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1. 发明公开

KR1020140061558A 플라즈마 처리 장치용 유전체창 및 플라즈마 처리 장치 有权
标题翻译：用于等离子体处理装置的电介质窗口和等离子体处理装置
公开(公告)号：KR1020140061558A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：KR1020147012364
申请日：2012-11-08
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 티안카이종 , 마츠모토나오키 , 고야마고지 , 미하라나오키 , 다카하시가즈키 , 요시카와준 , 모야마가즈키 , 다니카와다케히로
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/511 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32238
摘要： 플라즈마 처리 장치용 이 유전체창은, 마이크로파를 플라즈마원으로 하는 플라즈마 처리 장치에 제공되고, 유전체창은 원판형이며, 마이크로파의 전파를 허용한다. 플라즈마 처리 장치용 유전체창은, 유전체창이 플라즈마 처리 장치에 제공될 때에 플라즈마가 생성되는 하면에 제공되며, 하면측에 개구를 갖고, 플라즈마 처리 장치용 유전체창의 판두께 방향으로 패인 오목부를 갖는다. 오목부는, 판두께 방향에 수직인 방향으로 연장되는 저면; 저면의 둘레 가장자리로부터 오목부의 개구측을 향하여 판두께 방향으로 연장되는 측면; 및 측면의 개구측의 둘레 가장자리로부터 오목부의 개구측을 향하여 판두께 방향에 대하여 경사져 연장되는 경사면을 갖는다.

2. 发明授权

KR100908514B1 마이크로파 플라즈마 처리 장치 및 마이크로파 플라즈마처리 장치용 게이트 밸브 有权
标题翻译： 마이크로파플라즈마처리장치및마이크로파플라즈마처리장치용게이트밸브
公开(公告)号：KR100908514B1
公开(公告)日：2009-07-20
申请号：KR1020070067435
申请日：2007-07-05
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 무라오카스나오 , 나가오카히데키 , 반마사카즈 , 티안카이종
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32192 , H01J37/32275 , H01J2237/0206
摘要： 게이트 밸브(26)는, 처리 챔버(1)의 개구(25)의 형상에 맞춰 직사각형 형상으로 구성되고, 개구(25)보다 큰 치수를 갖는 판 형상의 밸브체(26a)를 갖고 있다. 밸브체(26a)에는, 처리 챔버(1)의 바깥쪽에 접촉, 가압되어 기밀하게 밀봉하기 위한 기밀 밀봉 부재(26d)가 마련된다. 이 기밀 밀봉 부재(26d)의 외주부에는, 기밀 밀봉 부재(26d)의 주위를 둘러싸도록, 홈 형상으로 형성된 마이크로파 반사 기구(26e)가 마련된다.
摘要翻译：闸阀包括矩形形状的板形阀元件以适应处理室的开口的形状并且具有大于开口的尺寸。在阀芯上设置密封部件，该密封部件通过与处理室的外侧抵接并按压而进行气密密封。微波反射机构设置在气密密封部件的外周部上，该微波反射机构形成为槽状以包围气密密封部件的周围。

3. 发明公开

KR1020100122894A 평면 안테나 부재, 및 이것을 구비한 플라즈마 처리 장치 无效
标题翻译：平面天线构件和等离子体处理装置
公开(公告)号：KR1020100122894A
公开(公告)日：2010-11-23
申请号：KR1020107007491
申请日：2009-03-13
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 우에다아츠시 , 아다치히카루 , 티안카이종 , 후쿠다요시노리 , 혼고도시아키 , 요시오카마사오
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/31
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/3222
摘要： 본 발명은 플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내에 전자파 발생원에서 발생한 전자파를 도입하는 평면 안테나 부재로서, 도전성 재료로 이루어지는 평판형 기재와, 상기 평판형 기재에 형성된, 전자파를 방사하는 복수의 관통구를 구비하고, 상기 관통구는, 상기 평면 안테나 부재의 중심에 그 중심이 겹쳐지는 원의 둘레 상에 배열된 복수의 제1 관통구와, 상기 제1 관통구의 외측에 상기 원과 동심원 형상으로 배열된 복수의 제2 관통구를 포함하고 있으며, 상기 평면 안테나 부재의 중심으로부터 상기 제1 관통구의 중심까지의 거리(L1)와, 상기 평면 안테나 부재의 반경(r)의 비(L1/r)가, 0.35 ∼ 0.5의 범위이고, 상기 평면 안테나 부재의 중심으로부터 상기 제2 관통구의 중심까지의 거리(L2)와, 상기 평면 안테나 부재의 반경(r)의 비(L2/r)가, 0.7 ∼ 0.85의 범위인 � �을 특징으로 하는 평면 안테나 부재이다.

4. 发明授权

KR100872260B1 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법 有权
标题翻译：等离子处理装置和等离子处理方法
公开(公告)号：KR100872260B1
公开(公告)日：2008-12-05
申请号：KR1020067016347
申请日：2005-02-15
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이시바시기요타카 , 기타가와준이치 , 후루이신고 , 티안카이종 , 야마시타준 , 야마모토노부히코 , 니시즈카데츠야 , 노자와도시히사 , 니시모토신야 , 유아사다마키
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32192 , H01J37/32238
摘要： 본 발명의 목적은 마이크로파를 이용한 플라즈마 처리장치에 있어서, 투과창을 지지하는 지지부와 상기 투과창과의 접점 근방에서, 강한 전계, 고밀도 플라즈마가 발생하는 것을 억제하여, 처리의 질의 향상을 도모하는 데에 있다.
본 발명에 있어서는 마이크로파의 공급에 의해서 발생한 플라즈마에 의해서, 처리용기(2) 내의 웨이퍼(W)에 대하여 처리를 실시하는 플라즈마 처리장치에 있어서, 투과창(20)은 그 하면 중앙 영역에, 투과창(20)과 동일한 재질의 수하부(21)를 갖고 있다. 수하부(21)의 외주면(21a)과, 지지부(6)로부터 이어지는 측벽 내면(5a)과의 사이는 0.5∼10㎜, 더욱 바람직하게는 0.5∼5㎜의 갭 길이를 갖는 간극(d)이 형성되어 있다. 접점(C)에서의 강한 전계, 플라즈마의 발생이 억제되고, 스퍼터된 입자나 라디칼 등이 웨이퍼(W)에 도달하는 양도 억제된다.
摘要翻译：本发明的目的在于抑制在使用微波的等离子体处理装置中用于支撑透射窗的支撑部和透射窗之间的接触点附近产生强电场和高密度等离子体，有。

5. 发明公开

KR1020060108773A 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법 有权
标题翻译：等离子体加工设备和等离子体处理方法
公开(公告)号：KR1020060108773A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：KR1020067016347
申请日：2005-02-15
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이시바시기요타카 , 기타가와준이치 , 후루이신고 , 티안카이종 , 야마시타준 , 야마모토노부히코 , 니시즈카데츠야 , 노자와도시히사 , 니시모토신야 , 유아사다마키
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32192 , H01J37/32238
摘要： [PROBLEMS] To improve a process quality of a plasma processing apparatus using microwaves, by suppressing generation of a strong magnetic field and a high-density plasma in the vicinity of a contact point of a supporting part, which supports a transmission window, and the transmission window. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] The plasma processing apparatus processes a wafer W in a process container (2) by plasma generated by supplying microwaves. The transmission window (20) has a drooping part (21) made of a same material as that of the transmission window (20) in its lower plane center area. A space d, having a gap length of 0.5-10mm, more preferably, 0.5-5mm, is formed between an outer circumference plane (21a) of the drooping part (21) and a side wall inner plane (5a) continued from the supporting part (6). Generation of the strong magnetic field and the plasma at the contact point C is suppressed, and a quantity of sputtered particles, radicals, etc. reaching the wafer W is suppressed.
摘要翻译： [问题]为了提高使用微波的等离子体处理装置的工艺质量，通过抑制支撑透射窗的支撑部的接触点附近的强磁场和高密度等离子体的产生，以及传输窗口。解决问题的方法等离子体处理装置通过供给微波产生的等离子体处理处理容器（2）中的晶片W. 传动窗（20）具有在其下平面中心区域由与透射窗（20）相同材料制成的下垂部分（21）。在下垂部分（21）的外周平面（21a）和从支撑部分（21）延续的侧壁内平面（5a）之间形成有间隙长度为0.5-10mm，更优选为0.5-5mm的空间d 第（6）部分。抑制了在接触点C处的强磁场和等离子体的产生，并且抑制了到达晶片W的溅射的粒子，自由基等的量。

6. 发明授权

KR101420078B1 플라즈마 처리 장치용 유전체창 및 플라즈마 처리 장치 有权
公开(公告)号：KR101420078B1
公开(公告)日：2014-07-17
申请号：KR1020147012364
申请日：2012-11-08
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 티안카이종 , 마츠모토나오키 , 고야마고지 , 미하라나오키 , 다카하시가즈키 , 요시카와준 , 모야마가즈키 , 다니카와다케히로
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/511 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32238
摘要： 플라즈마 처리 장치용 이 유전체창은, 마이크로파를 플라즈마원으로 하는 플라즈마 처리 장치에 제공되고, 유전체창은 원판형이며, 마이크로파의 전파를 허용한다. 플라즈마 처리 장치용 유전체창은, 유전체창이 플라즈마 처리 장치에 제공될 때에 플라즈마가 생성되는 하면에 제공되며, 하면측에 개구를 갖고, 플라즈마 처리 장치용 유전체창의 판두께 방향으로 패인 오목부를 갖는다. 오목부는, 판두께 방향에 수직인 방향으로 연장되는 저면; 저면의 둘레 가장자리로부터 오목부의 개구측을 향하여 판두께 방향으로 연장되는 측면; 및 측면의 개구측의 둘레 가장자리로부터 오목부의 개구측을 향하여 판두께 방향에 대하여 경사져 연장되는 경사면을 갖는다.

7. 发明授权

KR100960424B1 마이크로파 플라즈마 처리 장치 失效
标题翻译：微波等离子体处理装置
公开(公告)号：KR100960424B1
公开(公告)日：2010-05-28
申请号：KR1020077022525
申请日：2006-02-21
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 티안카이종 , 이시바시기요타카 , 노자와도시히사 , 야마모토노부히코
IPC分类号： H05H1/24 , H05H1/30 , C23C16/511 , H01L21/205
CPC分类号： H01J37/32192
摘要： 본 발명은 피처리체가 수용되는 챔버와, 상기 챔버 내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 수단과, 상기 챔버 내에서 상기 처리 가스의 플라즈마를 형성하는 마이크로파를 발생시키는 마이크로파 발생원과, 마이크로파 발생원에서 발생되는 마이크로파를 상기 챔버를 향해서 유도하는 도파 수단과, 상기 도파 수단에 의해서 유도되는 마이크로파를 상기 챔버를 향해서 방사하는 복수의 마이크로파 방사 구멍을 갖는 도체로 이루어지는 평면 안테나와, 상기 챔버의 천장벽을 구성하며, 상기 평면 안테나의 마이크로파 방사 구멍을 통과한 마이크로파를 투과하는, 유전체로 이루어지는 마이크로파 투과판과, 상기 평면 안테나의 상기 마이크로파 투과판에 대하여 반대쪽에 마련되며, 상기 평면 안테나에 도달하는 마이크로파의 파장을 짧게 하는 기능을 갖는, 유전체로 이루어지는 지파판을 구비한 마이크로파 플라즈마 처리 장치이다. 상기 평면 안테나와 상기 마이크로파 투과판은 그 사이에 실질적으로 공기가 없게 밀착되어 있고, 상기 지파판과 상기 마이크로파 투과판은 동일한 재질로 형성되며, 상기 지파판, 상기 평면 안테나, 상기 마이크로파 투과판, 및, 상기 챔버 내에서 형성되는 상기 처리 가스의 플라즈마에 의해서 형성되는 등가 회로가 공진 조건을 만족한다.

8. 发明公开

KR1020080005095A 마이크로파 플라즈마 처리 장치 및 마이크로파 플라즈마처리 장치용 게이트 밸브 有权
标题翻译：用于微波等离子体处理装置的微波等离子体处理装置和门阀
公开(公告)号：KR1020080005095A
公开(公告)日：2008-01-10
申请号：KR1020070067435
申请日：2007-07-05
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 무라오카스나오 , 나가오카히데키 , 반마사카즈 , 티안카이종
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32192 , H01J37/32275 , H01J2237/0206
摘要： A microwave plasma processing device and a gate valve for the microwave plasma processing device are provided to decrease a discharge due to a leakage of a microwave by preventing the microwave from leaking out of a chamber while discharging a plasma. A microwave plasma processing device includes a process chamber(1), a microwave input unit, a valve member(26a), a ventilating member(24), a sealing member, and a microwave reflector(26e). The process chamber includes an opening, through which an object to be processed is received and outputted. The microwave input unit introduces a microwave into the process chamber. The valve member opens and closes the opening. The ventilating member sucks in the process chamber using a vacuum condition. When the opening is closed by the valve member, the sealing member tightly encloses an interface between an outer area from the opening and the valve member. When the opening is closed by the valve member, the microwave reflector is arranged to surround the opening and reflect the microwave, which is leaked from the opening to outside.
摘要翻译：提供微波等离子体处理装置和微波等离子体处理装置的闸阀，以通过在排出等离子体的同时防止微波从室内泄漏而减少微波泄漏引起的放电。微波等离子体处理装置包括处理室（1），微波输入单元，阀构件（26a），通风构件（24），密封构件和微波反射器（26e）。处理室包括开口，待处理对象被接收和输出。微波输入单元将微波引入处理室。阀构件打开和关闭开口。通风部件使用真空条件吸入处理室。当开口被阀构件封闭时，密封构件紧密地包围在开口的外部区域和阀构件之间的界面。当开口被阀构件关闭时，微波反射器被布置成围绕开口并且反射从开口泄漏到外部的微波。

9. 发明公开

KR1020070108929A 마이크로파 플라즈마 처리 장치 失效
标题翻译：微波等离子体处理装置
公开(公告)号：KR1020070108929A
公开(公告)日：2007-11-13
申请号：KR1020077022525
申请日：2006-02-21
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 티안카이종 , 이시바시기요타카 , 노자와도시히사 , 야마모토노부히코
IPC分类号： H05H1/24 , H05H1/30 , C23C16/511 , H01L21/205
CPC分类号： H01J37/32192 , C23C16/511 , H01J37/3222 , H01J37/3244 , H01J37/32798 , H01J2237/3321 , H05H1/46 , H05H2001/4607
摘要： A microwave plasma processing device comprising a chamber housing therein a material to be processed, a processing gas supplying means for supplying processing gas into the chamber, a microwave generating source for generating microwave forming the processing gas plasma in the chamber, a wave guiding means for guiding microwave generated in the microwave generating source toward the chamber, a flat antenna consisting of a conductor having a plurality of microwave radiating holes for radiating microwave guided by the wave guiding means toward the chamber, a microwave transmitting plate constituting the top wall of the chamber, transmitting microwave passed through the microwave radiating holes of the flat antenna and consisting of a dielectrics, and a delay plate provided on the opposite side of the microwave transmitting plate of the flat antenna, having a function of shortening the wavelength of microwave reaching the flat antenna and consisting of a dielectrics. The flat antenna and the microwave transmitting plate are substantially in close contact with each other with no air therebetween, the delay plate and the microwave transmitting plate are formed of the same material, and the delay plate, the flat antenna, the microwave transmitting plate and an equivalent circuit formed by the processing gas plasma formed in the chamber satisfy a resonance condition.
摘要翻译：一种微波等离子体处理装置，包括容纳待处理材料的室，用于将处理气体供应到室中的处理气体供给装置，用于产生在室内形成处理气体等离子体的微波的微波发生源，波导装置，将在微波发生源中产生的微波导向腔室，由具有多个微波辐射孔的导体构成的平面天线，用于将由波导装置引导的微波照射到腔室;构成腔室顶壁的微波透射板传输通过平坦天线的微波辐射孔并由电介质构成的微波，以及设置在平面天线的微波透射板的相反侧的延迟板，具有缩短微波到达平面的波长的功能天线，由电介质组成。扁平天线和微波透射板基本上彼此紧密接触，其间没有空气，延迟板和微波透射板由相同的材料形成，延迟板，平面天线，微波透射板和由室内形成的处理气体等离子体形成的等效电路满足谐振条件。

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