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1. 发明公开

KR1020150061256A 화소 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터를 포함하는 표시기판 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译：包含像素TFT和驱动TFT的显示基板及其制备方法
公开(公告)号：KR1020150061256A
公开(公告)日：2015-06-04
申请号：KR1020130145130
申请日：2013-11-27
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 카노 , 박상호 , 구소영 , 김명화 , 김연홍 , 노정훈 , 임준형 , 장상희
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L51/50
CPC分类号： H01L27/1251 , H01L27/1225 , H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L51/50
摘要： 본발명은구조가상이한제 1 박막트랜지스터와제 2 박막트랜지스터가하나의기판에구비된표시장치및 상기표시장치의제조방법에대한것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种显示装置，其中彼此不同的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管位于基板上，以及用于制造显示装置的方法。显示装置安装在基板上，具有安装在基板上并与驱动单元相邻的具有第二薄膜晶体管的第一薄膜晶体管和显示单元的驱动单元。

2. 发明授权

KR101775801B1 박막 트랜지스터 有权
公开(公告)号：KR101775801B1
公开(公告)日：2017-09-07
申请号：KR1020157009414
申请日：2013-10-15
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 , 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 다오히로아키 , 마에다다케아키 , 미키아야 , 구기미야도시히로 , 안병두 , 구소영 , 김건희
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/205
CPC分类号： H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L29/78693
摘要： 본발명의과제는산화물반도체층과보호막의계면에형성되는돌기의형태가적절하게제어되어, 안정된특성을발휘하는박막트랜지스터를제공하는것이다. 해당박막트랜지스터는금속원소로서 In, Zn 및 Sn을적어도포함하는산화물로이루어지는산화물반도체층과, 해당산화물반도체층과직접접촉하는보호막을갖고, 상기산화물반도체층의, 상기보호막과직접접촉하는면에형성되는돌기의최대높이가 5㎚미만인점에특징을갖는다.

3. 发明公开

KR1020160120838A 박막 트랜지스터 표시판 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管显示面板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160120838A
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：KR1020150049659
申请日：2015-04-08
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 문연건 , 카노마사타카 , 구소영 , 김명화 , 임준형
IPC分类号： G02F1/136 , G02F1/1368 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L27/0705 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/127 , H01L29/42356 , H01L29/42384 , H01L29/66969 , H01L29/78603 , H01L29/78648 , H01L29/7869
摘要： 본발명에따른박막트랜지스터표시판은제1 절연기판; 상기제1 절연기판과제1 게이트절연막사이에위치하는제1 반도체; 상기제1 게이트절연막위에상기제1 반도체와중첩하여위치하는게이트전극; 상기게이트전극위에위치하는제2 게이트절연막; 제2 게이트절연막위에상기게이트전극과중첩하여위치하는제2 반도체; 상기제2 반도체위에위치하는층간절연막; 및상기층간절연막위에서서로이격되며, 상기제1 반도체및 상기제2 반도체와연결된소스전극과드레인전극을포함한다.

4. 发明公开

KR1020160066580A 표시 장치 审中-实审
标题翻译：显示设备
公开(公告)号：KR1020160066580A
公开(公告)日：2016-06-13
申请号：KR1020140170204
申请日：2014-12-02
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 카노마사타카 , 문연건 , 노정훈 , 임준형 , 구소영 , 김명화
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1343
CPC分类号： H01L27/124 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , G02F1/1362 , G02F1/134309 , G02F1/136286
摘要： 표시장치가제공된다. 일례로, 표시장치는기판; 상기기판상에제1 방향을따라연장되는제1 게이트라인; 상기제1 게이트라인을덮도록상기기판상에형성되는게이트절연층; 상기게이트절연층상에상기제1 게이트라인과중첩하도록형성되고, 제1 영역과제2 영역을포함하는제1 반도체패턴; 상기게이트절연층상에상기제1 방향과수직인제2 방향을따라연장되며, 상기제1 반도체패턴의제1 영역과중첩하는소스전극영역을포함하는제1 데이터라인; 상기소스전극영역과이격되며상기제1 반도체패턴의제2 영역상에형성되는드레인전극; 및상기드레인전극상에형성되며, 상기드레인전극과전기적으로형성되는화소전극을포함하되, 상기제1 반도체패턴은상기제1 방향과상기제2 방향사이의제3 방향을따라배치된다.
摘要翻译：提供了一种显示装置。作为示例，显示装置包括基板，在基板上沿第一方向延伸的第一栅极线，形成在基板上以覆盖第一栅极线的栅极绝缘层，形成在栅极绝缘层上的第一半导体图案，与第一栅极线重叠，并且包括第一区域和第二区域，在与栅极绝缘层上的第一方向垂直的第二方向上延伸的第一数据线，并且包括与第一栅极线的第一区域重叠的源电极区域半导体图案，与源电极区间隔开并形成在第一半导体图案的第二区上的漏电极，以及形成在漏电极上并电连接到漏电极的像素电极。第一半导体图案在第一方向和第二方向之间沿第三方向排列。本发明是提供一种能够在实现高分辨率的同时提高像素的开口率的显示装置。

5. 发明公开

KR1020160017330A 반도체 소자, 반도체 소자의 제조 방법 및 표시 장치 审中-实审
标题翻译：半导体器件及其制造方法及显示器件
公开(公告)号：KR1020160017330A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：KR1020140099976
申请日：2014-08-04
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김동조 , 차명근 , 강윤호 , 구소영
IPC分类号： H01L27/32 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1218 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02494 , H01L21/02502 , H01L21/02532 , H01L21/02686 , H01L27/1222 , H01L29/66757 , H01L29/66772 , H01L29/78603 , H01L29/78654 , H01L29/78675
摘要： 본발명의일 실시예는기판상에배치되며, 상면에경사면을포함하는버퍼층; 상기버퍼층상에배치된결정질실리콘층; 상기결정질실리콘층상에상기결정질실리콘층과절연되도록배치된게이트전극; 및상기결정질실리콘층과각각전기적으로연결된소스전극및 드레인전극;을포함하며, 상기기판과상기경사면이이루는각도는약 17.5도이상약 70도미만인반도체소자를개시한다.
摘要翻译：本发明涉及半导体器件，半导体器件的制造方法以及显示装置。根据本发明的一个实施例，半导体器件包括：缓冲层，其设置在基板上并且在其上表面上包括倾斜平面; 设置在缓冲层上的晶体硅层; 设置成与晶体硅层上的晶体硅层绝缘的栅电极; 以及分别与晶体硅层电连接的源电极和漏电极。基板和倾斜平面形成大于或等于约17.5度至小于约70度的角度，由此增加激光的结晶效率并且在激光退火期间引起晶粒的水平生长。

6. 发明公开

KR1020130018014A 박막 트랜지스터 결정화 방법, 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管，薄膜晶体管阵列的结晶方法和薄膜晶体管阵列的制造方法
公开(公告)号：KR1020130018014A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：KR1020110080820
申请日：2011-08-12
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김주한 , 정화동 , 임완순 , 임지훈 , 염주석 , 임태경 , 이재학 , 권혁순 , 이형철 , 박정주 , 권세명 , 구소영
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/324 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78663 , H01L27/1222 , H01L27/1285 , H01L21/02667 , H01L21/02678
摘要： PURPOSE: A method for crystallizing a thin film transistor, a thin film transistor display plate, and a manufacturing method thereof are provided to form uniformly crystallized silicon by locally crystallizing a part corresponding to a channel region using a microlens array. CONSTITUTION: A gate line(121) including a gate electrode(124) is formed on a substrate. A gate insulation layer to cover the gate line is formed. A semiconductor layer(151) is formed on the gate insulation layer. A data line(171), a source electrode(173), and a drain electrode(175) are formed on the semiconductor layer. A protection layer is formed on the source electrode and the drain electrode.
摘要翻译：目的：提供一种使薄膜晶体管，薄膜晶体管显示板及其制造方法结晶的方法，通过使用微透镜阵列局部地结晶与沟道区相对应的部分来形成均匀结晶的硅。构成：在基板上形成包括栅电极（124）的栅极线（121）。形成覆盖栅极线的栅极绝缘层。在栅绝缘层上形成半导体层（151）。在半导体层上形成数据线（171），源电极（173）和漏电极（175）。在源电极和漏电极上形成保护层。

7. 发明授权

KR101884890B1 박막 트랜지스터 결정화 방법, 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101884890B1
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：KR1020110080820
申请日：2011-08-12
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김주한 , 정화동 , 임완순 , 임지훈 , 염주석 , 임태경 , 이재학 , 권혁순 , 이형철 , 박정주 , 권세명 , 구소영
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/324 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78663 , H01L27/1222 , H01L27/1285
摘要： 박막트랜지스터표시판제조방법을제공한다. 본발명의한 실시예에따른박막트랜지스터표시판제조방법은기판위에게이트전극을포함하는게이트선을형성하는단계, 상기게이트선을덮는게이트절연막을형성하는단계, 상기게이트절연막위에반도체층을형성하는단계, 상기반도체층을결정화하는단계, 상기반도체층위에상기게이트선과교차하는데이터선, 상기데이터선과연결되어있는소스전극및 상기소스전극과마주보는드레인전극을형성하는단계그리고상기소스전극및 상기드레인전극위에보호막을형성하는단계를포함하고, 상기반도체층을결정화하는단계는마이크로렌즈어레이를사용하여박막트랜지스터의채널영역에대응하는부분을국부적으로결정화한다.

8. 发明公开

KR1020170015592A 블라인드형 표시 장치 审中-实审
标题翻译： BLIND显示设备
公开(公告)号：KR1020170015592A
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：KR1020150107109
申请日：2015-07-29
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 이종찬 , 구소영 , 차명근 , 강윤호 , 김명화 , 정웅희
IPC分类号： G09F11/06 , G09F11/10 , G09F9/302 , G06K19/07
CPC分类号： G06F3/1446 , G09G3/20 , G09G2300/026 , G09G2310/0232 , G09G2320/0233
摘要： 블라인드형표시장치는제1 방향으로순차적으로위치하는평면표시영역, 곡면표시영역및 베젤영역으로각각구분되고, 제1 방향으로배열되는복수의곡면표시패널들, 곡면표시패널들의상단부및 하단부를지지하고, 곡면표시패널들의수평방향이동을가이드하는지지부재및 곡면표시패널들각각과지지부재를연결하고, 곡면표시패널들각각을좌우방향으로회전시키는회전축부재를포함한다.
摘要翻译：盲目显示装置包括多个弯曲显示面板，支撑件和多个旋转器。每个弯曲显示面板包括在平坦显示区域和边框区域之间的弯曲显示区域。支架引导弯曲显示面板的运动。旋转体将对应的弯曲显示面板耦合到支撑件并旋转相应的弯曲显示面板。

9. 发明公开

KR1020160006871A 박막 트랜지스터 제조방법 및 박막 트랜지스터를 포함하는 표시기판 제조방법 审中-实审
标题翻译：制造薄膜晶体管的方法和制造具有薄膜晶体管的显示基板的方法
公开(公告)号：KR1020160006871A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：KR1020140086195
申请日：2014-07-09
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 구소영 , 김명화 , 박상호 , 임준형 , 카노,마사타카
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/335 , H01L21/205 , H01L21/324
CPC分类号： H01L27/1262 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02664 , H01L21/477 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/78693 , H01L2227/323 , H01L29/7869
摘要： 본발명의일 실시예에따른박막트랜지스터제조방법은, 베이스기판상에산화물반도체층을형성하는단계, 상기산화물반도체층내의결함(defect)이감소되도록질소가스또는질소산화물가스로부터생성된플라즈마를이용하여상기산화물반도체층을플라즈마처리하는단계, 및상기플라즈마처리된산화물반도체층으로부터채널층이형성되도록상기플라즈마처리된산화물반도체층을어닐링하는단계를포함한다.
摘要翻译：根据本发明实施例的制造薄膜晶体管的方法包括在基底基板上形成氧化物半导体层的步骤，通过使用由氮气产生的等离子体对氧化物半导体层进行等离子体处理的步骤氮氧化物气体，以减少氧化物半导体层中的缺陷;以及退火等离子体处理的氧化物半导体层以从等离子体处理的氧化物半导体层形成沟道层的步骤。

10. 发明公开

KR1020150053994A 박막 트랜지스터 有权
标题翻译：薄膜晶体管
公开(公告)号：KR1020150053994A
公开(公告)日：2015-05-19
申请号：KR1020157009414
申请日：2013-10-15
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 , 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 다오히로아키 , 마에다다케아키 , 미키아야 , 구기미야도시히로 , 안병두 , 구소영 , 김건희
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/205
CPC分类号： H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L29/78693
摘要： 본발명의과제는산화물반도체층과보호막의계면에형성되는돌기의형태가적절하게제어되어, 안정된특성을발휘하는박막트랜지스터를제공하는것이다. 해당박막트랜지스터는금속원소로서 In, Zn 및 Sn을적어도포함하는산화물로이루어지는산화물반도체층과, 해당산화물반도체층과직접접촉하는보호막을갖고, 상기산화물반도체층의, 상기보호막과직접접촉하는면에형성되는돌기의최대높이가 5㎚미만인점에특징을갖는다.
摘要翻译：本发明的一个目的是在其中在氧化物半导体层和所述保护层之间的界面处形成被适当地控制的凸起的形式，以提供薄膜晶体管表现出稳定的特性。薄膜晶体管是具有在与氧化物半导体层，包含In，Zn和Sn的至少一种氧化物构成的氧化物半导体层直接接触的保护膜的表面上的金属元件，在与氧化物半导体层的保护膜直接接触并且形成的突起的最大高度小于5nm。

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