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1. 发明公开

KR1020090122544A 수직 자화 터널 접합을 이용한 고용량 엠램 失效
标题翻译：高性能MRAM使用PERPENDICULAR MAGNETIC TUNNEL JUNCTION
公开(公告)号：KR1020090122544A
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：KR1020080048417
申请日：2008-05-26
申请人： 부산대학교 산학협력단
发明人： 원혁 , 한재만 , 박관수
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C5/02 , G11C7/18 , G11C8/14 , G11C11/15 , H01L43/08
摘要： PURPOSE: A high-capacity MRAM using perpendicular magnetization tunnel junction is provided to generate a strong recording field by applying a first pole and a second pole of high magnetic permeability. CONSTITUTION: Currents for recording and reading of data are applied to a current line(20). A free magnetic layer(30) is used to keep a magnetization state. A fixed magnetic layer(40) maintains magnetization without the influence of a magnetic field in a fixed direction. A perpendicular magnetic tunnel junction part(50) determines conduction of predetermined currents according to a direction of a mutual magnetic field between the free magnetic layer and the fixed magnetic layer. A memory cell is arranged in the same central axis on both sides of the free magnetic layer. The memory cell is made of magnetic material. A first pole(60) and a second pole concentrate a magnetic field generated by the currents applied to the current line. The free magnetic layer is magnetized in a first or second pole direction by the magnetic field.
摘要翻译：目的：提供使用垂直磁化隧道结的高容量MRAM，以通过施加高磁导率的第一极和第二极来产生强的记录场。规定：用于记录和读取数据的电流应用于当前行（20）。使用自由磁性层（30）来保持磁化状态。固定磁性层（40）在不受固定方向的磁场影响的情况下保持磁化。垂直磁性隧道结部分（50）根据自由磁性层和固定磁性层之间的相互磁场的方向确定预定电流的导通。存储单元布置在自由磁性层的两侧上的相同的中心轴上。存储单元由磁性材料制成。第一极（60）和第二极集中了由施加到电流线的电流产生的磁场。自由磁性层通过磁场在第一或第二极方向上被磁化。

2. 发明授权

KR100952919B1 수직 자화 터널 접합을 이용한 고용량 엠램 失效
标题翻译：高性能MRAM使用PERPENDICULAR MAGNETIC TUNNEL JUNCTION
公开(公告)号：KR100952919B1
公开(公告)日：2010-04-16
申请号：KR1020080048417
申请日：2008-05-26
申请人： 부산대학교 산학협력단
发明人： 원혁 , 한재만 , 박관수
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675
摘要： 본 발명은 자기 효율이 좋지 못하여 셀의 크기를 축소시키는데 한계를 갖는 엠램의 문제점을 수직 자화 터널 접합(pMTJ)을 적용한 메모리 셀을 갖도록 개선하여 비교적 낮은 전류로 큰 기록 필드를 발생시킬 수 있도록 하므로써 셀의 크기를 줄일 수 있어 고용량을 구현시킬 수 있는 수직 자화 터널 접합을 이용한 고용량 엠램을 제공한다. 이와 같은 엠램의 메모리 셀은 동일한 중심축상으로 배치되고, 자성체로 이루어져 전류라인(20)에 흐르는 전류에 의해 발생되는 자기장을 집중시키기 위한 제 1 폴(60) 및 제 2 폴(70)을 구비한다. 그리고, 고정 자기층(40), 수직 자화 터널 접합부(50), 제 1 폴(60), 자유 자기층(30) 및 제 2 폴(70)이 순차적으로 연이어 배치되고, 전류라인(20)이 제 1 폴(60)과 제 2 폴(70)의 측방향에 서로 엇갈리도록 배치되므로써, 자유 자기층(30)이 제 1 폴(60)과 제 2 폴(70)에 집중되는 자기장에 의해 제 1 폴(60) 또는 제 2 폴(70) 방향으로 자화되도록 한다.

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