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1. 发明授权

KR101755768B1 플라즈마 처리 장치 有权
标题翻译：等离子处理设备
公开(公告)号：KR101755768B1
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：KR1020140129974
申请日：2014-09-29
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 도조도시히로 , 사사키가즈오 , 미나미마사토
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/3065
摘要： 플라즈마처리장치에있어서, 처리용기의관통개구부에서의국소적플라즈마의발생을방지한다. 처리용기의관통개구부의개구바닥면에는, 임피던스조정부재로서의절연부재(45)가설치되어있다. 절연부재(45)는비유전율이 10 이하, 바람직하게는 4 이하인재료에의해서구성되어있고, 절연부재(45)에의해서플라즈마로부터본 관통개구부의전기임피던스를, 본체용기(2A)의라이너(60)보다크게해서, 게이트개구부(41)에있어서의국소적플라즈마의발생을방지할수 있다. 절연부재(45) 위에는커버부재(47)를마련하고, 절연부재(45)의표면을덮음으로써, 절연부재(45)를플라즈마에의한손상으로부터보호할수 있다.
摘要翻译：在等离子体处理装置中，防止了在处理容器的通孔处产生局部等离子体。作为阻抗调整部件的绝缘部件（45）设置在处理容器的贯通孔的开口的底面上。绝缘构件45具有10或更小，优选为4或更低的衬垫（60的电阻抗的介电常数通孔从所述等离子体是由材料组成，它的绝缘部件45，体容器（2A）），可以防止在浇口41中产生局部等离子体。[0050] 由盖构件47在顶部45设置的绝缘构件，和覆盖所述绝缘性部件45的表面，可以通过绝缘构件45向等离子体被保护不受损坏。

2. 发明授权

KR101088289B1 탑재대, 처리 장치 및 처리 시스템 有权
标题翻译：装载台，加工装置和加工系统
公开(公告)号：KR101088289B1
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：KR1020080109315
申请日：2008-11-05
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 도조도시히로 , 사사키가즈오
IPC分类号： B65G49/06 , G02F1/13
摘要： 본 발명의 과제는 다수의 피처리체를 일괄 수수 가능하고, 또한 일괄 처리하는 것이 가능한 탑재대를 제공하는 것이다. 서셉터(105)에 마련된 수수 기구부(111)에는, 복수의 판형상의 가동 실드 부재(123)가 서로 간극을 두고 같은 방향으로 승강 가능하게 배열되어 있다. 가동 실드 부재(123)는, 반송 장치(25)의 포크(23)와 간섭하는 일 없이, 포크(23)보다도 높은 위치까지 상승한다. 그 도중에, 포크(23)에 탑재되어 있던 소편 기판(S)은 가동 실드 부재(123)에 일괄해서 수수된다.

3. 发明公开

KR1020090021097A 처리 장치 无效
标题翻译：加工设备
公开(公告)号：KR1020090021097A
公开(公告)日：2009-02-27
申请号：KR1020080082288
申请日：2008-08-22
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 도조도시히로 , 사사키가즈오
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/00
摘要： A processing unit is provided to suppress that a particle is adhered to a processed article by uniformalizing processing speed of the inside plane of the processed article. A carrying out gate(22) opened and closed with a shutter(23) is formed in an inner wall area(21) of a treatment container(20). A structure(5) for rectification surrounds a substrate region of a mounting board(3) of the substrate(S). A standing gas domain of process gas is formed around the substrate. The structure for rectification reduces the flux of the process gas in a peripheral part of the substrate. A bringing gate of the structure for rectification is composed of a tunnel member(51). The tunnel member partitions off a return route of the substrate between the bringing gate and the mounting region shift.
摘要翻译：提供处理单元，以通过使加工品的内侧面的加工速度均匀化来抑制颗粒附着在加工品上。在处理容器（20）的内壁区域（21）中形成有用挡板（23）打开和关闭的执行门（22）。用于整流的结构（5）围绕基板（S）的安装板（3）的基板区域。在衬底周围形成工艺气体的立式气体区域。整流结构降低了衬底的周边部分中工艺气体的通量。用于整流结构的闸门由隧道构件（51）组成。隧道构件在引导门和安装区域移位之间分隔基板的返回路径。

4. 发明授权

KR101829535B1 플라즈마 처리 장치, 플라즈마 처리 장치의 제어 방법 및 기억 매체 有权
标题翻译：等离子体处理装置，等离子体处理装置的控制方法以及存储介质
公开(公告)号：KR101829535B1
公开(公告)日：2018-02-14
申请号：KR1020160072202
申请日：2016-06-10
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 사토료 , 사사키요시히코 , 도조도시히로
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/46
摘要： (과제) 감각적또는경험적인처리조건의설정에의존하는일 없이창 부재의파손을회피하는것이가능한플라즈마처리장치를제공한다. (해결수단) 플라즈마처리장치(11)의제어장치(100)는, 기판 G에대한플라즈마처리의레시피의입력을받고, 받은레시피로플라즈마처리를실행했을때에처리공간 S와유도결합안테나(50)의사이에배치된창 부재(22)에포함되는유전체에파손이생기는지여부를, 그레시피로플라즈마처리를반복실행하여창 부재(22)의온도가평형상태가되었을때의창 부재(22)에설정된복수의온도예측점에서의예측도달온도의차이에근거하여판정하고, 창부재(22)에파손이생긴다고판정한경우에받은레시피를기억부(102)에등록하지않고, 창부재(22)에파손이생기지않는다고판정한경우에기억부(102)에레시피를등록하고, 기억부(102)에기억된레시피에따라서기판 G에대한플라즈마처리를실행한다.
摘要翻译：发明内容本发明的目的在于提供一种不依赖于感官或经验处理条件的设定而能够避免窗部件的破损的等离子体处理装置。等离子体处理装置11的控制装置100接收基板G的等离子体处理的配方，对接收到的配方进行等离子体处理，医生在时刻在窗口构件22设置是否包括在该窗口部件设置于此22发生电介质的损伤，反复由配方进行等离子体处理时，窗口构件22的温度是平衡在确定hangyeongwoo预期到达温度eseoui多个温度预测点，并灌注损伤到窗口构件22未在存储单元102登记之间的差的基础上确定的，接收到的食谱，损害到窗口构件22 根据存储在存储单元102中的配方执行基板G的等离子体处理。在这种情况下，

5. 发明公开

KR1020160146560A 플라즈마 처리 장치, 플라즈마 처리 장치의 제어 방법 및 기억 매체 审中-实审
标题翻译：等离子体处理装置和存储介质的等离子体处理装置控制方法
公开(公告)号：KR1020160146560A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：KR1020160072202
申请日：2016-06-10
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 사토료 , 사사키요시히코 , 도조도시히로
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32119 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32522 , H05H1/46
摘要： (과제) 감각적또는경험적인처리조건의설정에의존하는일 없이창 부재의파손을회피하는것이가능한플라즈마처리장치를제공한다. (해결수단) 플라즈마처리장치(11)의제어장치(100)는, 기판 G에대한플라즈마처리의레시피의입력을받고, 받은레시피로플라즈마처리를실행했을때에처리공간 S와유도결합안테나(50)의사이에배치된창 부재(22)에포함되는유전체에파손이생기는지여부를, 그레시피로플라즈마처리를반복실행하여창 부재(22)의온도가평형상태가되었을때의창 부재(22)에설정된복수의온도예측점에서의예측도달온도의차이에근거하여판정하고, 창부재(22)에파손이생긴다고판정한경우에받은레시피를기억부(102)에등록하지않고, 창부재(22)에파손이생기지않는다고판정한경우에기억부(102)에레시피를등록하고, 기억부(102)에기억된레시피에따라서기판 G에대한플라즈마처리를실행한다.

6. 发明授权

KR101432907B1 유도 결합 플라즈마용 안테나 유닛 및 유도 결합 플라즈마 처리 장치 有权
标题翻译：电感耦合等离子体和感应耦合等离子体处理装置的天线装置
公开(公告)号：KR101432907B1
公开(公告)日：2014-08-21
申请号：KR1020120148323
申请日：2012-12-18
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 도조도시히로
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065 , C23C16/505
摘要： 본 발명의 과제는, 복수의 소용돌이 형상을 이루는 안테나를 인접하여 설치한 고주파 안테나를 설치한 플라즈마 처리 장치에 있어서, 양호한 플라즈마 제어성을 확보하는 것이다.
안테나 유닛(50)에 있어서, 고주파 안테나(13)는, 제1 고주파 전력이 공급되어 유도 전계를 형성하는 소용돌이 형상을 이루는 제1 안테나(13a)와, 제1 소용돌이 형상 안테나와 동심 형상으로 설치되고, 제2 고주파 전력이 공급되어 유도 전계를 형성하는 소용돌이 형상을 이루는 제2 안테나(13b)와, 제1 안테나(13a)와 제2 안테나(13b) 사이에 배치되고, 접지된 상태 또는 플로팅 상태이고, 또한 폐회로를 구성하고, 제1 안테나(13a)에 의해 형성되는 자장과 제2 안테나(13b)에 의해 형성되는 자장을 분리하는 분리 부재를 갖는다.

7. 发明公开

KR1020090057921A 처리 용기 및 플라즈마 처리 장치 无效
标题翻译：加工容器和等离子体加工设备
公开(公告)号：KR1020090057921A
公开(公告)日：2009-06-08
申请号：KR1020080120942
申请日：2008-12-02
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 도조도시히로 , 다나카세이지 , 데구치신고
IPC分类号： H01L21/677 , H05H1/24
CPC分类号： H01L21/67742 , H01L21/67366 , H01L21/67386 , H05H1/24
摘要： A treating container and a plasma treating apparatus are provided to easily perform an exchanging operation of a protective member in a short time by including a second protective member separated from a first protective member. A side wall(101b) has a substrate carrying opening(161) of a treating container. A side wall(101c) has a door opening(163). Liners as a protective member are covered in an inner surface of the side wall. The liners(201a,201c) as a second protective member protect an inner wall surface around a corner part(161a) of both ends of the substrate carrying opening. The liners(201b,201d) as a first protective member protect an inner wall surface around a straight part(161b) of a center of the substrate carrying opening. Plasma is generated inside a plasma etching apparatus.
摘要翻译：提供处理容器和等离子体处理装置，通过包括与第一保护构件分离的第二保护构件，在短时间内容易地执行保护构件的更换操作。侧壁（101b）具有处理容器的基板承载开口（161）。侧壁（101c）具有门开口（163）。作为保护构件的衬里被覆盖在侧壁的内表面中。作为第二保护构件的衬垫（201a，201c）保护围绕衬底承载开口两端的角部（161a）的内壁表面。作为第一保护构件的衬垫（201b，201d）保护围绕衬底承载开口的中心的直线部分（161b）的内壁表面。在等离子体蚀刻装置内产生等离子体。

8. 发明授权

KR102263417B1 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 有权
公开(公告)号：KR102263417B1
公开(公告)日：2021-06-09
申请号：KR1020190069728
申请日：2019-06-13
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 우츠기야스후미 , 도조도시히로
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/78 , H01J37/32 , H05H1/46 , H02N13/00

9. 发明公开

KR1020170113391A 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 审中-实审
标题翻译：等离子处理装置和等离子处理方法
公开(公告)号：KR1020170113391A
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：KR1020170040565
申请日：2017-03-30
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 도조도시히로 , 후지이유키
IPC分类号： H01J37/32
摘要： (과제) 바이어스용전력을펄스변조하는경우에도, 아크방전발생의개연성, 또는실제로아크방전이발생한것을검지할수 있는플라즈마처리장치및 플라즈마처리방법을제공한다. (해결수단) 기판 G에대하여소정의플라즈마처리를실시하는플라즈마처리장치(1)는, 기판 G를수용하는처리용기(2)와, 처리용기(2) 내에처리가스를공급하는가스공급부(28)와, 처리용기(2) 내에배치된전극(3)과, 전극(3)에, 펄스변조된고주파전력을공급하는고주파전원부(53)와, 처리용기(2)로부터고주파전원부(53)로향해돌아오는반사파전력을소정주기로측정하는반사파전력측정부(54)와, 반사파전력측정부(54)에서측정한반사파전력이소정의조건이되었을때에, 처리용기(2) 내에서아크방전이발생할개연성이있다고, 또는실제로아크방전이발생했다고판정하는판정부(121)를구비하고, 펄스변조된고주파전력의펄스주기와, 반사파전력측정부(54)에있어서의측정주기가상이하다.
摘要翻译： [问题]即使脉冲调制的偏置功率，并且提供的概率，或实际上其可检测电弧放电的发生的电弧放电等离子体处理装置和等离子体处理方法发生。用于在基板G上进行规定的等离子体处理的等离子体处理装置1具备：收容基板G的处理容器2;向处理容器2内供给处理气体的气体供给部28 ）并且，作为电极3和电极3从处理容器（2高频电源部53和高频电源部53），用于供给设置于处理容器内的脉冲调制高频功率（2）的时间和返回的反射波电力的反射波功率测量单元54用于测量预定时间段向到来，当在反射波功率测量部54所测量的反射波电力yisojeong的条件下，电弧放电处理容器发生（2）反射波功率测量单元54中的脉冲调制高频功率的脉冲周期和测量周期是虚拟的。

10. 发明公开

KR1020150101928A 고주파 플라즈마 처리 장치 및 고주파 플라즈마 처리 방법 有权
标题翻译：高频等离子体加工设备和高频等离子体处理方法
公开(公告)号：KR1020150101928A
公开(公告)日：2015-09-04
申请号：KR1020150023092
申请日：2015-02-16
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 도조도시히로 , 사사키가즈오
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02274 , H01L21/02315 , H01L21/0234
摘要： (과제) 고주파 전력이 인가되는 전극에 접촉하는 절연물의 부분에서 연면 방전이 생기기 어려운 고주파 플라즈마 처리 장치 및 고주파 플라즈마 처리 방법을 제공한다.
(해결 수단) 절연물(17)에 접촉한 전극(13)을 갖고, 전극(13)에 고주파 전력을 인가하고, 그것에 의해 생긴 플라즈마에 의해 기판(G)을 플라즈마 처리하는 고주파 플라즈마 처리 장치는, 기판(G)에 대해서 플라즈마 처리를 행하는 처리실(4)과, 절연물(17)에 접촉한 상태의 전극(13)을 수용하는 전극 수용부(3)와, 전극(13)에 고주파 전력을 인가하는 고주파 전원(15)과, 전극 수용부(3) 내의 습도를, 전극 수용부(3) 내에서 연면 방전이 생기지 않도록 조정하는 습도 조정 수단(58)을 구비한다.
摘要翻译：本发明提供一种高频等离子体处理装置和高频等离子体处理方法，其中在与施加高频电力的电极接触的部分绝缘体处难以进行表面放电。高频等离子体处理装置具有与绝缘体（17）接触的电极（13），对电极（13）施加高频电力，通过由等离子体生成的等离子体进行基板（G）的等离子体处理。高频等离子体处理装置包括：进行与基板（G）的等离子体处理的处理室（4）在所述绝缘体（17）接触的状态下容纳所述电极（13）的电极容纳部（3）。将高频电力施加到电极（13）的高频电源（15）。以及调节电极容纳部（3）中的湿度的湿度调节单元（58），以防止电极容纳部（3）中的表面放电。

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