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1. 发明授权

KR101733585B1 잉크 패턴 형성 방법 및 잉크 패턴 인쇄 장치 有权
标题翻译：形成油墨图案和油墨图案印刷设备的方法
公开(公告)号：KR101733585B1
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：KR1020090068866
申请日：2009-07-28
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김보성 , 김규영 , 이윤구 , 김창훈 , 정남옥
IPC分类号： B41F17/14 , B41F3/20 , G02F1/13 , B41F9/01 , B41J2/005 , B41M1/10 , B41F3/36
CPC分类号： B41M1/10 , B41F9/01 , B41J2/0057
摘要： 버려지는잉크의양을감소시키며, 잉크패턴형상의인쇄정밀도및 피인쇄기재와의위치정밀도를향상시킬수 있는잉크패턴형성방법및 잉크패턴형성장치가제공된다. 상기잉크패턴형성방법은피인쇄기재에인쇄되는최종잉크패턴보다크기가큰 패턴이음각으로형성된제1 오목부를포함하는제1 인쇄기재를제공하는단계, 상기제1 인쇄기재의제1 오목부에잉크를채우는단계, 상기제1 인쇄기재의제1 오목부에채워진상기잉크를블랭킷실린더상으로전사하여중간잉크패턴을형성하는단계, 상기피인쇄기재에인쇄되는최종잉크패턴과동일한크기의패턴이음각으로형성된제2 오목부를포함하는제2 인쇄기재를제공하는단계, 상기중간잉크패턴을포함하는블랭킷실린더를상기제2 인쇄기재에압착하여상기제2 인쇄기재의볼록부와맞닿는부분의잉크를상기블랭킷실린더로부터제거하는단계, 상기블랭킷실린더에남은잉크를상기피인쇄기재에인쇄하여최종잉크패턴을형성하는단계를포함한다.
摘要翻译：提供了一种墨图案形成方法和墨图案形成装置，其能够减少废墨量并且提高墨图案形状的打印精度和相对于印刷基板的位置精度。所述油墨图案形成方法包括以下步骤：提供第一印刷基底，所述第一印刷基底包括第一凹入部分，在所述第一凹入部分中以大于印刷在印刷基底上的最终油墨图案的图案形成为雕刻形状; 通过将填充在第一印刷基板的第一凹部中的油墨转印到橡皮滚筒上来形成中间油墨图案，从而形成与印刷在印刷基板上的最终油墨图案具有相同尺寸的图案提供第二印刷基板，该第二印刷基板包括以钝角形成的第二凹部;将包括中间墨图案的橡皮滚筒按压到第二印刷基板上以形成与第二印刷基板的凸部接触的墨的一部分从橡皮布滚筒上取下橡皮布滚筒，并将留在橡皮布滚筒上的油墨印刷在印刷基材上以形成最终的墨水图案。

2. 发明授权

KR101633034B1 터치 기판, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 표시 장치 有权
标题翻译：触控基板的制造方法和具有该方法的显示装置
公开(公告)号：KR101633034B1
公开(公告)日：2016-06-24
申请号：KR1020090101149
申请日：2009-10-23
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김규영 , 김보성 , 이윤구 , 정남옥
IPC分类号： G06F3/041
CPC分类号： G06F3/045 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , G06F2203/04111 , G06F2203/04112 , H05K3/1275
摘要： 터치기판은베이스기판, 공통전극및 배선전극을포함한다. 베이스기판은복수의공통전극영역들을갖는다. 공통전극은공통전극영역들각각에배치되고, 제1 방향으로연장되고제1 방향과교차하는제2 방향으로배열된복수의제1 전극선들및 제1 방향으로배열된복수의제2 전극선들을갖는다. 배선전극은공통전극들의일단들에연결되어전압을인가한다. 공통전극과배선전극을프린팅용기판을이용한동일한공정으로형성함으로써제품의신뢰성을증가시킬수 있다.

3. 发明授权

KR101582942B1 산화물 반도체 제조용 용액 有权
标题翻译：形成氧化物半导体的解决方案
公开(公告)号：KR101582942B1
公开(公告)日：2016-01-08
申请号：KR1020090068004
申请日：2009-07-24
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 연세대학교 산학협력단
发明人： 최태영 , 김영민 , 송근규 , 김보성 , 정연택 , 장선필 , 조승환 , 문주호 , 김동조 , 정영민
IPC分类号： C01G1/02 , C01G15/00 , C01B13/08
摘要： 본발명의일 실시예에따른산화물박막제조용용액은주석을함유하는제1 화합물, 갈륨을함유하는제2 화합물, 인듐을함유하는제3 화합물중 적어도어느하나를함유하는산화아연(ZnO) 용액, 용액을안정화하기위한용액안정화제, 용액의점도를조절하기위한첨가제를포함한다.

4. 发明授权

KR101572081B1 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：液晶显示器及其制造方法
公开(公告)号：KR101572081B1
公开(公告)日：2015-11-26
申请号：KR1020090035163
申请日：2009-04-22
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 최태영 , 김보성 , 김영민
IPC分类号： G02F1/136 , G02F1/13
CPC分类号： H01L27/1225 , G02F1/136209 , G02F1/13624 , G02F2001/136222 , H01L27/1248 , H01L27/1288
摘要： 본발명은액정표시장치에서고성능의박막트랜지스터를제공하는것으로서, 본발명의실시예에따른액정표시장치의제조방법은기판위에게이트전극을포함하는게이트선을형성하는단계, 게이트선위에게이트절연막을형성하는단계, 게이트절연막위에소스전극을포함하는데이터선및 소스전극과마주하는드레인전극을형성하는단계, 게이트선, 데이터선및 드레인전극위에화소영역을구획하고게이트전극위의게이트절연막, 소스전극및 드레인전극을노출하는개구영역가지는격벽을형성하는단계, 개구영역안에반도체를형성하는단계, 격벽에의해구획된화소영역에색필터를형성하는단계, 색필터위에상기드레인전극과연결되는화소전극을형성하는단계를포함한다.

5. 发明公开

KR1020130138526A 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管基板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130138526A
公开(公告)日：2013-12-19
申请号：KR1020120062190
申请日：2012-06-11
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 최태영 , 김보성
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/1292 , B82Y10/00 , H01L29/41733 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L51/0005 , H01L51/0023 , H01L51/0048 , H01L51/0545 , H01L51/102 , H01L29/4908 , H01L21/02623 , H01L29/66742
摘要： A thin film transistor, in a thin film transistor substrate and a manufacturing method thereof, comprises: a gate electrode connected to a gate line formed on a base substrate; an insulation layer including a first region formed on the base substrate where the gate electrode is formed and having a hydrophobic surface, and a second region arranged on the gate electrode and having the hydrophile properties; a source electrode connected to a data line intersecting the gate line and arranged on the second region; a drain electrode arranged on the second region by being spaced apart from the source electrode; a semiconductor pattern for covering the second region of an apart region between the source electrode and the drain electrode, the source electrode and the drain electrode and exposing the first region; and a pixel electrode being in contact with the drain electrode. Therefore, the present invention can form a soluble semiconductor pattern having a stable structure without a bank.
摘要翻译：薄膜晶体管基板中的薄膜晶体管及其制造方法包括：连接到形成在基底基板上的栅极线的栅电极; 绝缘层，包括形成在所述基底基板上的形成有所述栅电极且具有疏水性表面的第一区域，以及布置在所述栅电极上并具有亲水性的第二区域; 源极连接到与栅极线相交并且布置在第二区上的数据线; 漏极，其与所述源电极间隔开地布置在所述第二区域上; 用于覆盖源电极和漏电极，源电极和漏电极之间的分离区域的第二区域并暴露第一区域的半导体图案; 和与漏电极接触的像素电极。因此，本发明可以形成具有稳定结构的可溶性半导体图案而没有银行。

6. 发明公开

KR1020130134154A 박막 트랜지스터 및 그 형성 방법 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管及其形成方法
公开(公告)号：KR1020130134154A
公开(公告)日：2013-12-10
申请号：KR1020120057459
申请日：2012-05-30
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 이두형 , 김보성 , 양찬우 , 정승호 , 정연택 , 최준환 , 최태영
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66969 , H01L21/02565 , H01L21/02614 , H01L21/385 , H01L21/441 , H01L21/477 , H01L29/7869 , H01L21/02623 , H01L21/288 , H01L29/45 , H01L29/4908
摘要： A thin film transistor is provided. According to an embodiment of the present invention, the thin film transistor comprises: a substrate; an oxide semiconductor layer on the substrate; a gate electrode overlapping the oxide semiconductor layer; a gate insulating layer between the gate electrode and the oxide semiconductor layer; and source and drain electrodes which overlap the oxide semiconductor layer at least in part and are separated from each other. The gate insulating layer includes oxide containing a first substance, the oxide semiconductor layer includes oxide manufactured by mixing the first substance and a second substance, and the source and drain electrodes include oxide manufactured by mixing the second substance and a third substance. The gate insulating layer is manufactured through a solution process including the first substance, the oxide semiconductor layer is manufactured through a solution process including the second substance, and the source and drain electrodes are manufactured through a solution process including the third substance. [Reference numerals] (AA) Start;(BB) End;(S1) Precursor deposition for insulating layer formation/semiconductor layer formation/source and drain formation;(S2) Heat treatment
摘要翻译：提供薄膜晶体管。根据本发明的实施例，薄膜晶体管包括：基板; 在所述基板上的氧化物半导体层; 与氧化物半导体层重叠的栅电极; 栅电极和氧化物半导体层之间的栅极绝缘层; 以及至少部分地与氧化物半导体层重叠并且彼此分离的源极和漏极。栅极绝缘层包括含有第一物质的氧化物，氧化物半导体层包括通过混合第一物质和第二物质而制造的氧化物，源电极和漏电极包括通过混合第二物质和第三物质制造的氧化物。通过包括第一物质的溶液处理制造栅极绝缘层，通过包括第二物质的溶液处理制造氧化物半导体层，并且通过包括第三物质的溶液法制造源极和漏极。（AA）开始;（BB）端;（S1）绝缘层形成/半导体层形成/源极和漏极形成的前体沉积;（S2）热处理

7. 发明授权

KR101326130B1 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：薄膜晶体管阵列及其制造方法
公开(公告)号：KR101326130B1
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：KR1020070071639
申请日：2007-07-18
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 조승환 , 노정훈 , 김보성 , 송근규 , 최태영 , 윤민호
IPC分类号： H01L29/786
摘要： 본 발명은 게이트 전극을 형성하는 단계, 상기 게이트 전극 위에 절연막을 형성하는 단계, 상기 절연막 위에 하부 도전층 및 상부 도전층을 차례로 형성하는 단계, 상기 상부 도전층을 식각하여 제1 소스 전극 및 제1 드레인 전극을 형성하는 단계, 상기 하부 도전층을 식각하여 제2 소스 전극 및 제2 드레인 전극을 형성하는 단계, 상기 제2 소스 전극 및 상기 제2 드레인 전극을 과식각하는 단계, 그리고 상기 제2 소스 전극 및 상기 제2 드레인 전극 사이에 유기 반도체를 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법에 관한 것이다.
유기 반도체, 상부 접촉 구조, 잉크젯, 과식각, 절연체

8. 发明授权

KR101295096B1 표시 기판 및 이를 구비한 전기영동 표시장치 有权
标题翻译：显示基板和具有该基板的电子显示装置
公开(公告)号：KR101295096B1
公开(公告)日：2013-08-09
申请号：KR1020060121945
申请日：2006-12-05
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 배주한 , 송근규 , 신성식 , 김보성
IPC分类号： G02F1/167
摘要： 휘도를 향상시키기 위한 표시 기판 및 이를 구비한 전기영동 표시장치가 개시된다. 전기영동 표시장치용 표시 기판은 게이트 배선, 데이터 배선, 스위칭 소자 및 화소 전극을 포함한다. 게이트 배선은 절연 기판 상에 형성된다. 데이터 배선은 게이트 배선과 교차하는 방향으로 연장된다. 스위칭 소자는 게이트 배선과 데이터 배선에 연결된다. 화소 전극은 스위칭 소자와 전기적으로 연결되어, 광을 반사하는 반사 전극층과 광을 흡수하는 불투명 전극층을 포함한다. 이에 따라서, 누설광에 의한 휘도 저하를 방지할 수 있고, 더불어, 누설광에 의한 박막 트랜지스터의 누설 전류를 방지할 수 있다.
전기영동 표시장치, 박막 트랜지스터, 불투명층

9. 发明授权

KR101272489B1 표시 기판, 이의 제조 방법 및 이를 구비하는 전기영동표시장치 有权
标题翻译：显示基板，制造方法和具有该显示基板的电泳显示器
公开(公告)号：KR101272489B1
公开(公告)日：2013-06-07
申请号：KR1020060097465
申请日：2006-10-03
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 송근규 , 김보성 , 조승환
IPC分类号： G02F1/167 , G02F1/136 , G02F1/13 , H01L29/786
CPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/167 , G02F2001/136231
摘要： 표시기판은 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 포함한다. 박막 트랜지스터는 소오스 및 드레인 전극, 소오스 전극 및 드레인 전극을 커버하는 액티브 층 및 액티브층의 상부에 형성된 게이트 전극을 구비한다. 화소 전극은 게이트 전극과 동일한 재질로 이루어지고, 게이트 전극이 형성되는 과정에서 함께 형성된다. 이에 따라, 공정 단계 및 마스크 수가 감소되고, 생산성이 향상되며, 제조 원가가 절감된다.
탑 게이트, 마스크, 전기영동

10. 发明公开

KR1020110065741A 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：薄膜晶体管阵列及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110065741A
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：KR1020090122378
申请日：2009-12-10
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 최태영 , 이희국 , 김보성 , 김영민 , 조승환 , 윤영수 , 정연택 , 장선필
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1333
CPC分类号： H01L29/66765 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L27/1225 , H01L29/7869 , H01L29/41733 , H01L29/78606
摘要： PURPOSE: A thin film transistor display panel and a method for manufacturing the same are provided to simplify manufacturing processes by simultaneously forming an etching stop film and a data wiring using one mask. CONSTITUTION: A gate insulating film is arranged on a gate electrode(124). A semiconductor(154) is arranged on the gate insulating film. An etching stop film is arranged on the semiconductor. An insulating layer is arranged on the gate insulating film. A source electrode(173) and a drain electrode(175) are arranged in a region which is surrounded by the etching stop film and the insulating layer.
摘要翻译：目的：提供薄膜晶体管显示面板及其制造方法，以通过使用一个掩模同时形成蚀刻停止膜和数据布线来简化制造工艺。构成：栅极绝缘膜布置在栅电极（124）上。半导体（154）布置在栅极绝缘膜上。在半导体上设置有蚀刻停止膜。绝缘层设置在栅极绝缘膜上。源电极（173）和漏电极（175）被布置在由蚀刻停止膜和绝缘层包围的区域中。

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