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1. 发明公开

KR1020150040769A 실리콘 질화물 막의 성막 방법 및 성막 장치 审中-实审
标题翻译：形成硅氮化硅膜的方法和装置
公开(公告)号：KR1020150040769A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：KR1020140135241
申请日：2014-10-07
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 가키모토,아키노부 , 하세베,가즈히데
IPC分类号： H01L21/318 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/345 , C23C16/45534 , C23C16/45542 , C23C16/45544 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , C23C16/46 , C23C16/505 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228
摘要： 본발명은, 하드의개량에만의존하지않고, 또한, 막의균일성, 전기적또는물리적특성및 가공성등의유저로부터의요구를충족하면서, 성막장치의생산성을향상시키는것이가능한실리콘질화물막의성막방법을제공하는것이다. (1) 피처리면을향해, 실리콘을포함하는실리콘원료가스를공급하는공정(스텝 1)과, 피처리면을향해, 실리콘원료가스의분해를촉진시키는물질을포함하는분해촉진가스를공급하는공정(스텝 3)을미리정해진제1 횟수반복하는공정과(단, n은 1 이상의유한값), (2) 피처리면을향해, 질소를포함하는질화가스를공급하는공정을미리정해진제2 횟수행하는공정(스텝 6)을구비하고, (1) 공정으로부터 (2) 공정까지의시퀀스를 1 사이클로하여, 1 사이클을미리정해진제3 횟수행하여, 실리콘질화물막을피처리면위에성막한다.
摘要翻译：本发明提供了一种通过满足用户的要求（例如膜的均匀性，电气和物理性能以及加工性能）而不是提高硬件来制造氮化硅膜的方法，用于使膜生成装置提高其生产率。（1）第一步是向待处理的表面供给包含硅的原料硅，然后重复该工序（工序3）一次供给气体以促进原料硅分解的工序（在这种情况下为n 是1以上的有限值; （2）下一步是通过重复该工艺（步骤6）两次以提供包括氮的硝酸气体并再次重复从步骤1至步骤2的每个循环的循环三次来在表面上形成氮化硅膜。

2. 发明授权

KR101824764B1 오목부를 충전하는 방법 有权
标题翻译：减压填充法
公开(公告)号：KR101824764B1
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：KR1020140186827
申请日：2014-12-23
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 가키모토,아키노부 , 치바,요우이치로우 , 야마다,다쿠미 , 스즈키,다이스케
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/76877 , C30B1/023 , C30B25/00 , C30B29/06 , H01L21/02667 , H01L21/28525 , H01L21/28531 , H01L21/67109 , H01L21/76879
摘要： 피처리체의오목부를충전하는방법이제공된다. 피처리체는, 반도체기판및 해당반도체기판위에형성된절연막을갖는다. 이방법은, 오목부를구획형성하는벽면을따라불순물이도핑된제1 반도체층을형성하는공정과, 제1 반도체층위에, 해당제1 반도체층의불순물농도보다낮은불순물농도를갖고또한해당제1 반도체층의막 두께보다작은막 두께를갖는제2 반도체층을형성하는공정과, 피처리체를어닐하는공정과, 제1 반도체층에포함되는제1 아몰퍼스반도체영역및 제2 반도체층에포함되는제2 아몰퍼스반도체영역을에칭하는공정을포함한다.
摘要翻译：一种用于填充包括半导体衬底和在半导体衬底上形成的绝缘膜的工件的凹陷的凹陷填充方法，包括：沿着限定凹陷的壁表面形成掺杂有杂质的第一半导体层; 在所述第一半导体层上形成第二半导体层，所述第二半导体层的杂质浓度低于所述第一半导体层，并且所述第二半导体层的厚度小于所述第一半导体层的厚度; 对所述工件进行退火以在所述凹陷的底部处形成对应于来自所述第一半导体层和所述第二半导体层的所述半导体衬底的晶体的外延区域; 以及刻蚀第一非晶半导体区域和第二非晶半导体区域。

3. 发明公开

KR1020150100557A 카본을 포함하는 실리콘막의 형성 방법, 및 형성 장치 审中-实审
标题翻译：形成含碳硅膜的方法和装置
公开(公告)号：KR1020150100557A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：KR1020150025765
申请日：2015-02-24
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 가키모토,아키노부
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/0262 , C23C16/30 , C23C16/325 , C23C16/45531 , C23C16/4554 , C23C16/45546 , C23C16/52 , H01L21/02529 , H01L21/02579 , H01L21/0237 , H01L21/02658
摘要： 불순물이 적은 카본을 포함하는 실리콘막의 형성 방법, 및 형성 장치를 제공한다. 카본을 포함하는 실리콘막의 형성 방법은, 흡착 스텝과 염소 제거 스텝을 구비하고 있다. 흡착 스텝에서는, 반도체 웨이퍼가 수용된 반응실 내에 테트라클로로실란을 공급하여 활성화시키고, 활성화된 테트라클로로실란과 반도체 웨이퍼를 반응시켜서 반도체 웨이퍼에 실리콘 흡착물을 흡착시킨다. 염소 제거 스텝에서는, 반응실 내에 트리이소프로필붕소를 공급하여 활성화시키고, 활성화된 트리이소프로필붕소와 실리콘 흡착물을 반응시켜서 실리콘 흡착물에 포함되는 염소를 제거한다. 그리고, 이 흡착 스텝과 염소 제거 스텝을, 이 순서대로 복수회 반복한다.
摘要翻译：提供了形成含有少量杂质的碳的硅膜的方法及其形成装置。形成含有硅的硅膜的方法包括吸收步骤和除氯步骤。在吸收步骤中，将四氯硅烷供应到容纳半导体晶片的反应器中，然后被激活，并且通过使活化的四氯硅烷和半导体晶片反应而将硅吸附物吸附到半导体晶片。在除氯步骤中，将三异丙基硼供给到反应器中，然后被活化，并且通过使活化的三异丙基硼和硅吸附物质反应来除去包含在被硅吸附物质中的氯。并且，通过相同的顺序重复吸收步骤和除氯步骤多次。

4. 发明授权

KR101813312B1 실리콘막의 성막 방법, 박막의 성막 방법 및 단면 형상 제어 방법 有权
标题翻译：形成硅膜的方法，形成薄膜的方法和控制横截面形状的方法
公开(公告)号：KR101813312B1
公开(公告)日：2017-12-28
申请号：KR1020140094940
申请日：2014-07-25
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 하세베,가즈히데 , 다카하시,가즈야 , 고모리,가츠히코 , 후루사와,요시카즈 , 오카다,미츠히로 , 하야시,히로유키 , 가키모토,아키노부
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/285 , C23C16/04 , C23C16/24 , H01L21/768 , H01L21/324 , H01L21/02
CPC分类号： C23C16/045 , C23C16/24 , H01L21/28556 , H01L21/32055 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L2221/1089
摘要： 본발명은, 한층더한박막화의요구에대해서도대응가능하고, 또한, 표면조도의정밀도도개선하는것이가능한실리콘막의성막방법을제공하는것이다. 피처리면위에분자식중에실리콘을 2개이상포함하는고차아미노실란계가스를공급하고, 피처리면위에실리콘을흡착시켜서시드층을형성하는공정(스텝 1)과, 시드층위에아미노기를포함하지않는실란계가스를공급하고, 시드층위에실리콘을퇴적시켜서실리콘막을형성하는공정(스텝 2)을구비하고, 스텝 1의공정에서의처리온도를 350℃이하실온이상의범위로한다.
摘要翻译：旨在提供一种能够应对进一步减薄和提高表面粗糙度精度的要求的硅膜形成方法。硅烷没有特色包括在高阶氨基硅烷类气体供给氨基，并通过在两个表面处理的硅的吸附特征形成籽晶层的（步骤1），在籽晶层包括两个或在前表面和后表面的分子式中更多的硅基础（步骤2），提供气体并在种子层上沉积硅以形成硅膜，并且步骤1中的处理温度设定为室温或更高温度下不低于350℃的温度。

5. 发明授权

KR101741876B1 오목부를 충전하는 방법 有权
标题翻译：如何填补这个空缺
公开(公告)号：KR101741876B1
公开(公告)日：2017-05-30
申请号：KR1020140105323
申请日：2014-08-13
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 오노데라,사토시 , 스즈키,다이스케 , 가키모토,아키노부
IPC分类号： H01L21/768 , C23C16/04 , C23C16/24 , C23C16/455 , C23C16/56 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/67069 , C23C16/045 , C23C16/24 , C23C16/45589 , C23C16/56 , C30B19/00 , C30B29/06 , H01L21/0243 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02592 , H01L21/0262 , H01L21/02658
摘要： 피처리체의오목부를충전하는방법이제공된다. 피처리체는, 반도체기판및 해당반도체기판위에형성된절연막을갖는다. 오목부는, 반도체기판까지연장되도록절연막을관통하고있다. 이방법은, 오목부를구획형성하는벽면을따라서반도체재료의박막을형성하는공정 (a)와, 피처리체를어닐하는공정으로서, 상기피처리체를어닐함으로써, 박막의반도체재료를오목부의바닥을향해이동시키고, 반도체기판의결정에따른에피택셜영역을형성하는공정 (b)와, 박막을에칭하는공정 (c)를포함한다.
摘要翻译：提供了填充待处理物体的凹部的方法。待处理的物体具有半导体衬底和在半导体衬底上形成的绝缘膜。凹部贯通绝缘膜而延伸到半导体基板。这种方法是，沿着形成朝向处理的内凹分隔室的壁表面的（a），以形成半导体材料的薄膜，将被处理用于通过退火对象使工件退火，一个步骤中，将薄膜的凹部的半导体材料的底部（B）根据半导体衬底的晶体形成外延区域，以及（c）蚀刻薄膜的步骤。

6. 发明公开

KR1020150077333A 오목부를 충전하는 방법 및 처리 장치 审中-实审
标题翻译：泄漏填充方法和处理装置
公开(公告)号：KR1020150077333A
公开(公告)日：2015-07-07
申请号：KR1020140186827
申请日：2014-12-23
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 가키모토,아키노부 , 치바,요우이치로우 , 야마다,다쿠미 , 스즈키,다이스케
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/76877 , C30B1/023 , C30B25/00 , C30B29/06 , H01L21/02667 , H01L21/28525 , H01L21/28531 , H01L21/67109 , H01L21/76879
摘要： 피처리체의오목부를충전하는방법이제공된다. 피처리체는, 반도체기판및 해당반도체기판위에형성된절연막을갖는다. 이방법은, 오목부를구획형성하는벽면을따라불순물이도핑된제1 반도체층을형성하는공정과, 제1 반도체층위에, 해당제1 반도체층의불순물농도보다낮은불순물농도를갖고또한해당제1 반도체층의막 두께보다작은막 두께를갖는제2 반도체층을형성하는공정과, 피처리체를어닐하는공정과, 제1 반도체층에포함되는제1 아몰퍼스반도체영역및 제2 반도체층에포함되는제2 아몰퍼스반도체영역을에칭하는공정을포함한다.
摘要翻译：提供一种填充待处理物体的凹陷单元的方法。被处理物体具有形成于半导体基板上的半导体基板和绝缘膜。该方法包括：形成第一半导体层的过程，其中外部杂质沿壁侧掺杂以分割和形成凹陷单元; 在第一半导体层上形成具有比第一半导体层低的异物浓度和薄膜厚度的第二半导体层的工艺; 对被处理物进行退火处理的工序; 以及蚀刻包括在第一半导体层中的第一非晶半导体区域和包括在第二半导体层中的第二非晶半导体区域的处理。根据本发明，可以抑制凹陷单元的填充中的空腔的产生。

7. 发明授权

KR101921359B1 실리콘 질화물 막의 성막 방법 및 성막 장치 有权
公开(公告)号：KR101921359B1
公开(公告)日：2018-11-22
申请号：KR1020140135241
申请日：2014-10-07
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 가키모토,아키노부 , 하세베,가즈히데
IPC分类号： H01L21/318 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/345 , C23C16/45534 , C23C16/45542 , C23C16/45544 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , C23C16/46 , C23C16/505 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228
摘要： 본발명은, 하드의개량에만의존하지않고, 또한, 막의균일성, 전기적또는물리적특성및 가공성등의유저로부터의요구를충족하면서, 성막장치의생산성을향상시키는것이가능한실리콘질화물막의성막방법을제공하는것이다. (1) 피처리면을향해, 실리콘을포함하는실리콘원료가스를공급하는공정(스텝 1)과, 피처리면을향해, 실리콘원료가스의분해를촉진시키는물질을포함하는분해촉진가스를공급하는공정(스텝 3)을미리정해진제1 횟수반복하는공정과(단, n은 1 이상의유한값), (2) 피처리면을향해, 질소를포함하는질화가스를공급하는공정을미리정해진제2 횟수행하는공정(스텝 6)을구비하고, (1) 공정으로부터 (2) 공정까지의시퀀스를 1 사이클로하여, 1 사이클을미리정해진제3 횟수행하여, 실리콘질화물막을피처리면위에성막한다.

8. 发明授权

KR101587319B1 게르마늄 박막의 성막 방법 有权
标题翻译：形成薄膜的方法
公开(公告)号：KR101587319B1
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：KR1020130022229
申请日：2013-02-28
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 가키모토,아키노부 , 나카지마,시게루 , 하세베,가즈히데
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/67017 , H01L21/0245 , H01L21/02488 , H01L21/02502 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02636
摘要： 본발명은, 반도체디바이스의특성상, 우려되는구조가발생하는것을억제하면서, 양호한평탄성을유지한채, 막두께를보다얇게하는것이가능한게르마늄박막의성막방법을제공한다. 이게르마늄박막의성막방법은, 아미노게르만계가스를사용하여하지의표면에게르마늄을흡착시켜, 게르마늄시드층을형성하는공정(스텝 S1)과, 게르만계가스를사용하여게르마늄시드층의표면에게르마늄박막을퇴적하는공정(스텝 S2)을구비한다.

9. 发明公开

KR1020150111319A 진공 처리 장치 无效
标题翻译：真空加工设备
公开(公告)号：KR1020150111319A
公开(公告)日：2015-10-05
申请号：KR1020150040895
申请日：2015-03-24
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 하세베,가즈히데 , 가키모토,아키노부 , 시미즈,아키라
IPC分类号： H01L21/314 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4588 , C23C16/4412 , C23C16/45508 , C23C16/45551
摘要： 본발명은, 기판의면 내에균일성높게처리를행함과함께, 일괄적으로성막처리할수 있는기판의매수를많게하여스루풋을높게할 수있는기술을제공한다. 본발명의일 실시예에따른진공처리장치는진공용기내에설치되고, 수평으로회전하는회전테이블과, 상기회전테이블을회전시키기위한구동기구와, 상기회전테이블에둘레방향을따라복수개가배열되고, 각각복수의기판을경사진상태이면서또한해당기판의표면이상기회전테이블의회전방향을향한상태로유지하는기판유지부와, 상기기판유지부에유지된상기복수의기판을가열하기위한가열부와, 상기기판유지부에유지된상기복수의기판에처리가스를공급하기위한처리가스공급부와, 상기진공용기내를진공배기하기위한진공배기기구를구비하도록진공처리장치를포함한다. 이와같은구성에의해, 기판의회전테이블에대한탑재수를증가시킴과함께, 기판표면에층류를형성하여면 내의처리균일성을높게할 수있다.
摘要翻译：本发明提供一种技术，其可以在均匀性高的基板的表面内进行加工，并且通过增加能够进行成膜的基板的数量而不发生结块而提高生产量。根据本发明的一个实施例，真空处理装置包括：安装在真空容器内的水平旋转的旋转台; 用于旋转所述旋转台的驱动单元; 多个基板保持单元沿着旋转台的圆周放置，以保持多个基板倾斜并保持基板的表面朝向旋转台的旋转方向; 用于加热由所述基板保持单元维持的所述多个基板的加热单元; 处理气体供给单元，用于向由所述基板保持单元维持的所述多个基板供给处理气体; 以及真空处理单元，其具有使真空容器通风的真空通风单元。因此，安装在基板的旋转台上的数量增加，并且在基板的表面上形成层流，以增加表面的加工均匀性。

10. 发明公开

KR1020150022675A 오목부를 충전하는 방법 有权
标题翻译：泄漏填充方法和处理装置
公开(公告)号：KR1020150022675A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：KR1020140105323
申请日：2014-08-13
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 오노데라,사토시 , 스즈키,다이스케 , 가키모토,아키노부
IPC分类号： H01L21/768 , C23C16/04 , C23C16/24 , C23C16/455 , C23C16/56 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/67069 , C23C16/045 , C23C16/24 , C23C16/45589 , C23C16/56 , C30B19/00 , C30B29/06 , H01L21/0243 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02592 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/76876 , H01L21/76879
摘要： 피처리체의 오목부를 충전하는 방법이 제공된다. 피처리체는, 반도체 기판 및 해당 반도체 기판 위에 형성된 절연막을 갖는다. 오목부는, 반도체 기판까지 연장되도록 절연막을 관통하고 있다. 이 방법은, 오목부를 구획 형성하는 벽면을 따라서 반도체 재료의 박막을 형성하는 공정 (a)와, 피처리체를 어닐하는 공정으로서, 상기 피처리체를 어닐함으로써, 박막의 반도체 재료를 오목부의 바닥을 향해 이동시키고, 반도체 기판의 결정에 따른 에피택셜 영역을 형성하는 공정 (b)와, 박막을 에칭하는 공정 (c)를 포함한다.
摘要翻译：在本发明中提供了一种填充被处理物体的凹部的方法，其能够抑制关于填充凹部的空腔的产生。待处理的物体包括形成在半导体衬底上的半导体衬底和绝缘膜。凹部穿过绝缘膜延伸到半导体衬底。该方法包括：（a）沿着分割形成凹部的壁面形成半导体材料的薄膜的工序（a）将所述薄膜的半导体材料朝向所述凹部的底部移动的步骤（b），并且通过对所述被处理物进行退火，根据所述半导体基板的结晶而形成外延区域，作为退火处理待处理对象; 以及蚀刻该薄膜的工序（c）。

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