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1. 发明公开

KR1020070069290A 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 失效
标题翻译：在半导体中制造金属线的方法
公开(公告)号：KR1020070069290A
公开(公告)日：2007-07-03
申请号：KR1020050131232
申请日：2005-12-28
申请人： 동부일렉트로닉스 주식회사
发明人： 이완기
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L21/32135 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/32139
摘要： A method for forming a metal line of a semiconductor device is provided to secure reliability of a metal line process and to improve the yield of semiconductor devices by preventing the generation of notch at a lower portion of the metal line using multi-step metal etching processes under polymer generating gas conditions. An insulating layer(202) and a metal film are formed on a semiconductor substrate(200). A photoresist pattern is formed on the metal film. The metal film is gradually etched by performing multi-step etching processes using the photoresist pattern as an etch mask, so that a metal line(208) is completed. The multi-step etching processes include an over etch process. Two out of the multi-step etching processes are performed under polymer generating gas conditions. The polymer generating gas is made of a mixture of CHF3, N2 and CF4.
摘要翻译：提供一种用于形成半导体器件的金属线的方法，以确保金属线工艺的可靠性，并且通过使用多步金属蚀刻工艺防止在金属线的下部产生凹口而提高半导体器件的成品率在聚合物产生气体条件下。在半导体衬底（200）上形成绝缘层（202）和金属膜。在金属膜上形成光刻胶图形。通过使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模进行多步蚀刻工艺来逐渐蚀刻金属膜，从而完成金属线（208）。多步蚀刻工艺包括过蚀刻工艺。多步骤蚀刻工艺中的两个在聚合物产生气体条件下进行。聚合物产生气体由CHF 3，N 2和CF 4的混合物制成。

2. 发明授权

KR100604535B1 금속 피팅 개선 방법 失效
标题翻译：改善金属点蚀的方法
公开(公告)号：KR100604535B1
公开(公告)日：2006-07-24
申请号：KR1020040118376
申请日：2004-12-31
申请人： 동부일렉트로닉스 주식회사
发明人： 이완기
IPC分类号： H01L21/302
摘要： 본 발명은 금속 피팅(pitting, 구멍) 개선 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 반도체 소자의 금속 식각 공정 진행후 금속 측면이 식각액(etchant)에 의해 공격을 받아서 미세한 구멍들이 존재하는 피팅 현상이 발생하는 바, 금속 식각 처방에 대하여 강하게 적응하는 금속 피팅 개선 방법에 관한 것이다.
본 발명의 금속 피팅 개선 방법은 금속 주식각 공정을 식각종말점까지 진행한 후 곧바로 과식각(over etch)를 진행하지 않고 상기 메인 식각 공정과 동일한 조건으로 고밀도 지역을 식각한 후 과식각을 진행함으로써, 금속 측면의 피팅 등의 손상을 최소화하고, 후속 공정으로 진행되는 층간 절연막 형성 공정과 연관되어 발생할 수 있는 금속 보이드를 방지할 수 있다.
금속, 피팅, 주식각, 과식각.

3. 发明公开

KR1020060077894A 금속 피팅 개선 방법 失效
标题翻译：改善金属压痕的方法
公开(公告)号：KR1020060077894A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：KR1020040118376
申请日：2004-12-31
申请人： 동부일렉트로닉스 주식회사
发明人： 이완기
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： H01L21/32134
摘要： 본 발명은 금속 피팅(pitting, 구멍) 개선 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 반도체 소자의 금속 식각 공정 진행후 금속 측면이 식각액(etchant)에 의해 공격을 받아서 미세한 구멍들이 존재하는 피팅 현상이 발생하는 바, 금속 식각 처방에 대하여 강하게 적응하는 금속 피팅 개선 방법에 관한 것이다.
본 발명의 금속 피팅 개선 방법은 금속 주식각 공정을 식각종말점까지 진행한 후 곧바로 과식각(over etch)를 진행하지 않고 상기 메인 식각 공정과 동일한 조건으로 고밀도 지역을 식각한 후 과식각을 진행함으로써, 금속 측면의 피팅 등의 손상을 최소화하고, 후속 공정으로 진행되는 층간 절연막 형성 공정과 연관되어 발생할 수 있는 금속 보이드를 방지할 수 있다.
금속, 피팅, 주식각, 과식각.

4. 发明授权

KR100561517B1 반도체 소자의 제조 방법 失效
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR100561517B1
公开(公告)日：2006-03-16
申请号：KR1020030101654
申请日：2003-12-31
申请人： 동부일렉트로닉스 주식회사
发明人： 이완기
IPC分类号： H01L21/31
摘要： 본 발명은 반도체 소자의 제조 방법을 개시한다. 이에 의하면, 반도체 기판 상에 알루미늄층의 금속 배선을 형성하고, 상기 금속 배선을 세정액에 의해 세정하고, 상기 금속 배선을 포함하여 상기 반도체 기판 상에 SiON막과 같은 보호막을 적층하고, 상기 SiON막 상에 층간 절연막을 적층한다.
따라서, 본 발명은 상기 금속 배선을 SiON막으로 보호함으로써 상기 금속 배선의 부식이나 스트레스를 억제시킬 수가 있으므로 상기 금속 배선을 열처리시키더라도 상기 금속 배선의 패턴을 형성하기 위한 건식 식각공정에서 발생한 플라즈마 식각 손상과 스트레스를 최소화시킴과 상기 금속 배선 내에 보이드가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
따라서, 상기 금속 배선의 신뢰성을 향상시키고 나아가 반도체 소자의 신뢰성을 향상시킬 수가 있다.
알루미늄층, 금속 배선, SiON막, 부식, 보이드
摘要翻译：本发明公开了一种制造半导体器件的方法。根据该结构，在半导体衬底和形成的铝层的金属布线，以及所述金属线是由清洗液清洗，包括金属布线和层叠的保护膜，例如在半导体基板上的SiON膜和SiON膜在沉积层间绝缘膜。

5. 发明授权

KR100458591B1 반도체 소자의 폴리머 제거방법 失效
标题翻译： 반도체소자의폴리머제거방법
公开(公告)号：KR100458591B1
公开(公告)日：2004-12-03
申请号：KR1020020021611
申请日：2002-04-19
申请人： 동부일렉트로닉스 주식회사
发明人： 이완기
IPC分类号： H01L21/304
摘要： PURPOSE: A method for removing a polymer of a semiconductor device is provided to be capable of securing the process reliability related to formation of a metal line. CONSTITUTION: After depositing a metal layer on a substrate, a photoresist pattern made of photoresist is formed on the metal layer(21). A metal line is formed by selectively etching the metal layer using the photoresist pattern as a mask(31). A strip process is carried out at the resultant structure by using CxHy based gas, water, and oxygen gas for removing the residues generated at the upper portion of the metal line(41). A solvent cleaning process is carried out at the resultant structure for removing the polymer generated at the sidewall of the metal line(51). Preferably, the strip process is carried out by using the plasma transformed from the mixed gas of the CxHy based gas, the water, and the oxygen gas.
摘要翻译：目的：提供一种用于除去半导体器件的聚合物的方法，以能够确保与形成金属线相关的工艺可靠性。构成：在基板上沉积金属层之后，在金属层（21）上形成由光致抗蚀剂构成的光致抗蚀剂图案。通过使用光致抗蚀剂图案作为掩模选择性地蚀刻金属层来形成金属线（31）。通过使用基于CxHy的气体，水和氧气来去除在金属线（41）的上部产生的残留物，在所得结构处进行剥离工艺。在得到的结构上进行溶剂清洗工艺，以除去在金属线（51）的侧壁处产生的聚合物。优选地，通过使用从CxHy基气体，水和氧气的混合气体转化的等离子体来进行带材处理。

6. 发明公开

KR1020070049424A 반도체소자의 제조방법 失效
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020070049424A
公开(公告)日：2007-05-11
申请号：KR1020050106563
申请日：2005-11-08
申请人： 동부일렉트로닉스 주식회사
发明人： 이완기
IPC分类号： H01L27/06
CPC分类号： H01L21/8249
摘要： 본 발명은 바이-씨모스 트랜지스터를 제조하는 공정에서, 실리콘 웨이퍼의 배면을 보호하는 DUF 질화막 형성시에 블록 디펙트를 유발하는 파티클 소오스가 형성되는 것을 방지하기에 알맞은 반도체소자의 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이와 같은 목적을 달성하기 위한 반도체소자의 제조방법은 바이폴라 트랜지스터와 씨모스 트랜지스터를 구비한 Bi-CMOS 소자를 제조하는 반도체소자의 제조방법에 있어서, 실리콘 기판의 상면, 옆면 및 배면에 적어도 500Å 이상의 두께를 갖도록 산화막을 형성하는 제1단계; 상기 산화막 상에 질화막을 증착하는 제2단계; 상기 실리콘 기판의 상면 및 옆면의 질화막을 블랭캣(Blanket) 식각하여 상기 실리콘 기판의 배면에만 남도록하는 제3단계; 상기 실리콘 기판의 일영역에 DUF(Diffusion Under Film) 영역을 형성하는 제4단계를 포함함을 특징으로 한다.
Bi-CMOS, DUF, 산화막, 질화막, 블록, 디펙트
摘要翻译：本发明提供一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件适合于防止在制造铋 - mos晶体管的过程中在形成用于保护硅晶片的背表面的DUF氮化物膜期间形成导致块缺陷的粒子源。一种制造用于制造包括双极晶体管和CMOS晶体管的Bi-CMOS器件的半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：形成厚度为500或更大的氧化物膜的第一步骤; 在氧化物膜上沉积氮化物膜的第二步骤; 第三步，在硅衬底的顶面和侧面上全面蚀刻氮化物膜，以便仅保留在硅衬底的背面上; 以及在硅衬底的一个区域中形成DUF（扩散底膜）区域的第四步骤。

7. 发明授权

KR100688710B1 반사 방지막 식각 방법 失效
标题翻译：蚀刻抗反射涂层的方法
公开(公告)号：KR100688710B1
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：KR1020020061421
申请日：2002-10-09
申请人： 동부일렉트로닉스 주식회사
发明人： 이완기
IPC分类号： H01L21/302
摘要： 0.01㎛ 이하의 CD를 갖는 금속 배선을 형성할 수 있고, 기판의 에치 부분이나 다른 국소적인 부분에서 발생되는 마이크로 브리지 현상을 막을 수 있는 본 발명에 따른 반사 방지막 식각 방법은 반도체 기판의 상부에 금속막 및 반사 방지막을 적층하여 형성하는 단계와, 반사 방지막의 상부에 금속 배선을 정의하는 DUV 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, Cl2 가스를 포함한 식각가스를 이용하여 상기 반사 방지막 및 금속막을 동일한 챔버에서 인시튜 식각하는 단계를 포함한다.

8. 发明公开

KR1020060078923A 매스 플로우 미터 失效
标题翻译：质量流量计
公开(公告)号：KR1020060078923A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：KR1020040117517
申请日：2004-12-30
申请人： 동부일렉트로닉스 주식회사
发明人： 이완기
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/67242 , H01J37/32412 , H01L21/02315
摘要： 본 발명에 따른 매스 플로우 미터는, 이온 게이지가 장착된 플라즈마 챔버 내에 주입되는 가스의 유량과 압력을 조절하는 매스 플로우 미터에 있어서, 가스의 압력 수치를 확인할 수 있는 압력계와; 이온 게이지에서 확인된 가스의 압력 수치 및 압력계에서 확인된 가스의 압력 수치를 수신한 후, 그 압력 수치를 비교하는 컨트롤 보드를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서 컨트롤 보드는, 이온 게이지에서 확인한 가스의 압력 수치를 수신하는 이온 게이지 수신부와; 압력계에서 확인한 가스의 압력 수치를 수신하는 압력계 수신부와; 이온 게이지 수신부에 수신된 가스의 압력 수치와 압력계 수신부에 수신된 가스의 압력 수치를 비교하는 연산부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다. 그리고 플라즈마 챔버 내에 주입되는 가스는 He 가스인 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, He 가스에 대한 MFM의 영점을 주기적으로 확인할 수 있으므로, 영점이 틀어져서 발생하는 공정상의 쉬프트(shift)를 미연에 방지할 수 있다.
MFM, MFC, 영점

9. 发明授权

KR100562320B1 금속층 식각 시 실리콘 산화물 계열의 반사 방지층을식각하는 방법 失效
标题翻译：在蚀刻金属层中蚀刻氧化硅族抗反射涂层的方法
公开(公告)号：KR100562320B1
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：KR1020030101867
申请日：2003-12-31
申请人： 동부일렉트로닉스 주식회사
发明人： 이완기
IPC分类号： H01L21/306
摘要： 금속층 식각 시 실리콘 산화물 계열의 반사 방지층을 식각하는 방법을 제시한다. 본 발명의 일 관점에 따르면, 하부층 상에 금속층 및 실리콘 산화물 계열의 반사 방지층, 포토레지스트 패턴이 형성된 반도체 기판을 금속 식각 장비의 식각 챔버에 장착하고, 포토레지스트 패턴에 의해 노출되는 반사 방지층 부분을 불화 탄소 계열의 가스, 예컨대, CHF
3 , 염소 가스 및 아르곤 가스를 포함하는 반응 가스를 공급하되 아르곤 가스의 양이 반응 가스 전체 양에 대해 60% 이하인 반응 가스를 공급하여 식각한다. 금속층을 인 시튜(in-situ)로 순차적으로 식각한다.
금속 식각, 반사 방지층, 부산물, 폴리머

10. 发明公开

KR1020050069620A 금속층 식각 시 실리콘 산화물 계열의 반사 방지층을식각하는 방법 失效
标题翻译：蚀刻金属层中氧化硅家族抗反射涂层的方法
公开(公告)号：KR1020050069620A
公开(公告)日：2005-07-05
申请号：KR1020030101867
申请日：2003-12-31
申请人： 동부일렉트로닉스 주식회사
发明人： 이완기
IPC分类号： H01L21/306
摘要： 금속층 식각 시 실리콘 산화물 계열의 반사 방지층을 식각하는 방법을 제시한다. 본 발명의 일 관점에 따르면, 하부층 상에 금속층 및 실리콘 산화물 계열의 반사 방지층, 포토레지스트 패턴이 형성된 반도체 기판을 금속 식각 장비의 식각 챔버에 장착하고, 포토레지스트 패턴에 의해 노출되는 반사 방지층 부분을 불화 탄소 계열의 가스, 예컨대, CHF
3 , 염소 가스 및 아르곤 가스를 포함하는 반응 가스를 공급하되 아르곤 가스의 양이 반응 가스 전체 양에 대해 60% 이하인 반응 가스를 공급하여 식각한다. 금속층을 인 시튜(in-situ)로 순차적으로 식각한다.

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