专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR102208578B1 인-챔버 및 챔버-투-챔버 매칭을 위한 다중 매개 변수를 갖는 에칭 레이트 모델링 및 그 사용 有权
公开(公告)号：KR102208578B1
公开(公告)日：2021-01-27
申请号：KR1020140096071
申请日：2014-07-28
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 발코어주니어존씨. , 싱하미트 , 포볼니헨리
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
摘要： 제 1 플라즈마시스템의 RF 발생기의출력에서측정된전압및 전류를수신하는단계, 상기전압및 상기전류및 상기전력에기초하여제 1 모델에칭레이트를계산하는단계를포함하는방법이제공된다. 상기방법은제 2 플라즈마시스템의상기 RF 발생기의출력에서측정된전압및 전류를수신하는단계, 상기제 2 플라즈마시스템의 RF 발생기의상기출력에서의상기전압및 전류에기초하여제 2 모델에칭레이트를결정하는단계를더 포함한다. 상기방법은상기제 2 모델에칭레이트가상기제 1 모델에칭레이트와매칭하지않는다는결정시상기제 1 플라즈마시스템에연관된상기제 1 모델에칭레이트를달성하기위해상기제 2 플라즈마시스템의상기 RF 발생기의상기출력에서전력을조절하는단계를포함한다. 상기방법은프로세서에의해수행된다.

2. 发明公开

KR1020140113610A 플라즈마 노출된 표면을 가열하기 위한 시스템 및 방법 审中-实审
标题翻译：用于加热等离子体暴露表面的系统和方法
公开(公告)号：KR1020140113610A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：KR1020140031308
申请日：2014-03-17
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 포볼니헨리 , 딘드사라진더
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/324 , H01L21/683
CPC分类号： H01J37/32715 , C23C16/4586 , C23C16/46 , G02B6/4296 , H01J37/32733 , H01J37/32935
摘要： A substrate support device for a plasma processing system includes a dielectric material layer having a top surface and a bottom surface. The substrate is defined to be supported in order to expose the top surface of the dielectric material to plasma. The device includes optical fibers each of which has a first end part and a second end part. Each first end part of the optical fibers is defined to receive photons from a photon source. The second end part is aligned to allow the photons received from the photon source to be put onto the bottom surface of the dielectric material.
摘要翻译：用于等离子体处理系统的衬底支撑装置包括具有顶表面和底表面的电介质材料层。衬底被限定为被支撑以便将电介质材料的顶表面暴露于等离子体。该装置包括各自具有第一端部和第二端部的光纤。光纤的每个第一端部被定义为从光子源接收光子。第二端部对齐以允许从光子源接收的光子被放置在电介质材料的底表面上。

3. 发明公开

KR1020140142177A 온도 제어형 기판 지지 어셈블리 审中-实审
标题翻译：温度控制基板支撑总成
公开(公告)号：KR1020140142177A
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：KR1020140067723
申请日：2014-06-03
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 리치앤서니 , 포볼니헨리
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01J37/32724 , C23C16/4586 , C23C16/46 , C23C16/463 , F25B21/04 , F25B2321/0212 , F25B2321/0252 , H01J37/32715 , H01J2237/334 , H01L21/67109 , Y10T29/49117
摘要： 반도체 프로세싱 장치의 진공 챔버에서 기판을 프로세싱하기 위한 온도 제어형 기판 지지 어셈블리 (temperature controlled substrate support assembly) 가 개시된다. 온도 제어형 기판 지지 어셈블리는 기판을 지지하기 위한 상단 플레이트를 포함한다. 베이스 플레이트가 상단 플레이트 아래에 배치되며, 베이스 플레이트는 베이스 플레이트의 상부 표면 내에 캐비티 (cavity) 를 포함한다. 커버 플레이트가 상단 플레이트와 베이스 플레이트 간에 배치된다. 적어도 하나의 열전 모듈 (thermoeletric module) 이 베이스 플레이트의 상부 표면 내의 캐비티 내에 있으며, 적어도 하나의 열전 모듈 (thermoeletric module) 은 상단 플레이트와 베이스 플레이트와 열적 접촉하며 적어도 하나의 열전 모듈 (thermoeletric module) 은 대기 압력으로 유지된다.
摘要翻译：公开了一种用于半导体处理装置的真空室中的基板处理的温度控制的基板支撑组件。温度控制的基板支撑组件包括用于支撑基板的上板。基板设置在上板的下方，基板在基板的上表面具有空腔。盖板设置在上板和底板之间。一个或多个热电模块位于基板的上表面中的空腔中。一个或多个热电模块与上板和底板热接触。一个或多个热电模块保持在大气压。

4. 发明授权

KR102219650B1 플라즈마 노출된 표면을 가열하기 위한 시스템 및 방법 有权
公开(公告)号：KR102219650B1
公开(公告)日：2021-02-24
申请号：KR1020140031308
申请日：2014-03-17
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 포볼니헨리 , 딘드사라진더
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/324 , H01L21/683
摘要： 플라즈마프로세싱시스템용의기판지지장치가상단표면 (top surface) 및하단표면 (bottom surface) 을갖는유전체재료층을포함한다. 유전체재료층의상기상단표면이플라즈마에노출되게기판을지지하도록규정된다. 이장치는각각이제 1 단부및 제 2 단부를갖는다수의광섬유들을포함한다. 다수의광섬유들각각의상기제 1 단부는광자소스로부터광자들을수광하도록규정된다. 상기제 2 단부는상기광자소스로부터수광된광자들을상기유전체재료층의하단표면상에투사시키도록배향된다.

5. 发明公开

KR1020150013094A 인-챔버 및 챔버-투-챔버 매칭을 위한 에칭 레이트 모델링 및 다중 매개 변수를 갖는 그 사용 审中-实审
标题翻译：蚀刻速率建模及其与室内和室对棚匹配的多个参数的使用
公开(公告)号：KR1020150013094A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：KR1020140096071
申请日：2014-07-28
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 발코어주니어존씨. , 싱하미트 , 포볼니헨리
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32926 , G05B19/418 , H01J37/32183 , H01J37/32935 , H01J37/3299
摘要： 제 1 플라즈마 시스템의 RF 발생기의 출력에서 측정된 전압 및 전류를 전송받는 단계, 상기 전압 및 상기 전류 및 상기 전력에 기초하여 제 1 모델 에칭 레이트를 계산하는 단계를 포함하는 방법. 상기 방법은 제 2 플라즈마 시스템의 상기 RF 발생기의 출력에서 측정된 전압 및 전류를 수신하는 단계, 상기 제 2 플라즈마 시스템의 상기 출력의 상기 전압 및 전류에 기초하여 제 2 모델 에칭 레이트를 결정하는 단계를 더 포함하는 방법. 상기 방법은 상기 제 2 모델 에칭 레이트가 상기 제 1 모델 에칭 레이트와 매칭하지 않는다는 결정시 상기 제 1 플라즈마 시스템에 연관된 상기 제 1 모델 에칭 레이트를 달성하기 위해 상기 제 2 플라즈마 시스템의 상기 RF 발생기의 상기 출력에서 전력을 조절하는 단계를 포함하는 방법. 상기 방법은 프로세서에 의해 수행된다.
摘要翻译：用于执行腔室到腔室匹配的方法包括以下步骤：接收在第一等离子体系统的RF发生器的输出处测量的电压和电流; 以及基于电压和电流计算第一模型蚀刻速率和功率。该方法还包括以下步骤：接收在第二等离子体系统的RF发生器的输出处测量的电压和电流; 以及基于所述第二等离子体系统的RF发生器的输出处的电压和电流来确定第二模型蚀刻速率。该方法包括在确定第二模型蚀刻速率与第一模型蚀刻速率不匹配时，调整第二等离子体系统的RF发生器的输出端的功率以实现与第一等离子体系统相关联的第一模型蚀刻速率。该方法由处理器执行。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式