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1. 发明授权

KR102000363B1 플라즈마 처리 장치 및 샤워 헤드 有权
公开(公告)号：KR102000363B1
公开(公告)日：2019-07-15
申请号：KR1020170159496
申请日：2017-11-27
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 사사키가즈오 , 후지이유키
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/67

2. 发明公开

KR1020170113391A 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 审中-实审
标题翻译：等离子处理装置和等离子处理方法
公开(公告)号：KR1020170113391A
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：KR1020170040565
申请日：2017-03-30
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 도조도시히로 , 후지이유키
IPC分类号： H01J37/32
摘要： (과제) 바이어스용전력을펄스변조하는경우에도, 아크방전발생의개연성, 또는실제로아크방전이발생한것을검지할수 있는플라즈마처리장치및 플라즈마처리방법을제공한다. (해결수단) 기판 G에대하여소정의플라즈마처리를실시하는플라즈마처리장치(1)는, 기판 G를수용하는처리용기(2)와, 처리용기(2) 내에처리가스를공급하는가스공급부(28)와, 처리용기(2) 내에배치된전극(3)과, 전극(3)에, 펄스변조된고주파전력을공급하는고주파전원부(53)와, 처리용기(2)로부터고주파전원부(53)로향해돌아오는반사파전력을소정주기로측정하는반사파전력측정부(54)와, 반사파전력측정부(54)에서측정한반사파전력이소정의조건이되었을때에, 처리용기(2) 내에서아크방전이발생할개연성이있다고, 또는실제로아크방전이발생했다고판정하는판정부(121)를구비하고, 펄스변조된고주파전력의펄스주기와, 반사파전력측정부(54)에있어서의측정주기가상이하다.
摘要翻译： [问题]即使脉冲调制的偏置功率，并且提供的概率，或实际上其可检测电弧放电的发生的电弧放电等离子体处理装置和等离子体处理方法发生。用于在基板G上进行规定的等离子体处理的等离子体处理装置1具备：收容基板G的处理容器2;向处理容器2内供给处理气体的气体供给部28 ）并且，作为电极3和电极3从处理容器（2高频电源部53和高频电源部53），用于供给设置于处理容器内的脉冲调制高频功率（2）的时间和返回的反射波电力的反射波功率测量单元54用于测量预定时间段向到来，当在反射波功率测量部54所测量的反射波电力yisojeong的条件下，电弧放电处理容器发生（2）反射波功率测量单元54中的脉冲调制高频功率的脉冲周期和测量周期是虚拟的。

3. 发明授权

KR101814230B1 종점 검출 방법, 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 및 기판 처리 장치 有权
标题翻译：终点检测方法，其上记录有程序的计算机可读记录介质以及衬底处理设备
公开(公告)号：KR101814230B1
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：KR1020130075127
申请日：2013-06-28
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 감베다카후미 , 후지이유키
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/67
摘要： 본발명은기판의표면에형성되는형상이변화하여도, 형상형성처리의종점을확실히검출할수 있는종점검출방법을제공한다. 피처리영역 A에서형성되는특정형상의형성완료시와, 강도의시간변화가특이적으로변화하는특이점의출현타이밍이일치하는파장의광을모니터광으로서선정하고, 기판 S에플라즈마를이용하여에칭처리를실시할때, 조사유닛(14)에의해서기판 S의표면의피처리영역 A를복수의파장을포함하는소정의파장대역을가지는조사광 L로조사하고, 수광유닛(15)에의해서수광하는반사광 R 중에서선정된모니터광의강도의시간변화를모니터하고, 모니터광의강도의시간변화가, 모니터광의강도변화프로파일에서의강도가특이적으로변화하는특이점에도달했는지여부를판정하고, 모니터광의강도의시간변화가특이점에도달했다고판정된경우, 피처리영역 A에서형성되는특정형상의형성이완료됐다고판단한다.
摘要翻译：本发明提供即使形成在基板表面上的形状改变也能够可靠地检测形状形成过程的终点的终点检测方法。和在目标区域A中形成的形成的特定形状的完成时，强度的时间变化和选择的光的波长的奇点，其在具体的匹配变化作为监视光，使用在基板S上的等离子体蚀刻工艺的外观定时在导通时，向照射部14，并检查目标区域中的基片S的表面的与照射光L具有包括多个波长，其中由光接收单元15接收它的预定波长频带监测在监测从反射光R所选择的光的强度的时间变化，和所监测的光强度的时间变化，显示器光的强度变化被确定轮廓eseoui强度是否达到改变的特定奇异点，和监测的光时的强度确定要在待处理的区域A中形成的特定形状的形成已经完成。

4. 发明授权

KR101902107B1 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 有权
公开(公告)号：KR101902107B1
公开(公告)日：2018-09-27
申请号：KR1020170040565
申请日：2017-03-30
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 도조도시히로 , 후지이유키
IPC分类号： H01J37/32
摘要： (과제) 바이어스용전력을펄스변조하는경우에도, 아크방전발생의개연성, 또는실제로아크방전이발생한것을검지할수 있는플라즈마처리장치및 플라즈마처리방법을제공한다. (해결수단) 기판 G에대하여소정의플라즈마처리를실시하는플라즈마처리장치(1)는, 기판 G를수용하는처리용기(2)와, 처리용기(2) 내에처리가스를공급하는가스공급부(28)와, 처리용기(2) 내에배치된전극(3)과, 전극(3)에, 펄스변조된고주파전력을공급하는고주파전원부(53)와, 처리용기(2)로부터고주파전원부(53)로향해돌아오는반사파전력을소정주기로측정하는반사파전력측정부(54)와, 반사파전력측정부(54)에서측정한반사파전력이소정의조건이되었을때에, 처리용기(2) 내에서아크방전이발생할개연성이있다고, 또는실제로아크방전이발생했다고판정하는판정부(121)를구비하고, 펄스변조된고주파전력의펄스주기와, 반사파전력측정부(54)에있어서의측정주기가상이하다.

5. 发明公开

KR1020140007266A 종점 검출 방법, 프로그램 및 기판 처리 장치 审中-实审
标题翻译：端点检测方法，程序和基板处理设备
公开(公告)号：KR1020140007266A
公开(公告)日：2014-01-17
申请号：KR1020130075127
申请日：2013-06-28
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 감베다카후미 , 후지이유키
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/67
CPC分类号： H01L22/26 , H01L21/67253
摘要： Provided is an endpoint detecting method capable of accurately detecting an endpoint of a shape formation process even when a shape formed on the surface of a substrate is changed. The light with a wavelength when the timing of the formation completion of a certain shape formed in a treated area A corresponds to the appearance timing of a certain point in which the time of intensity is unusually changed is set as monitor light. When etching treatment is performed on a substrate S using plasma, a radiating unit (14) radiates the treated area A of the surface of the substrate S with radiating light L having a certain wavelength range containing multiple wavelengths. The time change in the intensity of the monitor light set among reflected light R received by a light receiving unit (15) is monitored. It is determined whether the time change in the intensity of the monitor light approaches a certain point in which the intensity in an intensity change profile is unusually changed. If it is determined that the time change in the intensity of the monitor light approaches the certain point, it is determined that the formation of a certain shape formed in the treated area A is completed. [Reference numerals] (AA) Detecting an end point; (BB) No; (CC) Yes; (DD) End; (S41) Determining monitor light; (S42) Monitoring the intensity of the monitor light; (S43) Is it reached to a certain point?; (S44) Completing the formation of a certain shape
摘要翻译：提供一种能够即使形成在基板的表面上的形状发生变化也能够精确地检测形状形成处理的终点的端点检测方法。当处理区域A中形成的某一形状的形成完成的定时对应于强度异常改变的时间的某一点的出现时机被设置为监视光时，具有波长的光。当使用等离子体对基片S进行蚀刻处理时，辐射单元（14）利用具有多个波长的一定波长范围的辐射光L照射基片S的表面的处理区域A. 监视由光接收单元（15）接收的反射光R之间设置的监视光的强度的时间变化。确定监视光的强度的时间变化是否接近强度变化曲线中的强度异常改变的特定点。如果确定监视光的强度的时间变化接近特定点，则确定在处理区域A中形成的某一形状的形成完成。（附图标记）（AA）检测终点; （BB）否; （CC）是; （DD）结束; （S41）确定监控灯; （S42）监控监控灯的强度; （S43）到达某一点？（S44）形成一定形状

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