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1. 发明公开

KR1020170095757A 액 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체 审中-实审
标题翻译：液体处理方法，基板处理装置和存储介质
公开(公告)号：KR1020170095757A
公开(公告)日：2017-08-23
申请号：KR1020170020584
申请日：2017-02-15
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 가와부치요스케 , 다치바나고우조우 , 나카모리미츠노리 , 오오이시고타로 , 에가시라게이스케 , 다나카고지 , 이나도미히로아키 , 야마시타마사미 , 후쿠다요시테루 , 야마시타고지 , 츠리후네유 , 마스즈미다쿠로
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/324
摘要： 기판의표면의발수화처리를행하면서, 기판의패턴내에존재하는순수나발수화제의제거를제거하여건조한기판을신속하게얻는것이가능한액 처리방법등을제공한다. 수평으로유지된기판(W)에대하여순수를공급한후, 기판(W)의건조를행하는데 있어서, 제1 용제공급공정에서는순수공급후의기판(W)의표면에제1 용제를공급하고, 그후의발수화제공급공정에서는기판(W)의표면에발수화제를공급한다. 제2 용제공급공정에서는발수화된후의기판(W)의표면에제2 용제를공급하고, 그후의건조공정에서기판(W)의표면의제2 용제를제거한다. 그리고제1 용제의비중은, 상기발수화제의비중보다작고, 상기제2 용제의비중은, 상기발수화제의비중보다크다.
摘要翻译：液体处理方法等能够通过除去存在于基板图案中的纯水蒸发剂，同时对基板表面进行防水处理，从而迅速除去干燥的基板。在第一溶剂供应步骤中供应纯水之后，将第一溶剂供应至基板W的表面，以便在将纯水供应至水平保持的基板W之后干燥基板W，在随后的供应防水剂的步骤中，防水剂被供应到基板W的表面。在第二溶剂供应步骤中，第二溶剂在防水之后供应到基板W的表面，并且在随后的干燥步骤中从基板W的表面去除第二溶剂。第一溶剂的比重小于防水剂的比重，第二溶剂的比重大于防水剂的比重。

2. 发明公开

KR1020140000158A 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 비일시적인 컴퓨터 판독가능한 기억 매체 审中-实审
标题翻译：基板处理装置，基板处理方法和非接收式计算机可读存储介质
公开(公告)号：KR1020140000158A
公开(公告)日：2014-01-02
申请号：KR1020130070236
申请日：2013-06-19
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 가와노히사시 , 이토노리히로 , 하치야요스케 , 노가미준 , 오오이시고타로 , 간노이타루
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/02057 , G03F7/423 , H01L21/31133 , H01L21/67051
摘要： The purpose of the present invention is to smoothly remove a target layer without damaging a lower layer of the substrate. The substrate processing device (1) removes the target layer by supplying a mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide on a substrate (3) in which the target layer is formed on the surface of the lower layer. The substrate processing device (1) includes a substrate processing chamber (16) for processing the substrate (3), a substrate maintaining member (12) installed at the substrate processing chamber (16) and formed to maintain the substrate (3), a mixture supply member (13) for supplying the mixture of the sulfuric acid and hydrogen peroxide on the substrate maintained by the substrate maintaining member (12) at temperatures and a mixing ratio of the hydrogen peroxide which does not damage the lower layer, and an OH group supply member (14) for supplying fluid containing of an OH group on the substrate (3). The OH group supply member (14) supplies the fluid containing of the OH group which does not damage the lower layer when the mixture and the OH group are mixed in the substrate (3).
摘要翻译：本发明的目的是平滑地去除目标层而不损坏基底的下层。基板处理装置（1）通过在下层的表面上形成有目标层的基板（3）上供给硫酸和过氧化氢的混合物来除去目标层。基板处理装置（1）包括用于处理基板（3）的基板处理室（16），安装在基板处理室（16）上并形成为保持基板（3）的基板保持部件混合物供应构件（13），用于在不损坏下层的过氧化氢的温度和混合比例下将硫酸和过氧化氢的混合物供给到由基板保持构件（12）保持的基板上，以及OH 用于在衬底（3）上提供含有OH基团的流体的组供应构件（14）。当混合物和OH基团混合在基材（3）中时，OH基团供给部件（14）供给含有不损坏下层的OH基团的流体。

3. 发明公开

KR1020110119528A 레지스트 도포 장치, 이를 구비한 도포 현상 시스템, 및 레지스트 도포 방법 有权
标题翻译：耐腐涂层设备，具有相同涂层的涂料开发系统
公开(公告)号：KR1020110119528A
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：KR1020110022023
申请日：2011-03-11
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 시바타츠요시 , 기바유키오 , 오오이시고타로 , 미야모토데츠시 , 하시모토유사쿠 , 히라오다케시
IPC分类号： G03F7/16 , G03F7/00 , G02B5/20
摘要： PURPOSE: An apparatus for coating a resist, a coating developing system including the same, and a method for coating the resist are provided to form a color resist film with high film thickness uniformity on a substrate. CONSTITUTION: An apparatus for coating a resist(50) includes a substrate temperature adjusting part, a color resist liquid supplying part, and a substrate rotating part. The substrate temperature adjusting part adjusts the temperature of a substrate in order to increase a temperature at the peripheral part of the substrate. The color resist liquid supplying part supplies color resist liquid to the substrate. The substrate rotating part rotates the substrate on which the color resist liquid is supplied.
摘要翻译：目的：提供一种涂布抗蚀剂的装置，包括该涂料的涂料显影系统和涂覆该抗蚀剂的方法，以在基材上形成具有高膜厚均匀性的抗蚀剂膜。构成：用于涂覆抗蚀剂（50）的设备包括基板温度调节部分，抗彩色液体供应部分和基板旋转部分。衬底温度调节部分调节衬底的温度以增加衬底的周边部分的温度。彩色抗蚀剂液体供应部分向基片供应彩色抗蚀剂液体。基板旋转部旋转供给着抗蚀剂液体的基板。

4. 发明公开

KR1020170073594A 기판액 처리 방법 및 기판액 처리 장치, 그리고 기판액 처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 审中-实审
标题翻译：一种基板液处理方法和基板液处理装置以及存储基板液处理程序的计算机可读存储介质
公开(公告)号：KR1020170073594A
公开(公告)日：2017-06-28
申请号：KR1020177009562
申请日：2015-10-20
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 나카모리미츠노리 , 미나미데루오미 , 오오이시고타로 , 노나카준
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/02052 , B08B3/04 , B08B3/041 , B08B3/08 , B08B3/10 , H01L21/02057 , H01L21/67028 , H01L21/67051 , H01L21/68764
摘要： 기판액처리방법은, 기판을처리액으로액 처리하는액 처리공정과, 액처리된상기기판을린스액으로린스처리하는린스처리공정과, 린스처리된상기기판을발수화액으로발수처리하는발수처리공정을행하고, 이어서, 발수처리된상기기판을치환촉진액으로치환처리하는치환처리공정과, 발수처리된상기기판을세정액으로세정처리하는세정처리공정을행하고, 그후, 상기세정액보다휘발성이높은건조액으로상기세정액을치환함과더불어상기기판으로부터상기건조액을제거하는건조처리공정을행한다. 건조처리시에패턴이도괴되는것을방지하면서워터마크에기인하는파티클을삭감할수 있다.
摘要翻译：基板液处理方法包括：用处理液对基板进行液处理的液处理工序;用冲洗液冲洗液处理基板的冲洗处理工序;疏水处理用置换促进液置换进行了斥水处理的基板的置换处理工序和用清洗液清洗斥水基板的清洗处理工序后，以比清洗液高的挥发性对基板进行干燥清洗液被液体置换，进行从基板上除去干燥液的干燥工序。可以减少归因于水印的颗粒数量，同时防止干燥处理时图案变得不规则。

5. 发明授权

KR101586872B1 레지스트 도포 장치, 이를 구비한 도포 현상 시스템, 및 레지스트 도포 방법 有权
标题翻译：具有相同涂料性能的涂料涂料开发系统
公开(公告)号：KR101586872B1
公开(公告)日：2016-01-19
申请号：KR1020110022023
申请日：2011-03-11
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 시바타츠요시 , 기바유키오 , 오오이시고타로 , 미야모토데츠시 , 하시모토유사쿠 , 히라오다케시
IPC分类号： G03F7/16 , G03F7/00 , G02B5/20
摘要： 본발명은높은막두께균일성을갖는컬러레지스트막을기판상에형성하는것이가능한레지스트도포장치및 레지스트막형성방법을제공한다. 본발명의실시형태에의한레지스트도포장치는, 기판의중앙부에서의온도보다기판의주변부에서의온도가높아지도록기판의온도를조정하도록구성된기판온도조정부와, 중앙부보다주변부에서온도가높아지도록기판온도조정부에의해온도조정된기판상에컬러레지스트액을공급하는컬러레지스트액공급부와, 컬러레지스트액이공급된기판을회전시키는기판회전부를포함한다.

6. 发明授权

KR101828103B1 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 비일시적인 컴퓨터 판독가능한 기억 매체 有权
标题翻译：基板处理装置，基板处理方法以及非易失性计算机可读存储介质
公开(公告)号：KR101828103B1
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：KR1020130070236
申请日：2013-06-19
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 가와노히사시 , 이토노리히로 , 하치야요스케 , 노가미준 , 오오이시고타로 , 간노이타루
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/02057 , G03F7/423 , H01L21/31133 , H01L21/67051
摘要： 본발명은, 기판의하지층에손상을주지않고, 제거대상층을양호하게제거하는것을목적으로한다. 본발명에서는, 하지층의표면에제거대상층을형성한기판(3)에황산과과산화수소수의혼합액을공급하여제거대상층을제거하는기판처리장치(1)에있어서, 기판(3)을처리하기위한기판처리실(16)과, 기판처리실(16)에설치되며, 기판(3)을유지하기위한기판유지수단(12)과, 기판유지수단(12)으로유지된기판에황산과과산화수소수의혼합액을하지층에손상을주지않는온도및 과산화수소수의혼합비로공급하는혼합액공급수단(13)과, 기판(3)에 OH기를포함하는유체를공급하는 OH기공급수단(14)을가지며, OH기공급수단(14)은, 혼합액과 OH기가기판(3) 상에서혼합되었을때에하지층에손상을주지않는양의 OH기를포함하는유체를공급하는것으로하였다.
摘要翻译：本发明的一个目的是令人满意地去除去除目标层而不损坏基板的基层。衬底就目前来说，为在基板3上去除移除目标层通过供给混合液的硫酸和过氧化氢数目的本发明，以形成层的表面上的移除目标层的基板处理装置1，处理的基片（3）的衬底保持装置12，其设置在衬底处理室16中，用于在由衬底保持装置12保持的衬底上保持衬底3以及硫酸和过氧化氢水溶液的混合液体; 用于将含有OH基的流体供给基板3的OH基供给装置14. OH基供给装置14向OH基供给装置14供给OH基供给装置14，当混合液和OH基混合在基板（3）上时，提供含有不损伤底层的含OH基的流体。

7. 发明公开

KR1020150125586A 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법 审中-实审
标题翻译：基板液体处理装置和底板液体处理方法
公开(公告)号：KR1020150125586A
公开(公告)日：2015-11-09
申请号：KR1020150057995
申请日：2015-04-24
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이도야스유키 , 신도나오키 , 오리이다케히코 , 에가시라게이스케 , 하치야요스케 , 오오이시고타로 , 가와노히사시 , 시모무라신이치로
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67051 , B05B12/14 , B05C11/115 , H01L21/306 , H01L21/31 , H01L21/67017 , H01L21/6715
摘要： 노즐내에서의가수분해열화에따른실릴화액의폐기량을저감한다. 노즐(43) 내의실릴화액유로(431)에차단유체를공급함으로써, 실릴화액유로내에있는실릴화액보다토출구(434)에가까운측에존재하는차단유체에의해실릴화액유로내에있는실릴화액을토출구의외부의분위기로부터차단한다.
摘要翻译：由于喷嘴中的水解劣化引起的消耗的甲硅烷基化液体的量减少。向喷嘴（43）中的甲硅烷基化液体流路（431）供给封闭流体，以通过存在于更靠近排出口的一侧的阻塞流体从排出孔的外部气氛中阻断甲硅烷醇化液体流路中的甲硅烷基化液体（434）比硅烷化液体流路中的甲硅烷基化液体。

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