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1. 发明公开

KR1020070005912A 조정 가능한 반사방지 코팅을 포함하는 구조 및 그의 형성 방법 失效
标题翻译：包含可逆反射涂层的结构及其形成方法
公开(公告)号：KR1020070005912A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：KR1020067005435
申请日：2004-10-12
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 웻젤제프리티 , 왕데이비드씨 , 리에릭엠 , 토마도렐이오안
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L21/76811 , H01L21/0276 , H01L21/31144 , H01L21/76802 , H01L21/76808 , H01L21/7681 , H01L21/76813
摘要： An interconnect structure in back end of line (BEOL) applications comprising a tunable etch resistant anti-reflective (TERA) coating is described. The TERA coating can, for example, be incorporated within a single damascene structure, or a dual damascene structure. The TERA coating can serve as part of a lithographic mask for forming the interconnect structure, or it may serve as a hard mask, a chemical mechanical polishing (CMP) stop layer, or a sacrificial layer during CMP. ® KIPO & WIPO 2007
摘要翻译：描述了后端行（BEOL）应用中的互连结构，其包括可调蚀抗蚀抗反射（TERA）涂层。例如，TERA涂层可以结合在单个镶嵌结构内或双镶嵌结构中。 TERA涂层可用作用于形成互连结构的光刻掩模的一部分，或者可以在CMP期间用作硬掩模，化学机械抛光（CMP）停止层或牺牲层。 ®KIPO＆WIPO 2007

2. 发明授权

KR101026211B1 유전체 막을 처리하기 위한 방법 및 시스템 有权
标题翻译：用于处理电介质膜的方法和系统
公开(公告)号：KR101026211B1
公开(公告)日：2011-03-31
申请号：KR1020067004979
申请日：2004-10-07
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 토마도렐이오안 , 쥬지안홍 , 하마모토가즈히로
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01L21/02337 , H01L21/02063 , H01L21/02126 , H01L21/02134 , H01L21/02137 , H01L21/02203 , H01L21/02343 , H01L21/02359 , H01L21/3105 , H01L21/31058 , H01L21/31138 , H01L21/76826 , H01L21/76831 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 유전체 막을 처리하기 위한 방법으로 유전체 막의 적어도 하나의 면을 C
x H
y 함유 물질에 노출시키는 단계를 포함하며, 여기서 x 와 y는 각각 1 이상의 정수이다. 상기 유전체 막은 건식 에칭 공정에 후속하여 그 내부에 에칭 특징부가 형성되어 있는 세공을 구비하거나 구비하지 않은 저유전율 막을 포함할 수 있다. 에칭 공정 혹은 애싱의 결과로서, 유전체 막에 형성된 특징부 내의 노출된 표면들은 손상되거나 활성화되어 오염물의 억류, 수분의 흡수, 유전율 증가 등을 초래할 수 있다. 이와 같이 손상된 표면은 예컨대, 유전율을 복원(즉, 유전율 감소)시키는 것과, 오염물, 수분 혹은 잔류물을 제거하도록 이들 표면들을 세척하는 것 중 하나 이상을 행함으로써 처리된다. 더욱이, 장벽층 준비와 막 내의 특징부의 금속화는 노출된 세공을 폐쇄하여 장벽 막 증착을 위한 표면을 제공하도록 특징부의 측벽 표면의 밀봉을 행함으로써 이루어지는 처리를 포함할 수 있다.

3. 发明授权

KR101092704B1 다공성 물질 및 다공성 물질을 특성화하는 방법 및 시스템 有权
标题翻译：用于表征多孔材料的多孔材料和方法与系统
公开(公告)号：KR101092704B1
公开(公告)日：2011-12-09
申请号：KR1020077002483
申请日：2005-07-15
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 주잔홍 , 토마도렐이오안
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/31695 , G01N7/14 , G01N15/088 , G01N2015/086 , G01N2021/3595 , H01L21/02126 , H01L21/02137 , H01L21/02203 , H01L21/0234 , H01L21/02343 , H01L22/12
摘要： 본발명은다공성(porous) 물질상의처리의유효성을진단하는방법및 시스템을제공한다. 예를들면, 다공성물질은다공성저 유전상수의재료를포함할수 있다. 특히, 본방법은 FTIR 분광학을이용하여물질의다공률을특성화하고, 물질내의세공(pore)의밀봉유효성을평가할수 있다.

4. 发明公开

KR1020060126933A 유전체 막을 처리하기 위한 방법 및 시스템 有权
标题翻译：用于处理电介质膜的方法和系统
公开(公告)号：KR1020060126933A
公开(公告)日：2006-12-11
申请号：KR1020067004979
申请日：2004-10-07
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 토마도렐이오안 , 쥬지안홍 , 하마모토가즈히로
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01L21/02337 , H01L21/02063 , H01L21/02126 , H01L21/02134 , H01L21/02137 , H01L21/02203 , H01L21/02343 , H01L21/02359 , H01L21/3105 , H01L21/31058 , H01L21/31138 , H01L21/76826 , H01L21/76831 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A method and system for treating a dielectric film includes exposing at least one surface of the dielectric film to a CXHycontaining material, wherein x and y are each integers greater than or equal to a value of unity. The dielectric film can include a low dielectric constant film with or without pores having an etch feature formed therein following dry etch processing. As a result of the etch processing or ashing, exposed surfaces in the feature formed in the dielectric film can become damaged, or activated, leading to retention of contaminants, absorption of moisture, increase in dielectric constant, etc. Damaged surfaces, such as these, are treated by performing at least one of healing these surfaces to, for example, restore the dielectric constant (i.e., decrease the dielectric constant) and cleaning these surfaces to remove contaminants, moisture, or residue. Moreover, preparation for barrier layer and metallization of features in the film may include treating by performing sealing of sidewall surfaces of the feature to close exposed pores and provide a surface for barrier film deposition.
摘要翻译：用于处理电介质膜的方法和系统包括将电介质膜的至少一个表面暴露于含CXHy的材料，其中x和y各自为大于或等于一个值的整数。介电膜可以包括具有或不具有在干蚀刻处理之后形成的蚀刻特征的孔的低介电常数膜。作为蚀刻处理或灰化的结果，形成在电介质膜中的特征中的暴露表面可能被损坏或激活，导致污染物的保留，水分的吸收，介电常数的增加等。损坏的表面，例如这些通过执行愈合这些表面中的至少一个来处理，例如恢复介电常数（即，降低介电常数）并清洁这些表面以去除污染物，水分或残留物。此外，膜的特征的阻挡层和金属化的制备可以包括通过执行特征的侧壁表面的密封来封闭暴露的孔并提供用于阻挡膜沉积的表面来进行处理。

5. 发明授权

KR101044984B1 조정 가능한 반사방지 코팅을 포함하는 구조 및 그의 형성 방법 失效
标题翻译：包含可逆反射涂层的结构及其形成方法
公开(公告)号：KR101044984B1
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：KR1020067005435
申请日：2004-10-12
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 웻젤제프리티 , 왕데이비드씨 , 리에릭엠 , 토마도렐이오안
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L21/76811 , H01L21/0276 , H01L21/31144 , H01L21/76802 , H01L21/76808 , H01L21/7681 , H01L21/76813
摘要： 조정 가능한 내식각성 반사방지(TERA) 코팅을 포함하는 BEOL(back end of line) 어플리케이션에서의 배선 구조가 기술된다. TERA 코팅은, 예를 들어 싱글 다마신 구조 또는 듀얼 다마신 구조 내에 집적될 수 있다. TERA 코팅은 배선 구조를 형성하기 위한 리쏘그래피 마스크의 부분으로서 기능할 수도 있고, 하드 마스크, 화학적 기계 연마(CMP) 정지층 또는 CMP 동안의 희생층으로서 기능할 수도 있다.

6. 发明公开

KR1020070039934A 다공성 물질 및 다공성 물질을 특성화하는 방법 및 시스템 有权
标题翻译：用于表征多孔材料的方法和系统
公开(公告)号：KR1020070039934A
公开(公告)日：2007-04-13
申请号：KR1020077002483
申请日：2005-07-15
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 주잔홍 , 토마도렐이오안
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/31695 , G01N7/14 , G01N15/088 , G01N2015/086 , G01N2021/3595 , H01L21/02126 , H01L21/02137 , H01L21/02203 , H01L21/0234 , H01L21/02343 , H01L22/12
摘要： 본 발명은 다공성(porous) 물질 상의 처리의 유효성을 진단하는 방법 및 시스템을 제공한다. 예를 들면, 다공성 물질은 다공성 저 유전 상수의 재료를 포함할 수 있다. 특히, 본 방법은 FTIR 분광학을 이용하여 물질의 다공률을 특성화하고, 물질 내의 세공(pore)의 밀봉 유효성을 평가할 수 있다.
다공성 물질, 유전 상수, 밀봉 공정, 밀봉층, 세공

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