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1. 发明授权

KR100392549B1 플라즈마처리장치 失效
公开(公告)号：KR100392549B1
公开(公告)日：2003-12-18
申请号：KR1019970033443
申请日：1997-07-18
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 고미노미쓰아키 , 아라미주니치 , 야쓰다고이치
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01J37/3244 , H01J37/32458 , H01J37/32834
摘要： A plasma etching apparatus (100) has a central processing chamber (101), an upper exhaust chamber (103) thereabove, and a lower exhaust chamber (105) therebelow. The processing chamber (101), the upper exhaust chamber (103), and the lower exhaust chamber (105) are airtightly formed by a central casing part (CC), an upper casing part (UC), and a lower casing part (LC) which are separably combined. The upper and lower exhaust chambers (103, 105) are respectively connected to upper and lower exhaust pumps (124, 132). A susceptor (114) having a support surface (114a) for supporting a target object (W), and an upper electrode or shower head (102) opposing it are arranged in the processing chamber (101). A processing gas spouted through the shower head (102) flows upward and downward toward the upper and lower exhaust chambers (103, 105) via the processing chamber (101).
摘要翻译：等离子体蚀刻设备（100）具有中央处理室（101），其上的上排气室（103）和位于其下方的下排气室（105）。处理室101，上排气室103和下排气室105由中央壳体部分CC，上壳体部分UC和下壳体部分LC气密地形成。），它们可分开组合。上部和下部排气室（103,105）分别连接到上部和下部排气泵（124,132）。在处理室（101）内配置有具有用于支撑被处理体（W）的支撑面（114a）的基座（114）和与其相对的上部电极或喷头（102）。通过喷淋头102喷出的处理气体经由处理室101向上下方向上下排气室103,105流动。＆lt;图像＆GT;

2. 发明授权

KR100173040B1 가열장치 및 그 제조방법,및 그것을 이용한 처리장치 失效
标题翻译：加热装置及其制造和处理装置
公开(公告)号：KR100173040B1
公开(公告)日：1999-03-30
申请号：KR1019950033173
申请日：1995-09-29
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 아라미주니치 , 이시가와겐지 , 우시가와하루노리 , 야나기사와이사오 , 가와다노부오 , 모기히로시
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： C23C16/466 , C23C16/46 , H01L21/67103 , H05B3/265 , H05B3/283 , Y10T29/49083
摘要： 본 발명은 반도체 웨이퍼(W) 등의 대상물을 가열하기 위한 가열장치로 내식성이 우수하며 오염원인이 되는 파티클을 발생시키지 않고, 또 급격한 승강온이 가능하고 대기측에서의 유효한 급전이 가능한 가열장치 및 그 제조방법, 및 그것을 이용한 처리장치를 제공하는 것을 목적으로 하는 것으로, 피가열체를 가열하는 가열면을 갖고, 실리카로 형성된 가열판(11, 71)과; 소정 패턴을 갖고, 가열판의 가열면과 반대측 면에 고정되는 발열체(31, 74)와; 가열판의 발열체가 형성된 면에 밀착되고, 실리카로 형성된 반사판(21, 81)과;으로 가열장치(1, 61)가 형성되는 것이며, 이 가열장치를 CVD장치내의 처리용기내에 설치하고, 그 위에 반도체 웨이퍼를 올려놓고 가열하면서 처리용기(41)내에 처리가스를 도입하는 것에 의해 반도체 웨이퍼에 소정의 막이 형성된다.

3. 发明授权

KR100674279B1 처리장치 및 처리방법 失效
标题翻译：处理装置和处理方法
公开(公告)号：KR100674279B1
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：KR1020057017183
申请日：2004-03-15
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이시자카다다히로 , 요시이나오키 , 가와무라고헤이 , 후쿠다유키오 , 시게오카다카시 , 고지마야스히코 , 오시마야스히로 , 아라미주니치 , 고미아츠시
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/02
CPC分类号： C23C16/45542 , C23C16/34 , C23C16/452 , C23C16/45561 , Y10T137/86558 , Y10T137/86566 , Y10T137/86638 , Y10T137/86726 , Y10T137/86743 , Y10T137/86751 , Y10T137/86871
摘要： 처리장치는, 환원가스의 플라즈마를 연속하여 생성하면서, 원료가스와 환원가스의 공급을 교대로 전환하면서 공급할 수 있다. 여기장치(12)는 공급된 환원가스를 여기한다. 여기된 환원가스는 처리용기(2)에 공급된다. 전환기구(20)가, 여기장치(12)와 처리용기(2)의 사이에 마련된다. 바이패스라인(22)이, 전환기구(20)에 접속된다. 전환기구(20)는, 여기된 환원가스의 여기장치(12)로부터의 흐름을, 처리용기(2)와 바이패스라인(22) 중 어느 한쪽으로 전환한다.
摘要翻译：处理装置可以在连续产生还原气体的等离子体的同时交替地切换源气体和还原气体的供应的同时供应源气体和还原气体。激励装置12激励供应的还原气体。被激发的还原气体被供给到处理容器2。在励磁装置12与处理容器2之间设置有切换机构20。旁路线路22连接到切换机构20。切换机构20将被激励的还原气体激励装置12的流量切换到处理容器2或旁通管路22。

4. 发明公开

KR1020050108395A 처리장치 및 처리방법 失效
标题翻译：加工设备和加工方法
公开(公告)号：KR1020050108395A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：KR1020057017183
申请日：2004-03-15
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이시자카다다히로 , 요시이나오키 , 가와무라고헤이 , 후쿠다유키오 , 시게오카다카시 , 고지마야스히코 , 오시마야스히로 , 아라미주니치 , 고미아츠시
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/02
CPC分类号： C23C16/45542 , C23C16/34 , C23C16/452 , C23C16/45561 , Y10T137/86558 , Y10T137/86566 , Y10T137/86638 , Y10T137/86726 , Y10T137/86743 , Y10T137/86751 , Y10T137/86871
摘要： A processing apparatus is disclosed which is capable of switching supplies of a raw material gas and a reducing gas alternately, while continuously forming a plasma of the reducing gas. An excitation device (12) excites a reducing gas supplied thereinto, and the excited reducing gas is supplied into a process chamber (2). A switching mechanism (20) is arranged between the excitation device (12) and the process chamber (2), and a bypass line (22) is connected to the switching mechanism (20). The switching mechanism (20) switches the flow of the excited reducing gas from the excitation device (12) between the process chamber (2) and the bypass line (22).
摘要翻译：公开了能够在连续地形成还原气体的等离子体的同时交替地切换原料气体和还原气体的供给的处理装置。励磁装置（12）激发供给到其中的还原气体，并将被激发的还原气体供给到处理室（2）。在励磁装置（12）和处理室（2）之间设置有切换机构（20），旁通管路（22）与切换机构（20）连接。切换机构（20）切换来自处理室（2）和旁通管线（22）之间的激发装置（12）的被激发的还原气体的流动。

5. 发明公开

KR1020020027604A 마그네트론 플라즈마 처리 장치 有权
公开(公告)号：KR1020020027604A
公开(公告)日：2002-04-13
申请号：KR1020027002700
申请日：2000-08-28
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 야마사키도모미 , 기무라히데토시 , 오노히루 , 아라미주니치 , 고시이시아키라 , 미야타고지
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 기판(30)에 마그네트론 플라즈마 처리를 하는 데 있어서, 다수의 이방성 세그먼트 자석(22)을 챔버(1)의 둘레의 벽의 주위에 링 형상으로 배치하여 구성되는 쌍극자 링 자석(21)을 설치하고, 서로 이격된 한 쌍의 평행 전극 사이의 전계 방향에 직교하는 평면 내에서 자장 방향 B에 직교하는 방향을 따라서 E극측으로부터 W극측을 향해 자장 강도가 작아지는 자장 구배를 형성하며, 상기 복수의 이방성 세그먼트 자석은 피처리 기판의 E극측 단부의 외측에 위치하는 영역
A 의 근방에 이 영역에 N극을 향하게 하여 배치된 이방성 세그먼트 자석으로 구성되는 제 1 부분(
a )과, 상기 영역에 S극을 향하게 하여 배치된 이방성 세그먼트 자석으로 구성되는 제 2 부분(
b )을 포함하고, 이들 제 1 부분 및 제 2 부분에 의해 상기 제 1 및 제 2의 영역의 자장 강도를 국부적으� �� 높게 하고 있다.

6. 发明公开

KR1019960012379A 가열장치 및 그 제조방법,및 그것을 이용한 처리장치 失效
标题翻译：加热装置，制造该装置的方法
公开(公告)号：KR1019960012379A
公开(公告)日：1996-04-20
申请号：KR1019950033173
申请日：1995-09-29
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 아라미주니치 , 이시가와겐지 , 우시가와하루노리 , 야나기사와이사오 , 가와다노부오 , 모기히로시
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： C23C16/466 , C23C16/46 , H01L21/67103 , H05B3/265 , H05B3/283 , Y10T29/49083
摘要： 본발명은반도체웨이퍼(W) 등의대상물을가열하기위한가열장치로내식성이우수하며오염원인이되는파티클을발생시키지않고, 또급격한승강온이가능하고대기측에서의유효한급전이가능한가열장치및 그제조방법, 및그것을이용한처리장치를제공하는것을목적으로하는것으로, 피가열체를가열하는가열면을갖고, 실리카로형성된가열판(11,71)과; 소정패턴을갖고, 가열판의가열면과반대측면에고정되는발열체(31,74)와; 가열판의발열체가형성된면에밀착되고, 실리카로형성된반사판(21,81)과;으로가열장치(1,61)가형성되는것이며, 이가열장치를 CVD 장치내의처리용기내에설치하고, 그위에반도체웨이퍼를올려놓고가열하면서처리용기(41)내에처리가스를도입하는것에의해반도체웨이퍼에소정의막이형성된다.
摘要翻译：加热装置技术领域本发明涉及一种用于加热诸如半导体晶片（W）的物体的加热装置，该加热装置不会产生耐腐蚀且引起污染的颗粒，能够突然升高和降低温度，以及使用其的加工装置，其包括由二氧化硅形成的加热板（11,71），该加热板具有用于加热待加热的目标的加热表面; 一个加热元件（31,74），其具有预定的图案并固定在加热板的与加热侧相反的一侧上; 和在与形成的表面反射器（21,81）和二氧化硅形成紧密接触的加热板的加热元件;将所述加热装置（1,61），其为形式类型性别，虱和在热处理容器中的CVD装置安装设备，其上的半导体通过在加热晶片的同时将处理气体引入处理容器41中在半导体晶片上形成预定的膜。

7. 发明授权

KR100600177B1 마그네트론 플라즈마 처리 장치 有权
标题翻译： MAGNETRON等离子体加工设备
公开(公告)号：KR100600177B1
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：KR1020027002700
申请日：2000-08-28
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 야마사키도모미 , 기무라히데토시 , 오노히루 , 아라미주니치 , 고시이시아키라 , 미야타고지
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 기판(30)에 마그네트론 플라즈마 처리를 하는 데 있어서, 다수의 이방성 세그먼트 자석(22)을 챔버(1)의 둘레의 벽의 주위에 링 형상으로 배치하여 구성되는 쌍극자 링 자석(21)을 설치하고, 서로 이격된 한 쌍의 평행 전극 사이의 전계 방향에 직교하는 평면 내에서 자장 방향 B에 직교하는 방향을 따라서 E극측으로부터 W극측을 향해 자장 강도가 작아지는 자장 구배를 형성하며, 상기 복수의 이방성 세그먼트 자석은 피처리 기판의 E극측 단부의 외측에 위치하는 영역
A 의 근방에 이 영역에 N극을 향하게 하여 배치된 이방성 세그먼트 자석으로 구성되는 제 1 부분(
a )과, 상기 영역에 S극을 향하게 하여 배치된 이방성 세그먼트 자석으로 구성되는 제 2 부분(
b )을 포함하고, 이들 제 1 부분 및 제 2 부분에 의해 상기 제 1 및 제 2의 영역의 자장 강도를 국부적으로 높게 하고 있다.

8. 发明公开

KR1019980012065A 플라즈마처리장치 失效
公开(公告)号：KR1019980012065A
公开(公告)日：1998-04-30
申请号：KR1019970033443
申请日：1997-07-18
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 고미노미쓰아키 , 아라미주니치 , 야쓰다고이치
IPC分类号： H01L21/306

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