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1. 发明公开

KR1020060016814A 성막 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 반도체 장치 및 성막장치 失效
标题翻译：沉积膜的工艺，制造半导体器件的工艺，用于沉积膜的半导体器件和系统
公开(公告)号：KR1020060016814A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：KR1020057024111
申请日：2004-04-27
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이시자카다다히로 , 오시마야스히로 , 요시이나오키 , 시게오카다카시 , 가와무라고헤이 , 후쿠다유키오 , 고지마야스히코
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： C23C16/34 , C23C16/45529 , C23C16/45542 , H01L21/28562 , H01L21/76846 , H01L21/7685 , H01L2221/1078
摘要： A process for depositing a film on a substrate being processed placed in a processing container, comprising a first film deposition step repeating a first step for supplying a first material gas of organic metal compound containing no halogen element into the processing container and then removing the first material gas from the inside of the processing container and a second step for supplying a second material gas containing hydrogen or a hydrogen compound into the processing container and then removing the second material gas from the inside of the processing container, and a second film deposition step repeating a third step for supplying a third material gas of metal halide into the processing container and then removing the third material gas from the substrate being processed and a fourth step for supplying a fourth material gas containing hydrogen or a hydrogen compound into the processing container and then removing the fourth material gas from the inside of the processing container.
摘要翻译：一种用于在被处理的基板上沉积薄膜的方法，放置在处理容器中，包括第一薄膜沉积步骤，重复第一步骤，用于将不含卤素元素的有机金属化合物的第一原料气体供应到处理容器中，从处理容器的内部的原料气体和向处理容器供给含有氢或氢化合物的第二原料气体，然后从处理容器的内部除去第二原料气体的第二工序，以及第二成膜工序重复第三步骤，将金属卤化物的第三原料气体供应到处理容器中，然后从被处理的基板中除去第三原料气体;第四步骤，将含有氢或氢化合物的第四材料气体供应到处理容器中，然后从处理配件的内部去除第四原料气体 TAINER。

2. 发明公开

KR1020050101573A 박막의 형성방법, 박막의 형성장치, 프로그램 및컴퓨터판독가능정보기록매체 有权
标题翻译：形成薄膜的方法，薄膜成型装置，程序和计算机可读信息记录介质
公开(公告)号：KR1020050101573A
公开(公告)日：2005-10-24
申请号：KR1020057016308
申请日：2004-02-26
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 오시마야스히로 , 고지마야스히코 , 시게오카다카시 , 간난히로시 , 이시자카다다히로
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45523 , C23C16/34 , C23C16/45525 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76843
摘要： A method of rapidly forming a thin film of high quality through film formation by alternate feeding of raw gases. In particular, a method of forming a TiN thin film, comprising repeating operations including causing TiCl4 gas as a raw gas to be adsorbed on a substrate or TiCl4 molecules adsorbed on a substrate and feeding NH3 gas as a reactant gas in a treating chamber so as to effect reaction of TiCl4 and NH3 leading to formation of a TiN film, which method further comprises an operation of, prior to the adsorption of TiCl4 gas on the substrate, feeding reducing H2 gas in the treating chamber (30) so as to change TiCl4 to a state of enhanced likelihood of adsorption on the substrate (e.g., TiCl3).
摘要翻译：通过交替进料原料气体，通过成膜快速形成高质量的薄膜的方法。特别是形成TiN薄膜的方法，其特征在于，包括使作为原料气体的TiCl 4气体吸附在基板上的重复操作或吸附在基板上的TiCl 4分子，将NH 3气体作为反应气体供给到处理室中，以实现TiCl 4和NH 3的反应，导致TiN膜的形成，该方法还包括在将TiCl 4气体吸附在衬底上之前，在处理室（30）中进料还原H 2气体以改变TiCl 4 达到在底物上吸附的可能性增加的状态（例如，TiCl 3）。

3. 发明公开

KR1020050108395A 처리장치 및 처리방법 失效
标题翻译：加工设备和加工方法
公开(公告)号：KR1020050108395A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：KR1020057017183
申请日：2004-03-15
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이시자카다다히로 , 요시이나오키 , 가와무라고헤이 , 후쿠다유키오 , 시게오카다카시 , 고지마야스히코 , 오시마야스히로 , 아라미주니치 , 고미아츠시
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/02
CPC分类号： C23C16/45542 , C23C16/34 , C23C16/452 , C23C16/45561 , Y10T137/86558 , Y10T137/86566 , Y10T137/86638 , Y10T137/86726 , Y10T137/86743 , Y10T137/86751 , Y10T137/86871
摘要： A processing apparatus is disclosed which is capable of switching supplies of a raw material gas and a reducing gas alternately, while continuously forming a plasma of the reducing gas. An excitation device (12) excites a reducing gas supplied thereinto, and the excited reducing gas is supplied into a process chamber (2). A switching mechanism (20) is arranged between the excitation device (12) and the process chamber (2), and a bypass line (22) is connected to the switching mechanism (20). The switching mechanism (20) switches the flow of the excited reducing gas from the excitation device (12) between the process chamber (2) and the bypass line (22).
摘要翻译：公开了能够在连续地形成还原气体的等离子体的同时交替地切换原料气体和还原气体的供给的处理装置。励磁装置（12）激发供给到其中的还原气体，并将被激发的还原气体供给到处理室（2）。在励磁装置（12）和处理室（2）之间设置有切换机构（20），旁通管路（22）与切换机构（20）连接。切换机构（20）切换来自处理室（2）和旁通管线（22）之间的激发装置（12）的被激发的还原气体的流动。

4. 发明公开

KR1020040020820A 처리 장치 및 처리 방법 无效
标题翻译：治疗装置和治疗方法
公开(公告)号：KR1020040020820A
公开(公告)日：2004-03-09
申请号：KR1020030060523
申请日：2003-08-30
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 간난히로시 , 이시자카다다히로 , 고지마야스히코 , 오시마야스히로 , 시게오카다카시
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/28562 , C23C16/34 , C23C16/45557
摘要： PURPOSE: To provide a treatment apparatus and treatment method capable of shortening the time for switching gaseous raw materials by shortening the time required for evacuation of the gaseous raw materials and of maintaining the temperature on a substrate surface under treatment constant. CONSTITUTION: The treating gases containing gaseous raw materials(TiCl4 and NH3) and inert gas(N2) are supplied into a treating vessel 2. The pressure in the treating vessel 2 is detected by a pressure gage 6 and the flow rate of the treating gases supplied into the treating vessel 2 is controlled in accordance with the result of the detection. Purging of the gaseous raw materials is performed by the inert gas. The flow rate as the entire part of the gaseous raw materials is controlled and the pressure in the treating vessel 2 is maintained constant by maintaining the flow rate of the treating gaseous raw material constant and by controlling the flow rate of the inert gas.
摘要翻译：目的：提供一种处理装置和处理方法，其能够缩短气态原料的切换时间，缩短气体原料抽真空所需的时间，并将处理温度保持在处理常数上。构成：将含有气态原料（TiCl 4和NH 3）和惰性气体（N 2）的处理气体供给到处理容器2.处理容器2中的压力由压力计6检测，处理气体的流量根据检测结果来控制供应到处理容器2中。气态原料的清除是通过惰性气体进行的。通过保持处理气态原料的流量恒定并控制惰性气体的流量，控制作为气态原料的整个部分的流量，并且处理容器2中的压力保持恒定。

5. 发明授权

KR100724181B1 성막 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 반도체 장치 및 성막장치 失效
标题翻译：沉积膜的工艺，制造半导体器件的工艺，用于沉积膜的半导体器件和系统
公开(公告)号：KR100724181B1
公开(公告)日：2007-05-31
申请号：KR1020057024111
申请日：2004-04-27
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이시자카다다히로 , 오시마야스히로 , 요시이나오키 , 시게오카다카시 , 가와무라고헤이 , 후쿠다유키오 , 고지마야스히코
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： C23C16/34 , C23C16/45529 , C23C16/45542 , H01L21/28562 , H01L21/76846 , H01L21/7685 , H01L2221/1078
摘要： 처리 용기 내의 피처리 기판에 성막하는 성막 방법으로서, 할로젠 원소를 포함하지 않는 유기 금속 화합물로 이루어지는 제 1 원료 가스를 상기 처리 용기 내에 공급한 후, 상기 제 1 원료 가스를 상기 처리 용기 내로부터 제거하는 제 1 공정, 및 수소 또는 수소 화합물을 포함하는 제 2 원료 가스를 상기 처리 용기 내에 공급한 후, 상기 제 2 원료 가스를 상기 처리 용기 내로부터 제거하는 제 2 공정을 반복하여 이루어지는 제 1 막 성장 공정; 및 금속 할로젠화물로 이루어지는 제 3 원료 가스를 상기 처리 용기 내에 공급한 후, 상기 제 3 원료 가스를 상기 피처리 기판으로부터 제거하는 제 3 공정, 및 수소 또는 수소 화합물을 포함하는 제 4 원료 가스를 상기 처리 용기 내에 공급한 후, 상기 제 4 원료 가스를 상기 처리 용기 내로부터 제거하는 제 4 공정을 반복하여 이루어지는 제 2 막 성장 공정으로 이루어지는 성막 방법을 사용했다.

6. 发明授权

KR100697897B1 기판 처리 장치, 기판 처리 장치의 클리닝의 종점 검출 방법, 및 기판 처리의 종점 검출 방법 失效
标题翻译：基板处理单元，检测基板处理单元的清洁端点的方法以及检测基板处理的端点的方法
公开(公告)号：KR100697897B1
公开(公告)日：2007-03-20
申请号：KR1020057003044
申请日：2003-08-28
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 간난히로시 , 이시자카다다히로 , 고지마야스히코 , 오시마야스히로 , 시게오카다카시
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： C23C16/4412 , C23C16/4405 , C23C16/52 , H01L21/67028 , H01L21/67253 , H01L22/26
摘要： 본 발명의 기판 처리 장치는 기판을 수용(收容)하는 처리용기와, 상기 처리용기 내에 상기 처리용기 내를 클리닝하기 위한 클리닝 가스를 공급하는 클리닝 가스 공급계와, 상기 처리용기 내를 배기하는 배기 장치와, 상기 배기 장치의 작동 상태를 검출하는 작동 상태 검출기와, 상기 작동 상태 검출기의 검출 결과에 근거하여 상기 클리닝의 종점을 검출하는 종점 검출기를 구비하고 있다.

7. 发明公开

KR1020050058459A 기판 처리 장치, 기판 처리 장치의 클리닝의 종점 검출 방법, 및 기판 처리의 종점 검출 방법 失效
标题翻译：基板处理单元，检测基板处理单元的清洁端点的方法以及检测基板处理的端点的方法
公开(公告)号：KR1020050058459A
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：KR1020057003044
申请日：2003-08-28
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 간난히로시 , 이시자카다다히로 , 고지마야스히코 , 오시마야스히로 , 시게오카다카시
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： C23C16/4412 , C23C16/4405 , C23C16/52 , H01L21/67028 , H01L21/67253 , H01L22/26
摘要： A substrate processing unit comprises a processing vessel for receiving a substrate, a cleaning gas supply system for supplying cleaning gas to the processing vessel so as to clean the interior of the processing vessel, an exhauster for exhausting the processing vessel, an operating state detector for detecting the operating state of the exhauster, and an end point detector for detecting the end point of the cleaning on the basis of the detection result from the operating state detector.
摘要翻译：衬底处理单元包括用于接收衬底的处理容器，用于向处理容器提供清洁气体以清洁处理容器内部的清洁气体供应系统，用于排出处理容器的排气器，用于排出处理容器的操作状态检测器检测排气器的运行状态，以及终点检测器，用于根据来自运行状态检测器的检测结果来检测清洗的终点。

8. 发明授权

KR100715065B1 박막의 형성방법, 박막의 형성장치, 프로그램 및컴퓨터판독가능정보기록매체 有权
标题翻译：形成薄膜的方法，薄膜成型装置，程序和计算机可读信息记录介质
公开(公告)号：KR100715065B1
公开(公告)日：2007-05-07
申请号：KR1020057016308
申请日：2004-02-26
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 오시마야스히로 , 고지마야스히코 , 시게오카다카시 , 간난히로시 , 이시자카다다히로
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45523 , C23C16/34 , C23C16/45525 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76843
摘要： 원료로 되는 가스를 교대로 공급하므로써 성막을 실행하는 박막의 형성으로서 고품질의 박막을 신속히 형성하는 방법에 관한 것으로, 원료가스인 TiCl
4 가스를 기판상 혹은 기판에 흡착하고 있는 TiCl
4 의 분자상에 흡착시키고, 반응가스인 NH
3 가스를 처리용기내에 공급하여, 이 NH
3 와 TiCl
4 를 반응시켜 TiN을 성막하는 공정을 갖고, 이들의 공정을 되풀이하여 실시하므로써 TiN 박막을 형성하는 방법에 있어서, 또한 TiCl
4 가스가 기판상에 흡착하기 전에, 환원성을 갖는 H
2 가스를 처리용기 내에 공급하여, TiCl
4 를 기판에 흡착하기 쉬운 상태(예컨대, [TiCl
3 ]
+ )로 변화시키는 공정을 마련한다.

9. 发明授权

KR100674279B1 처리장치 및 처리방법 失效
标题翻译：处理装置和处理方法
公开(公告)号：KR100674279B1
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：KR1020057017183
申请日：2004-03-15
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 이시자카다다히로 , 요시이나오키 , 가와무라고헤이 , 후쿠다유키오 , 시게오카다카시 , 고지마야스히코 , 오시마야스히로 , 아라미주니치 , 고미아츠시
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/02
CPC分类号： C23C16/45542 , C23C16/34 , C23C16/452 , C23C16/45561 , Y10T137/86558 , Y10T137/86566 , Y10T137/86638 , Y10T137/86726 , Y10T137/86743 , Y10T137/86751 , Y10T137/86871
摘要： 처리장치는, 환원가스의 플라즈마를 연속하여 생성하면서, 원료가스와 환원가스의 공급을 교대로 전환하면서 공급할 수 있다. 여기장치(12)는 공급된 환원가스를 여기한다. 여기된 환원가스는 처리용기(2)에 공급된다. 전환기구(20)가, 여기장치(12)와 처리용기(2)의 사이에 마련된다. 바이패스라인(22)이, 전환기구(20)에 접속된다. 전환기구(20)는, 여기된 환원가스의 여기장치(12)로부터의 흐름을, 처리용기(2)와 바이패스라인(22) 중 어느 한쪽으로 전환한다.
摘要翻译：处理装置可以在连续产生还原气体的等离子体的同时交替地切换源气体和还原气体的供应的同时供应源气体和还原气体。激励装置12激励供应的还原气体。被激发的还原气体被供给到处理容器2。在励磁装置12与处理容器2之间设置有切换机构20。旁路线路22连接到切换机构20。切换机构20将被激励的还原气体激励装置12的流量切换到处理容器2或旁通管路22。

10. 发明授权

KR100509085B1 열 처리 시스템 失效
标题翻译：热处理系统
公开(公告)号：KR100509085B1
公开(公告)日：2005-08-18
申请号：KR1020027014011
申请日：2001-04-17
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 사쿠마다케시 , 시게오카다카시 , 리이쳉
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/68792 , C23C16/481 , H01L21/67115
摘要： 열 처리 시스템은 가열 램프 시스템에 의해 피처리체에 복사열을 가함으로써 대략 원형의 피처리체상에서 소정의 열 처리를 실행한다. 가열 램프 시스템은 피처리체에 대응하도록 동심으로 배치된 다수의 램프를 포함한다. 다수의 램프는 피처리체의 각 영역에 대해 개별적으로 제어된다.

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