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1. 发明公开

KR1020170095757A 액 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체 审中-实审
标题翻译：液体处理方法，基板处理装置和存储介质
公开(公告)号：KR1020170095757A
公开(公告)日：2017-08-23
申请号：KR1020170020584
申请日：2017-02-15
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 가와부치요스케 , 다치바나고우조우 , 나카모리미츠노리 , 오오이시고타로 , 에가시라게이스케 , 다나카고지 , 이나도미히로아키 , 야마시타마사미 , 후쿠다요시테루 , 야마시타고지 , 츠리후네유 , 마스즈미다쿠로
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/324
摘要： 기판의표면의발수화처리를행하면서, 기판의패턴내에존재하는순수나발수화제의제거를제거하여건조한기판을신속하게얻는것이가능한액 처리방법등을제공한다. 수평으로유지된기판(W)에대하여순수를공급한후, 기판(W)의건조를행하는데 있어서, 제1 용제공급공정에서는순수공급후의기판(W)의표면에제1 용제를공급하고, 그후의발수화제공급공정에서는기판(W)의표면에발수화제를공급한다. 제2 용제공급공정에서는발수화된후의기판(W)의표면에제2 용제를공급하고, 그후의건조공정에서기판(W)의표면의제2 용제를제거한다. 그리고제1 용제의비중은, 상기발수화제의비중보다작고, 상기제2 용제의비중은, 상기발수화제의비중보다크다.
摘要翻译：液体处理方法等能够通过除去存在于基板图案中的纯水蒸发剂，同时对基板表面进行防水处理，从而迅速除去干燥的基板。在第一溶剂供应步骤中供应纯水之后，将第一溶剂供应至基板W的表面，以便在将纯水供应至水平保持的基板W之后干燥基板W，在随后的供应防水剂的步骤中，防水剂被供应到基板W的表面。在第二溶剂供应步骤中，第二溶剂在防水之后供应到基板W的表面，并且在随后的干燥步骤中从基板W的表面去除第二溶剂。第一溶剂的比重小于防水剂的比重，第二溶剂的比重大于防水剂的比重。

2. 发明公开

KR1020130006309A 기판 처리 방법, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 有权
标题翻译：用于处理基板和计算机可读存储介质存储基板处理程序的方法和系统
公开(公告)号：KR1020130006309A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：KR1020120070058
申请日：2012-06-28
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 우치다노리타카 , 나카모리미츠노리 , 히다카쇼이치로 , 모리노부히코
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： H01L21/0209 , H01L21/67046
摘要： PURPOSE: A substrate processing method, a substrate processing system, and a computer readable storage medium with a substrate processing program are provided to suppress a bad effect on the surface of a substrate due to the remaining object by removing the object from the rear edge of a substrate. CONSTITUTION: A substrate carrying stand(3) is located in the front side of a housing(2). A substrate processing chamber(4) is located in the rear of the substrate carrying stand. The substrate carrying stand carries a substrate(5) between a carrier(6) and the substrate processing chamber. A substrate processing device removes contaminants and objects attached to the surface of the substrate. A rear processing device(10) removes the contaminants and object from the rear of the substrate.
摘要翻译：目的：提供一种基板处理方法，基板处理系统和具有基板处理程序的计算机可读存储介质，以通过从其后边缘移除物体来抑制由于剩余物体而导致的对基板表面的不良影响底物。构成：衬底承载架（3）位于壳体（2）的前侧。衬底处理室（4）位于衬底承载架的后部。基板承载台在载体（6）和基板处理室之间承载基板（5）。基板处理装置去除附着在基板表面上的污染物和物体。后处理装置（10）从衬底的后部去除污染物和物体。

3. 发明公开

KR1020120073089A 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 有权
标题翻译：基板加工方法和基板加工装置
公开(公告)号：KR1020120073089A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：KR1020110118816
申请日：2011-11-15
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 다나카사토루 , 오리이다케히코 , 마루야마히로타카 , 미나미데루오미 , 나카모리미츠노리
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： H01L21/67028 , H01L21/67051
摘要： PURPOSE: A method and apparatus for processing a substrate are provided to prevent fine particles from being attached due to a watermark on the surface of a substrate by heating the substrate at higher temperatures than a dew point temperature. CONSTITUTION: A substrate inputting and outputting stand(4) is formed in a front end of a substrate processing apparatus(1). A carrier(3) horizontally receives a plurality of substrates(2). A substrate transferring chamber(5) is formed in the rear of the substrate inputting and outputting stand and transfers the substrate and receives a substrate transferring device(8) and a substrate transfer stand(9). A substrate processing chamber(6) cleans or dries the substrate.
摘要翻译：目的：提供一种用于处理基板的方法和装置，以通过在比露点温度更高的温度下加热基板来防止由于水印而在基板的表面上附着细颗粒。构成：在基板处理装置（1）的前端形成基板输入输出台（4）。水平地承载多个基板（2）的载体（3）。在基板输入输出支架的后部形成有基板搬送室（5），并传送基板并接收基板搬送装置（8）和基板搬运支架（9）。基板处理室（6）清洗或干燥基板。

4. 发明公开

KR1020060009232A 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 컴퓨터 판독가능한기록 매체 失效
标题翻译：基板处理方法，基板处理装置和计算机可读记录介质
公开(公告)号：KR1020060009232A
公开(公告)日：2006-01-31
申请号：KR1020057012922
申请日：2004-12-07
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 도시마다카유키 , 이이노다다시 , 사이토유스케 , 나카모리미츠노리 , 유치다노리타카 , 오리이다케히코
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/304
CPC分类号： G03F7/427 , H01L21/31138
摘要： Disclosed is a processing method for removing an ArF resist film from a wafer having such an ArF resist film. The ArF resist film is irradiated with an ultraviolet light, and then treated with an ozone gas and water vapor supplied thereto, so that the ArF resist film is modified into a water-soluble one. By supplying a purified water to the thus-modified water-soluble ArF resist film, the ArF resist film is removed from the substrate.
摘要翻译：公开了从具有这种ArF抗蚀剂膜的晶片去除ArF抗蚀剂膜的处理方法。用紫外线照射ArF抗蚀剂膜，然后用供给其的臭氧气体和水蒸气进行处理，使得ArF抗蚀剂膜被改性为水溶性膜。通过向经过改性的水溶性ArF抗蚀剂膜提供净化水，从基板除去ArF抗蚀剂膜。

5. 发明公开

KR1020010062026A 기판처리장치 有权
标题翻译：基板处理设备
公开(公告)号：KR1020010062026A
公开(公告)日：2001-07-07
申请号：KR1020000072038
申请日：2000-11-30
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 나카모리미츠노리 , 타니야마히로키 , 미야자키타카노리
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/67051 , H01L21/02052
摘要： PURPOSE: To provide a substrate treatment apparatus wherein treatment liquid can be suitable used again and the amount of exhaust gas can be reduced. CONSTITUTION: A wafer cleaning device 5 cleaning a wafer W comprises a supply nozzle 34 supplying AMP and pure water, a spin chuck 31 holding the wafer W, and a vessel 30 accommodating the spin chuck 31. The vessel 30 comprises an inner treatment chamber 42 and an outer treatment chamber 43 and is constituted so as to be freely elevated to the spin chuck 31. A first exhausting circuit 50 exhausting AMP and atmosphere in the chamber is connected with the inner treatment chamber 42, a second exhausting circuit 51 exhausting pure water and atmosphere in the chamber is connected with the outer treatment chamber 43, and AMP is supplied from the supply nozzle 34 to the surface of the wafer W again.
摘要翻译：目的：提供一种可以再次使用处理液的基板处理装置，能够减少排气量。构成：清洗晶片W的晶片清洁装置5包括供给AMP和纯水的供应喷嘴34，保持晶片W的旋转卡盘31和容纳旋转卡盘31的容器30.容器30包括内部处理室42 外部处理室43构成为能够自由地升高到旋转卡盘31.将室内排出AMP和气氛的第一排气回路50与内部处理室42连接，排出纯水的第二排气回路51 并且室内的气氛与外部处理室43连接，并且AMP从供给喷嘴34再次供给到晶片W的表面。

6. 发明公开

KR1020170042251A 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 审中-实审
标题翻译：基板处理方法及基板处理装置
公开(公告)号：KR1020170042251A
公开(公告)日：2017-04-18
申请号：KR1020160129859
申请日：2016-10-07
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 에가시라게이스케 , 나카모리미츠노리
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/687
CPC分类号： H01L21/0206 , B08B3/08 , C11D11/0047 , H01L21/02057 , H01L21/67028 , H01L21/67051
摘要： 본발명은, 이면에얼룩이없는기판을제공하는것을목적으로한다. 실시형태에따른기판처리방법은, 제1 면세정공정과, 제2 면세정공정과, 수분제거공정과, 발수화공정과, 건조공정을포함한다. 제1 면세정공정은, 기판에있어서의제1 면에대하여, 수분을포함한제1 세정액을공급한다. 제2 면세정공정은, 제1 면과는반대측의면인제2 면에대하여, 수분을포함한제2 세정액을공급한다. 수분제거공정은, 제2 면세정공정후, 기판에있어서의제2 면에잔존하는수분을제거한다. 발수화공정은, 수분제거공정후, 기판에있어서의제1 면에대하여발수화제를공급한다. 건조공정은, 발수화공정후, 기판을건조시킨다.
摘要翻译：本发明的一个目的是提供一种在其背面上没有不平整的衬底。根据实施例的基板处理方法包括第一表面清洁步骤，第二表面清洁步骤，除水步骤，防水步骤和干燥步骤。第一表面清洁步骤将含有水的第一清洁液供应到基板的第一表面。在第二表面清洁步骤中，将含有水的第二清洁液体供应到基板的与第一表面相对的表面的两个表面。除水步骤在第二掩模挤压孔之后去除残留在基板的第二表面上的水分。在除水步骤之后，防水步骤将防水剂供应到基底的第一表面。在干燥步骤中，基底在防水步骤后干燥。

7. 发明授权

KR101658250B1 기판 이면 연마 장치, 기판 이면 연마 시스템 및 기판 이면 연마 방법 및 기판 이면 연마 프로그램을 기록한 기록 매체 有权
标题翻译：用于抛光衬底后处理表面的装置，用于抛光衬底表面的衬底方法和用于抛光衬底后表面的记录介质的记录介质
公开(公告)号：KR101658250B1
公开(公告)日：2016-09-22
申请号：KR1020110037383
申请日：2011-04-21
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 나카모리미츠노리 , 우치다노리타카 , 오리이다케히코 , 미야자키다카노리 , 모우리노부히코
IPC分类号： H01L21/304 , B08B7/04 , B24B29/00 , B24B51/00
CPC分类号： B24B37/042
摘要： 본발명은기판의이면을연마하는것에따른작업처리량의저감이나기판의열화를방지하고, 또한, 연마부재의교환에요구되는노동력이나시간이나비용을저감하는것을과제로한다. 본발명에서는, 기판(5)의이면을연마하는기판이면연마장치(9), 기판이면연마장치(9)를갖는기판이면연마시스템(1), 기판이면연마장치(9)에서이용하는기판이면연마방법이나기판이면연마프로그램에있어서, 기판(5)의이전공정에서의처리에관한정보에따라기판(5)의이면을기판연마수단(16, 17)으로연마하는것으로하였다. 또한, 기판(5)의이전공정에서의처리에관한정보에기초하여결정된연마범위를기판연마수단(16, 17)으로연마하는것으로하였다. 또한, 기판(5)의이전공정에서의처리에관한정보에기초하여결정된어느하나또는모든기판연마수단(16, 17)을이용하여연마하는것으로하였다.

8. 发明公开

KR1020160026959A 기판 처리 방법, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 有权
标题翻译：用于处理基板和计算机可读存储介质存储基板处理程序的方法和系统
公开(公告)号：KR1020160026959A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：KR1020160021071
申请日：2016-02-23
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 히다카쇼이치로 , 모리노부히코 , 나카모리미츠노리 , 우치다노리타카
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/304
摘要： 기판의이면으로부터제거대상물을양호하게제거하여, 제거대상물이잔존함에따른기판의표면의처리에주는악영향을억제하는것이다. 본발명에서는, 기판(5)의이면의제거대상물을제거하는기판처리방법(기판처리시스템(1))에서, 기판(5)의이면을상면으로하여기판지지체(34)로기판(5)의외주단을지지하고, 기판(5)의이면의내주부로부터기판지지체(34)의근방까지의소정의처리범위(50)에서제거대상물을제거하는이면처리공정(이면처리장치(10))과, 기판(5)의이면을하면으로하여기판(5)의이면의내주부를흡착하여보지하고, 기판(5)의이면의외주단으로부터내주측의소정의처리범위(71)에서제거대상물을제거하는이면주연부처리공정(이면주연부처리장치(11))을가지고, 상기이면주연부처리공정을행한후에상기기판의반전을행하고, 그후, 상기이면처리공정을행하도록했다.
摘要翻译：本发明是通过从基板的后表面除去去除靶，来抑制对去除靶的剩余的对基板表面加工的不良影响。在本发明中，用于除去基板（5）的后表面的去除靶的基板处理方法（基板处理系统（1））具有：背面加工工序（后表面处理装置（10）），使用基板（5）的后表面作为顶面的基板支撑体（34）的基板（5）的外周部分，并且在固定的处理范围（50）内将去除目标移除到所述基板支撑体（34）从所述基板（5）的后表面的内周部分延伸; 以及使用基板（5）的后表面作为底部吸附和保持基板（5）的后表面的内周部的后表面边缘部分处理（后表面边缘部分处理设备（11））表面，并且在从基板（5）的后表面的外周部分的内周侧处于固定处理范围（7）内去除去除目标。在执行后表面边缘部分处理处理之后，基板处理方法执行基板的反转，然后进行后表面处理处理。

9. 发明授权

KR101601341B1 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 有权
标题翻译：基板处理方法及基板处理装置
公开(公告)号：KR101601341B1
公开(公告)日：2016-03-08
申请号：KR1020110118816
申请日：2011-11-15
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 다나카사토루 , 오리이다케히코 , 마루야마히로타카 , 미나미데루오미 , 나카모리미츠노리
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： H01L21/67028 , H01L21/67051
摘要： 본발명은휘발성을갖는건조액을이용하여기판을건조시킬때에, 기판표면에워터마크가발생하여미세한파티클이부착되는것을방지하는것을목적으로한다. 본발명에서는, 기판을처리액으로액처리한후에휘발성처리액으로건조처리하는기판처리방법및 기판처리장치에있어서, 상기기판에처리액을공급하여처리하는공정과, 상기처리액의액막이형성된상기기판을가열하는공정과, 상기처리액의액막이형성된기판에휘발성처리액을공급하는공정과, 상기기판에의상기휘발성처리액의공급을정지하는공정과, 상기휘발성처리액을제거하여기판을건조하는공정을가지며, 상기기판을가열하는공정은상기휘발성처리액을공급하는공정보다이전에시작되고, 상기기판의표면이상기휘발성처리액에노출되는것보다이전에, 상기기판의표면온도가노점온도보다높아지도록상기기판이가열되는것으로하였다.
摘要翻译：本发明的一个目的是防止当通过使用挥发性干燥液干燥基底以粘附微细颗粒时在基底表面上产生水印。通过供应处理溶液到基底上，所述处理液的形成的液体膜的基板。根据本发明，在基板至处理液体溶液处理hanhue挥发性衬底处理方法和衬底处理设备，用于处理的步骤的液体干燥处理向形成有处理液的液膜的基板供给挥发性处理液的工序，停止向基板供给挥发性处理液的工序，通过除去挥发性处理液而使基板干燥的工序其中，在提供挥发性处理液的步骤之前和在基板表面暴露于挥发性处理液之前，基板的表面温度高于露点温度之前，加热基板的步骤开始，以便衬底被加热。

10. 发明公开

KR1020140147716A 액 처리 방법, 액 처리 장치 및 기억 매체 审中-实审
标题翻译：液体加工方法，液体加工设备和储存介质
公开(公告)号：KR1020140147716A
公开(公告)日：2014-12-30
申请号：KR1020140073526
申请日：2014-06-17
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 하치야요스케 , 가와노히사시 , 나카모리미츠노리 , 노나카준 , 미조타쇼고 , 나가마츠다츠야 , 사이키다이스케 , 데라오카가즈히로 , 야부타다카시
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/08 , H01L21/02
CPC分类号： B05D3/107 , B05B3/001 , B05B12/04 , B05D1/005 , B05D5/08 , H01L21/67051 , H01L21/68792
摘要： Disclosed is a liquid processing method which may de-electrify the surface of a hydrophobized substrate. A substrate electrified by a liquid processing is de-electrified by supplying hydrophobizing liquid to the surface of a substrate (W) subjected to the liquid processing while rotating the substrate (W) for hydrophobizing the surface of the substrate, and performing rinsing by supplying alkaline rinsing liquid to the hydrophobized surface of the substrate (W).
摘要翻译：公开了一种可以使疏水化基材的表面去电的液体处理方法。通过将液体处理带电的基板通过向基板（W）的表面供给疏水化液体而进行脱气，同时旋转用于使基板表面疏水化的基板（W），并且通过供给碱性进行漂洗冲洗液体到基底的疏水化表面（W）。

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