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1. 发明授权

KR101582942B1 산화물 반도체 제조용 용액 有权
标题翻译：形成氧化物半导体的解决方案
公开(公告)号：KR101582942B1
公开(公告)日：2016-01-08
申请号：KR1020090068004
申请日：2009-07-24
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 연세대학교 산학협력단
发明人： 최태영 , 김영민 , 송근규 , 김보성 , 정연택 , 장선필 , 조승환 , 문주호 , 김동조 , 정영민
IPC分类号： C01G1/02 , C01G15/00 , C01B13/08
摘要： 본발명의일 실시예에따른산화물박막제조용용액은주석을함유하는제1 화합물, 갈륨을함유하는제2 화합물, 인듐을함유하는제3 화합물중 적어도어느하나를함유하는산화아연(ZnO) 용액, 용액을안정화하기위한용액안정화제, 용액의점도를조절하기위한첨가제를포함한다.

2. 发明公开

KR1020110010435A 산화물 반도체 제조용 용액 有权
标题翻译：形成氧化物半导体的解决方案
公开(公告)号：KR1020110010435A
公开(公告)日：2011-02-01
申请号：KR1020090068004
申请日：2009-07-24
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 연세대학교 산학협력단
发明人： 최태영 , 김영민 , 송근규 , 김보성 , 정연택 , 장선필 , 조승환 , 문주호 , 김동조 , 정영민
IPC分类号： C01G1/02 , C01G15/00 , C01B13/08
摘要： PURPOSE: A solution for forming an oxide semiconductor is provided to enable the formation of a semiconductor through an ink jet printing method, and to simplify and lower a manufacturing process of a thin film transistor. CONSTITUTION: A solution for forming an oxide semiconductor comprises: a zinc oxide(ZnO) solution including at least one selected from a first compound containing tin, a second compound containing gallium, and a third compound containing indium; a solution stabilizer for stabilizing the solution; and additives for controlling the viscosity of the solution.
摘要翻译：目的：提供用于形成氧化物半导体的解决方案，以通过喷墨印刷方法形成半导体，并且简化和降低薄膜晶体管的制造工艺。构成：用于形成氧化物半导体的溶液包括：包含选自含锡的第一化合物，含镓的第二化合物和含铟的第三化合物中的至少一种的氧化锌（ZnO）溶液; 用于稳定溶液的溶液稳定剂; 和用于控制溶液粘度的添加剂。

3. 发明授权

KR101910969B1 산화물 반도체용 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101910969B1
公开(公告)日：2018-10-24
申请号：KR1020110145657
申请日：2011-12-29
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 연세대학교 산학협력단
发明人： 정연택 , 김보성 , 이두형 , 김두나 , 박은혜 , 김동림 , 김현재 , 임유승 , 임현수
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： C09D5/00 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/62222 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/443 , C04B2235/444 , C04B2235/449 , H01L27/1225 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要： 개시된박막트랜지스터기판의제조방법에따르면, 기판상에, 금속옥살레이트및 용매를포함하는산화물반도체용조성물을코팅하여박막을형성하고, 상기박막을어닐링하고, 상기박막을패터닝하여반도체패턴을형성한다.

4. 发明授权

KR101801845B1 산화물 반도체 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101801845B1
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：KR1020100116897
申请日：2010-11-23
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 연세대학교 산학협력단
发明人： 정연택 , 김보성 , 김영민 , 김현재 , 이두형 , 최태영 , 이기범 , 장선필 , 임유승 , 조강문 , 김동림 , 김시준 , 김두나
IPC分类号： H01L29/786
摘要： 본발명의일 실시예에따른산화물반도체의제조방법은주석원소를포함하는제1 화합물을제1 열처리하는단계, 아연, 인듐, 갈륨, 탈륨, 지르코늄으로이루어진군에서적어도하나이상의금속원소를포함하는제2 화합물을제2 열처리하는단계, 무수화처리된제1 화합물및 제2 화합물을혼합한후 유기용매를혼합하여전구체용액을제조하는단계, 전구체용액을기판에도포하여전구체층을형성하는단계, 전구체층을제3 열처리하여산화물반도체를형성하는단계를포함하고, 제1 열처리는 100℃이상제1 화합물의용융점이하의온도에서진행하고, 제2 열처리는 100℃이상제2 화합물의용융점이하의온도에서진행한다.

5. 发明公开

KR1020130077116A 산화물 반도체용 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판의 제조방법 审中-实审
标题翻译：用于氧化物半导体的组合物及使用其制造薄膜晶体管衬底的方法
公开(公告)号：KR1020130077116A
公开(公告)日：2013-07-09
申请号：KR1020110145657
申请日：2011-12-29
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 연세대학교 산학협력단
发明人： 정연택 , 김보성 , 이두형 , 김두나 , 박은혜 , 김동림 , 김현재 , 임유승 , 임현수
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： C09D5/00 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/62222 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/443 , C04B2235/444 , C04B2235/449 , H01L27/1225 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , C01G1/02 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L2021/775
摘要： PURPOSE: A composition for an oxide semiconductor and a method for manufacturing a thin film transistor substrate using the same are provided to prevent environmental contamination by performing an annealing process at a low temperature. CONSTITUTION: A pixel part is formed in a displaying area (DA). The pixel includes a pixel electrode (PE). A gate driving part (GD) is formed in the peripheral area (PA) of the displaying area. The gate driving part sends a gate driving signal to the pixel part. A data driving part (DD) sends a data driving signal to the pixel part.
摘要翻译：目的：提供一种用于氧化物半导体的组合物和使用其的薄膜晶体管基板的制造方法，以通过在低温下进行退火处理来防止环境污染。构成：在显示区域（DA）中形成像素部分。像素包括像素电极（PE）。在显示区域的周边区域（PA）中形成栅极驱动部（GD）。栅极驱动部将栅极驱动信号发送到像素部。数据驱动部（DD）将数据驱动信号发送到像素部。

6. 发明公开

KR1020120055262A 산화물 반도체 제조 방법 有权
标题翻译：制造氧化物半导体的方法
公开(公告)号：KR1020120055262A
公开(公告)日：2012-05-31
申请号：KR1020100116897
申请日：2010-11-23
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 연세대학교 산학협력단
发明人： 정연택 , 김보성 , 김영민 , 김현재 , 이두형 , 최태영 , 이기범 , 장선필 , 임유승 , 조강문 , 김동림 , 김시준 , 김두나
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L21/02565 , H01L21/324 , H01L29/7869
摘要： PURPOSE: An oxide semiconductor manufacturing method is provided to control an amount of hydrates among a powdered compound, thereby stably securing electrical properties. CONSTITUTION: A first compound which includes tin is first heat-treated(S102). A second compound which includes one or more metal elements among zinc, indium, gallium, thallium, and zirconium is second heat-treated. A precursor solution is manufactured by mixing an organic solvent after mixing the heat-treated first and second compounds(S108). A precursor layer is formed by spraying the precursor solution on a substrate(S110). An oxide semiconductor is formed by third heat-treating the precursor layer(S112).
摘要翻译：目的：提供一种氧化物半导体制造方法，用于控制粉末化合物中的水合物的量，从而稳定地确保电气性能。构成：首先对包含锡的第一化合物进行热处理（S102）。将包含锌，铟，镓，铊和锆中的一种或多种金属元素的第二化合物进行第二热处理。通过在混合热处理的第一和第二化合物之后混合有机溶剂来制造前体溶液（S108）。通过将前体溶液喷涂在基材上形成前体层（S110）。通过对前体层进行第三次热处理形成氧化物半导体（S112）。

7. 发明公开

KR1020130134154A 박막 트랜지스터 및 그 형성 방법 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管及其形成方法
公开(公告)号：KR1020130134154A
公开(公告)日：2013-12-10
申请号：KR1020120057459
申请日：2012-05-30
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 이두형 , 김보성 , 양찬우 , 정승호 , 정연택 , 최준환 , 최태영
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66969 , H01L21/02565 , H01L21/02614 , H01L21/385 , H01L21/441 , H01L21/477 , H01L29/7869 , H01L21/02623 , H01L21/288 , H01L29/45 , H01L29/4908
摘要： A thin film transistor is provided. According to an embodiment of the present invention, the thin film transistor comprises: a substrate; an oxide semiconductor layer on the substrate; a gate electrode overlapping the oxide semiconductor layer; a gate insulating layer between the gate electrode and the oxide semiconductor layer; and source and drain electrodes which overlap the oxide semiconductor layer at least in part and are separated from each other. The gate insulating layer includes oxide containing a first substance, the oxide semiconductor layer includes oxide manufactured by mixing the first substance and a second substance, and the source and drain electrodes include oxide manufactured by mixing the second substance and a third substance. The gate insulating layer is manufactured through a solution process including the first substance, the oxide semiconductor layer is manufactured through a solution process including the second substance, and the source and drain electrodes are manufactured through a solution process including the third substance. [Reference numerals] (AA) Start;(BB) End;(S1) Precursor deposition for insulating layer formation/semiconductor layer formation/source and drain formation;(S2) Heat treatment
摘要翻译：提供薄膜晶体管。根据本发明的实施例，薄膜晶体管包括：基板; 在所述基板上的氧化物半导体层; 与氧化物半导体层重叠的栅电极; 栅电极和氧化物半导体层之间的栅极绝缘层; 以及至少部分地与氧化物半导体层重叠并且彼此分离的源极和漏极。栅极绝缘层包括含有第一物质的氧化物，氧化物半导体层包括通过混合第一物质和第二物质而制造的氧化物，源电极和漏电极包括通过混合第二物质和第三物质制造的氧化物。通过包括第一物质的溶液处理制造栅极绝缘层，通过包括第二物质的溶液处理制造氧化物半导体层，并且通过包括第三物质的溶液法制造源极和漏极。（AA）开始;（BB）端;（S1）绝缘层形成/半导体层形成/源极和漏极形成的前体沉积;（S2）热处理

8. 发明公开

KR1020110065741A 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：薄膜晶体管阵列及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110065741A
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：KR1020090122378
申请日：2009-12-10
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 최태영 , 이희국 , 김보성 , 김영민 , 조승환 , 윤영수 , 정연택 , 장선필
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1333
CPC分类号： H01L29/66765 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L27/1225 , H01L29/7869 , H01L29/41733 , H01L29/78606
摘要： PURPOSE: A thin film transistor display panel and a method for manufacturing the same are provided to simplify manufacturing processes by simultaneously forming an etching stop film and a data wiring using one mask. CONSTITUTION: A gate insulating film is arranged on a gate electrode(124). A semiconductor(154) is arranged on the gate insulating film. An etching stop film is arranged on the semiconductor. An insulating layer is arranged on the gate insulating film. A source electrode(173) and a drain electrode(175) are arranged in a region which is surrounded by the etching stop film and the insulating layer.
摘要翻译：目的：提供薄膜晶体管显示面板及其制造方法，以通过使用一个掩模同时形成蚀刻停止膜和数据布线来简化制造工艺。构成：栅极绝缘膜布置在栅电极（124）上。半导体（154）布置在栅极绝缘膜上。在半导体上设置有蚀刻停止膜。绝缘层设置在栅极绝缘膜上。源电极（173）和漏电极（175）被布置在由蚀刻停止膜和绝缘层包围的区域中。

9. 发明授权

KR101884824B1 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101884824B1
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：KR1020110090618
申请日：2011-09-07
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 정연택 , 김보성 , 이두형 , 최준환 , 최태영 , 카노
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/51 , H01L29/512 , H01L29/786 , H01L2029/42388
摘要： 박막트랜지스터를제공한다. 본발명의한 실시예에따른박막트랜지스터는기판, 상기기판위에위치하고, 게이트전극을포함하는게이트선, 상기기판위에위치하는반도체층, 상기게이트선과상기반도체층사이에위치하는게이트절연막그리고상기기판위에위치하고, 상기반도체층의채널영역을기준으로서로마주보는소스전극및 드레인전극을포함하고, 상기게이트절연막은제1 영역및 제2 영역을포함하고, 상기제1 영역은상기반도체층의채널영역에대응하며, 상기제1 영역은제1 물질로형성되고, 상기제2 영역은제2 물질로형성되며, 상기제1 물질과상기제2 물질은서로다른탄소와규소의원자수비를갖는다.

10. 发明公开

KR1020150066365A 표시 장치 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150066365A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：KR1020130151802
申请日：2013-12-06
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 정연택 , 변희준
IPC分类号： G09F9/30 , G02F1/1368 , G02F1/1343
CPC分类号： H01L27/1259 , H01L22/34 , H01L27/124 , H01L27/3244 , H01L27/3276 , H01L51/0031
摘要： 본발명의일 실시예에따른표시장치는표시영역, 주변영역및 테스트영역을포함하는제1 절연기판, 상기제1 절연기판위에위치하는테그게이트전극, 게이트전극및 게이트선을포함하는게이트도전체, 상기게이트도전체위에위치하는게이트절연막, 상기게이트절연막위에위치하는테그반도체층및 화소반도체층을포함하는반도체층, 상기반도체층위에위치하는테그소스전극, 테그드레인전극, 소스전극, 드레인전극및 데이터선을포함하는데이터도전체, 상기데이터도전체위에위치하는제1 보호막, 상기제1 보호막위에위치하는테그공통전극및 화소공통전극, 상기테그공통전극및 상기화소공통전극위에위치하는제2 보호막, 및상기제2 보호막위에위치하는화소전극을포함한다.
摘要翻译：根据本发明的实施例的显示装置包括：第一绝缘基板，包括显示区域，周边区域和测试区域;位于第一绝缘基板上的标签栅电极;栅极导体，其包括栅极电极和栅极线，位于栅极导体上的栅极绝缘层，包括位于栅极绝缘层上的标签半导体层和像素半导体层的半导体层，位于半导体层上的标签源极，包括标签漏电极，源电极，漏电极和数据线的数据导体，位于数据导体上的第一保护层，位于该数据导体上的标签公共电极和像素公共电极第一保护层，位于标签公共电极和像素公共电极上的第二保护层和定位的像素电极 d在第二保护层。

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