막의제조방법, 패턴화된절연막및 이를포함하는반도체소자에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른식각조성물은평면의식각면을형성할수 있다. 그결과상기식각조성물로식각된절연막은후속공정에도입될수 있는금속막등을우수한품질로형성하게할 수있다. 또한, 상기식각조성물은실리콘산화막및 실리콘질화막을동시에식각할수 있어효율적으로패턴화된절연막을제공할수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种蚀刻组合物; 使用相同方法制造图案化绝缘膜的方法; 图案绝缘膜; 以及包括相同绝缘膜的半导体器件。根据本发明的实施方案，蚀刻组合物可以形成平面蚀刻侧。结果，通过蚀刻组合物蚀刻的绝缘膜可以形成可以引入后处理的高品质金属膜等。此外，蚀刻组合物可以同时蚀刻氧化硅膜和氮化硅膜。因此，蚀刻组合物可以有效地提供图案化的绝缘膜。蚀刻组合物包含0.5-5.5重量份氟化氢，5-40重量份氟化铵，0.1-4.5重量份有机酸和50-95重量份溶剂。

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