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热词
    • 1. 发明公开
    • 표시 장치의 박막 트랜지스터 제조 방법
    • 显示器件薄膜晶体管的制造方法
    • KR1020160065398A
    • 2016-06-09
    • KR1020140169126
    • 2014-11-28
    • 삼성디스플레이 주식회사
    • 상현정이희영
    • H01L27/32H01L21/336
    • H01L29/66742H01L21/2652H01L21/28158H01L21/32H01L27/1288H01L27/3262H01L29/0649H01L29/41733H01L29/42384H01L29/4908H01L29/6675H01L29/66757H01L29/78675H01L29/78696H01L27/32
    • 본발명의실시예에따른표시장치의박막트랜지스터제조방법은, 다결정규소막으로형성된반도체층상에게이트절연막을형성하는단계와, 상기게이트절연막상에패턴이형성된하프톤마스크를부착하는단계와, 상기반도체층에불순물을도핑하여복수의브리징된그레인라인이형성된채널영역을형성하는단계와, 상기하프톤마스크를일부식각하여, 상기채널영역의게이트절연막을노출하는단계와, 상기하프톤마스크및 상기게이트절연막상에게이트전극층을형성하는단계와, 상기게이트전극층의채널영역의경계에대응되는부분을식각하여상기채널영역상에게이트전극을형성하는단계와, 상기하프톤마스크를제거하는단계와, 상기반도체층의채널영역양측에불순물을도핑하여소스/드레인영역을형성하는단계와, 상기게이트전극및 상기게이트절연막상에층간절연막을형성하는단계와, 상기게이트절연막및 상기층간절연막을식각하여상기소스/드레인영역이노출되도록하는컨택홀형성단계, 및상기컨택홀을통해상기소스/드레인영역과연결되는소스/드레인전극을형성하는단계를포함한다.
    • 根据本发明的实施例,一种显示装置的薄膜晶体管的制造方法包括以下步骤:在由多晶硅膜形成的半导体层上形成栅极绝缘层; 将具有图案的半色调掩模附着到所述栅极绝缘层; 通过在半导体层上掺杂杂质形成具有多个桥接晶粒线的沟道区; 通过部分蚀刻半色调掩模来曝光沟道区的栅极绝缘层; 在半色调掩模和栅极绝缘层上形成栅极电极层; 通过蚀刻与栅电极层的沟道区域的边界对应的部分,在沟道区上形成栅电极; 去除半色调面膜; 通过在半导体层的沟道区的两侧掺杂杂质来形成源/漏区; 在栅电极和栅极绝缘层上形成层间绝缘层; 形成接触孔以通过蚀刻栅极绝缘层和层间绝缘层来暴露源极/漏极区域; 以及通过接触孔形成连接到源极/漏极区的源极/漏极。 本发明的方法可以改善桥接纹理线之间的匹配。
    • 4. 发明授权
    • 표시 장치의 박막 트랜지스터 제조 방법
    • KR102204755B1
    • 2021-01-19
    • KR1020140169126
    • 2014-11-28
    • 삼성디스플레이 주식회사
    • 상현정이희영
    • H01L27/32H01L21/336
    • 본발명의실시예에따른표시장치의박막트랜지스터제조방법은, 다결정규소막으로형성된반도체층상에게이트절연막을형성하는단계와, 상기게이트절연막상에패턴이형성된하프톤마스크를부착하는단계와, 상기반도체층에불순물을도핑하여복수의브리징된그레인라인이형성된채널영역을형성하는단계와, 상기하프톤마스크를일부식각하여, 상기채널영역의게이트절연막을노출하는단계와, 상기하프톤마스크및 상기게이트절연막상에게이트전극층을형성하는단계와, 상기게이트전극층의채널영역의경계에대응되는부분을식각하여상기채널영역상에게이트전극을형성하는단계와, 상기하프톤마스크를제거하는단계와, 상기반도체층의채널영역양측에불순물을도핑하여소스/드레인영역을형성하는단계와, 상기게이트전극및 상기게이트절연막상에층간절연막을형성하는단계와, 상기게이트절연막및 상기층간절연막을식각하여상기소스/드레인영역이노출되도록하는컨택홀형성단계, 및상기컨택홀을통해상기소스/드레인영역과연결되는소스/드레인전극을형성하는단계를포함한다.
    • 8. 发明公开
    • 포토레지스트 박리용 조성물, 이를 이용한 금속 패턴의 형성 방법 및 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
    • 用于剥离光电元件的组合物,使用其形成金属图案的方法和使用其制造显示器基板的方法
    • KR1020160033855A
    • 2016-03-29
    • KR1020140124412
    • 2014-09-18
    • 삼성디스플레이 주식회사주식회사 이엔에프테크놀로지
    • 박홍식정재우상현정김인배박영진이상대임찬규전경민
    • G03F7/42H01L21/306
    • G03F7/422H01L21/02068
    • 제조공정의신뢰성및 생산성을향상시킬수 있는포토레지스트박리용조성물, 이를이용한금속패턴의형성방법및 박막트랜지스터기판의제조방법이개시된다. 포토레지스트박리용조성물은알칸올아민 1 내지 10 중량%, 모노알킬렌글리콜알킬에테르화합물 1 내지 10 중량%, 디알킬렌글리콜알킬에테르화합물 10 내지 85 중량%, 하기화학식 2로표시되는폴리알킬렌옥사이드화합물 1 내지 5 중량%, 부식방지제 0.001 내지 0.01 중량%, 함질소비양자성극성용매 5 내지 20중량% 및여분의물을포함한다. 이에따라, 포토레지스트제거력을향상시킬수 있으며, 박리된포토레지스트가기판상에재부착되는것을방지할수 있다. 또한, 포토레지스트하부의금속에대한부식을방지할수 있다. 이에따라, 금속패턴및 박막트랜지스터기판의제조공정의신뢰성을향상시킬수 있다.
    • 公开了用于分离光致抗蚀剂的组合物,其可以提高制造工艺的可靠性和生产率,用于形成金属图案的方法以及通过使用该方法制造薄膜晶体管基板的方法。 用于分离光致抗蚀剂的组合物包括1-10重量%的链烷醇胺,1-10重量%的单亚烷基二醇烷基醚化合物,10-85重量%的二亚烷基二醇烷基醚化合物和1-5重量%的聚环氧烷 化学式2表示的化合物,0.001-0.01重量%的防腐蚀剂,5-20重量%的含氮非质子极性溶剂和余下的水。 因此,可以增加用于除去光致抗蚀剂的力,并且可以防止分离的光致抗蚀剂再次附着到基板上。 此外,可以防止光致抗蚀剂下部的金属腐蚀。 因此,可以提高用于制造金属图案和薄膜晶体管基板的工艺的可靠性。