专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

KR1020060126933A 유전체 막을 처리하기 위한 방법 및 시스템 有权
标题翻译：用于处理电介质膜的方法和系统
公开(公告)号：KR1020060126933A
公开(公告)日：2006-12-11
申请号：KR1020067004979
申请日：2004-10-07
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 토마도렐이오안 , 쥬지안홍 , 하마모토가즈히로
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01L21/02337 , H01L21/02063 , H01L21/02126 , H01L21/02134 , H01L21/02137 , H01L21/02203 , H01L21/02343 , H01L21/02359 , H01L21/3105 , H01L21/31058 , H01L21/31138 , H01L21/76826 , H01L21/76831 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A method and system for treating a dielectric film includes exposing at least one surface of the dielectric film to a CXHycontaining material, wherein x and y are each integers greater than or equal to a value of unity. The dielectric film can include a low dielectric constant film with or without pores having an etch feature formed therein following dry etch processing. As a result of the etch processing or ashing, exposed surfaces in the feature formed in the dielectric film can become damaged, or activated, leading to retention of contaminants, absorption of moisture, increase in dielectric constant, etc. Damaged surfaces, such as these, are treated by performing at least one of healing these surfaces to, for example, restore the dielectric constant (i.e., decrease the dielectric constant) and cleaning these surfaces to remove contaminants, moisture, or residue. Moreover, preparation for barrier layer and metallization of features in the film may include treating by performing sealing of sidewall surfaces of the feature to close exposed pores and provide a surface for barrier film deposition.
摘要翻译：用于处理电介质膜的方法和系统包括将电介质膜的至少一个表面暴露于含CXHy的材料，其中x和y各自为大于或等于一个值的整数。介电膜可以包括具有或不具有在干蚀刻处理之后形成的蚀刻特征的孔的低介电常数膜。作为蚀刻处理或灰化的结果，形成在电介质膜中的特征中的暴露表面可能被损坏或激活，导致污染物的保留，水分的吸收，介电常数的增加等。损坏的表面，例如这些通过执行愈合这些表面中的至少一个来处理，例如恢复介电常数（即，降低介电常数）并清洁这些表面以去除污染物，水分或残留物。此外，膜的特征的阻挡层和金属化的制备可以包括通过执行特征的侧壁表面的密封来封闭暴露的孔并提供用于阻挡膜沉积的表面来进行处理。

2. 发明授权

KR101026211B1 유전체 막을 처리하기 위한 방법 및 시스템 有权
标题翻译：用于处理电介质膜的方法和系统
公开(公告)号：KR101026211B1
公开(公告)日：2011-03-31
申请号：KR1020067004979
申请日：2004-10-07
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 토마도렐이오안 , 쥬지안홍 , 하마모토가즈히로
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01L21/02337 , H01L21/02063 , H01L21/02126 , H01L21/02134 , H01L21/02137 , H01L21/02203 , H01L21/02343 , H01L21/02359 , H01L21/3105 , H01L21/31058 , H01L21/31138 , H01L21/76826 , H01L21/76831 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 유전체 막을 처리하기 위한 방법으로 유전체 막의 적어도 하나의 면을 C
x H
y 함유 물질에 노출시키는 단계를 포함하며, 여기서 x 와 y는 각각 1 이상의 정수이다. 상기 유전체 막은 건식 에칭 공정에 후속하여 그 내부에 에칭 특징부가 형성되어 있는 세공을 구비하거나 구비하지 않은 저유전율 막을 포함할 수 있다. 에칭 공정 혹은 애싱의 결과로서, 유전체 막에 형성된 특징부 내의 노출된 표면들은 손상되거나 활성화되어 오염물의 억류, 수분의 흡수, 유전율 증가 등을 초래할 수 있다. 이와 같이 손상된 표면은 예컨대, 유전율을 복원(즉, 유전율 감소)시키는 것과, 오염물, 수분 혹은 잔류물을 제거하도록 이들 표면들을 세척하는 것 중 하나 이상을 행함으로써 처리된다. 더욱이, 장벽층 준비와 막 내의 특징부의 금속화는 노출된 세공을 폐쇄하여 장벽 막 증착을 위한 표면을 제공하도록 특징부의 측벽 표면의 밀봉을 행함으로써 이루어지는 처리를 포함할 수 있다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式