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1. 发明公开

KR1020110002112A 금속 베이스 회로 기판과 그 제조 방법 失效
标题翻译： 금속베이스회로기판과그제조방법
公开(公告)号：KR1020110002112A
公开(公告)日：2011-01-06
申请号：KR1020107028251
申请日：2004-04-15
申请人： 덴카 주식회사
发明人： 요네무라나오미 , 야시마가투노리 , 츠지무라요시히코 , 이시쿠라히데노리 , 사이키다카시
IPC分类号： H05K1/05 , H05K3/44 , H01L23/12
CPC分类号： H01L23/66 , H01L21/4857 , H01L23/142 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L23/49822 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/16 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/0566 , H01L2224/05666 , H01L2224/45111 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/4516 , H01L2224/45166 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48472 , H01L2224/48611 , H01L2224/48624 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48655 , H01L2224/48666 , H01L2224/48711 , H01L2224/48724 , H01L2224/48739 , H01L2224/48747 , H01L2224/48755 , H01L2224/48766 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/4886 , H01L2224/48866 , H01L2224/4911 , H01L2224/85411 , H01L2224/85424 , H01L2224/85439 , H01L2224/85455 , H01L2224/8546 , H01L2224/85466 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01056 , H01L2924/01061 , H01L2924/01063 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2924/19051 , H01L2924/30105 , H05K1/0224 , H05K1/024 , H05K1/025 , H05K3/0061 , H05K2201/0187 , H05K2201/0209 , H05K2201/09745 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/48811 , H01L2224/48824 , H01L2224/48744 , H01L2224/4876 , H01L2224/4866
摘要： To provide a metal base circuit board excellent in heat dissipation properties, which remarkably reduces malfunction time of a semiconductor which occurs when a hybrid integrated circuit is operated at a high frequency. A metal base circuit board to be use for a hybrid integrated circuit, comprising circuits provided on a metal plate via an insulating layer (A, B), a power semiconductor mounted on the circuit and a control semiconductor to control the power semiconductor, provided on the circuit, wherein a low capacitance portion is embedded under a circuit portion (pad portion) on which the control semiconductor is mounted, preferably, the low capacitance portion is made of a resin containing an inorganic filler and has a dielectric constant of from 2 to 9.
摘要翻译：本发明提供一种散热性优异的金属基电路基板，其能够大幅度地降低混合集成电路高频动作时的半导体误动作时间。一种用于混合集成电路的金属基电路板，包括经由绝缘层（A，B）设置在金属板上的电路，安装在该电路上的功率半导体和控制该功率半导体的控制半导体，设置在其中低电容部分嵌入其上安装有控制半导体的电路部分（焊盘部分）下方的电路，优选地，低电容部分由含有无机填料的树脂制成并具有介于2至10之间的介电常数 9。

2. 发明公开

KR1020100134809A 금속 베이스 회로 기판과 그 제조 방법 有权
标题翻译：金属基板电路板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020100134809A
公开(公告)日：2010-12-23
申请号：KR1020107028250
申请日：2004-04-15
申请人： 덴카 주식회사
发明人： 요네무라나오미 , 야시마가투노리 , 츠지무라요시히코 , 이시쿠라히데노리 , 사이키다카시
IPC分类号： H05K1/05 , H05K3/44 , H01L23/12
CPC分类号： H01L23/66 , H01L21/4857 , H01L23/142 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L23/49822 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/16 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/0566 , H01L2224/05666 , H01L2224/45111 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/4516 , H01L2224/45166 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48472 , H01L2224/48611 , H01L2224/48624 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48655 , H01L2224/48666 , H01L2224/48711 , H01L2224/48724 , H01L2224/48739 , H01L2224/48747 , H01L2224/48755 , H01L2224/48766 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/4886 , H01L2224/48866 , H01L2224/4911 , H01L2224/85411 , H01L2224/85424 , H01L2224/85439 , H01L2224/85455 , H01L2224/8546 , H01L2224/85466 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01056 , H01L2924/01061 , H01L2924/01063 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2924/19051 , H01L2924/30105 , H05K1/0224 , H05K1/024 , H05K1/025 , H05K3/0061 , H05K2201/0187 , H05K2201/0209 , H05K2201/09745 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/48811 , H01L2224/48824 , H01L2224/48744 , H01L2224/4876 , H01L2224/4866
摘要： To provide a metal base circuit board excellent in heat dissipation properties, which remarkably reduces malfunction time of a semiconductor which occurs when a hybrid integrated circuit is operated at a high frequency. A metal base circuit board to be use for a hybrid integrated circuit, comprising circuits provided on a metal plate via an insulating layer (A, B), a power semiconductor mounted on the circuit and a control semiconductor to control the power semiconductor, provided on the circuit, wherein a low capacitance portion is embedded under a circuit portion (pad portion) on which the control semiconductor is mounted, preferably, the low capacitance portion is made of a resin containing an inorganic filler and has a dielectric constant of from 2 to 9.
摘要翻译：为了提供散热特性优异的金属基电路板，显着地减少混合集成电路以高频工作时发生的半导体的故障时间。一种用于混合集成电路的金属基底电路板，包括经由绝缘层（A，B）设置在金属板上的电路，安装在电路上的功率半导体和控制半导体以控制功率半导体电路，其中低电容部分嵌入在其上安装有控制半导体的电路部分（焊盘部分）的下方，优选地，低电容部分由含有无机填料的树脂制成，介电常数为2〜 9。

3. 发明授权

KR101097075B1 금속 베이스 회로 기판과 그 제조 방법 失效
公开(公告)号：KR101097075B1
公开(公告)日：2011-12-22
申请号：KR1020107028252
申请日：2004-04-15
申请人： 덴카 주식회사
发明人： 요네무라나오미 , 야시마가투노리 , 츠지무라요시히코 , 이시쿠라히데노리 , 사이키다카시
IPC分类号： H05K1/05 , H05K3/44 , H01L23/12
CPC分类号： H01L23/66 , H01L21/4857 , H01L23/142 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L23/49822 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/16 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/0566 , H01L2224/05666 , H01L2224/45111 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/4516 , H01L2224/45166 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48472 , H01L2224/48611 , H01L2224/48624 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48655 , H01L2224/48666 , H01L2224/48711 , H01L2224/48724 , H01L2224/48739 , H01L2224/48747 , H01L2224/48755 , H01L2224/48766 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/4886 , H01L2224/48866 , H01L2224/4911 , H01L2224/85411 , H01L2224/85424 , H01L2224/85439 , H01L2224/85455 , H01L2224/8546 , H01L2224/85466 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01056 , H01L2924/01061 , H01L2924/01063 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2924/19051 , H01L2924/30105 , H05K1/0224 , H05K1/024 , H05K1/025 , H05K3/0061 , H05K2201/0187 , H05K2201/0209 , H05K2201/09745 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/48811 , H01L2224/48824 , H01L2224/48744 , H01L2224/4876 , H01L2224/4866
摘要： 혼성집적회로의고주파동작시에발생하는반도체의오동작시를대폭저감시켜, 열방산성이우수한금속베이스회로기판을제공한다. 금속판상에절연층 (A, B) 을개재시켜형성된회로와, 상기회로상에실장되는출력용반도체와, 상기출력용반도체를제어하고, 상기회로상에형성되는제어용반도체로이루어지는혼성집적회로에사용되는금속베이스회로기판으로서, 상기제어용반도체를탑재하는회로부분 (패드부분) 의하부에저정전용량부분을매설하고있는것을특징으로하는금속베이스회로기판으로서, 바람직하게는저정전용량부분이, 무기질충전재를함유하여이루어진수지로이루어지며, 또한유전율이 2∼9 인것을특징으로하는상기의금속베이스회로기판.

4. 发明公开

KR1020110019754A 금속 베이스 회로 기판 有权
标题翻译：金属基座电路板
公开(公告)号：KR1020110019754A
公开(公告)日：2011-02-28
申请号：KR1020107028982
申请日：2009-05-21
申请人： 덴카 주식회사
发明人： 니시다이키 , 미야카와다케시 , 야마자키기요카즈 , 사이키다카시
IPC分类号： H05K1/05 , H01L33/00 , F21V29/00
CPC分类号： H05K1/056 , F21K9/00 , H01L25/0753 , H01L33/46 , H01L33/60 , H01L2924/0002 , H05K1/0271 , H05K1/0274 , H05K3/0061 , H05K3/285 , H05K2201/0209 , H05K2201/068 , H05K2201/09781 , H05K2201/10106 , H05K2201/2054 , Y10T29/49117 , Y10T29/49126 , Y10T29/49165 , Y10T428/12569 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926 , Y10T428/252 , H01L2924/00
摘要： LED의 수명을 늘려, 프린트 배선판의 회로 형성시 및 LED 실장시의 작업성을 개선한다. 선팽창계수가 60 ppm/℃ 이상 120 ppm/℃ 이하인 절연층과, 절연층의 한쪽 면에 마련되며 선팽창계수가 10 ppm/℃ 이상 35 ppm/℃ 이하인 금속재료로 이루어진 금속박과, 절연층의 다른쪽 면에 형성되며 선팽창계수가 10 ppm/℃ 이상 35 ppm/℃ 이하인 회로 부분 및 비회로 부분과, 절연층, 회로 부분 및 비회로 부분상에 형성한 백색막을 가지며, 절연층상의 비회로 부분과 회로 부분의 면적의 총합이 금속박의 면적에 대해서 50％ 이상 95％ 이하이며, 또한 각 소재의 선팽창계수의 관계가 절연층의 선팽창계수＞금속박의 선팽창계수＞회로 부분 및 비회로 부분의 선팽창계수인 금속 베이스 회로 기판에 관한 것이다.

5. 发明公开

KR1020110002113A 금속 베이스 회로 기판과 그 제조 방법 失效
标题翻译：金属基板电路板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110002113A
公开(公告)日：2011-01-06
申请号：KR1020107028252
申请日：2004-04-15
申请人： 덴카 주식회사
发明人： 요네무라나오미 , 야시마가투노리 , 츠지무라요시히코 , 이시쿠라히데노리 , 사이키다카시
IPC分类号： H05K1/05 , H05K3/44 , H01L23/12
CPC分类号： H01L23/66 , H01L21/4857 , H01L23/142 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L23/49822 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/16 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/0566 , H01L2224/05666 , H01L2224/45111 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/4516 , H01L2224/45166 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48472 , H01L2224/48611 , H01L2224/48624 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48655 , H01L2224/48666 , H01L2224/48711 , H01L2224/48724 , H01L2224/48739 , H01L2224/48747 , H01L2224/48755 , H01L2224/48766 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/4886 , H01L2224/48866 , H01L2224/4911 , H01L2224/85411 , H01L2224/85424 , H01L2224/85439 , H01L2224/85455 , H01L2224/8546 , H01L2224/85466 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01056 , H01L2924/01061 , H01L2924/01063 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2924/19051 , H01L2924/30105 , H05K1/0224 , H05K1/024 , H05K1/025 , H05K3/0061 , H05K2201/0187 , H05K2201/0209 , H05K2201/09745 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/48811 , H01L2224/48824 , H01L2224/48744 , H01L2224/4876 , H01L2224/4866
摘要： To provide a metal base circuit board excellent in heat dissipation properties, which remarkably reduces malfunction time of a semiconductor which occurs when a hybrid integrated circuit is operated at a high frequency. A metal base circuit board to be use for a hybrid integrated circuit, comprising circuits provided on a metal plate via an insulating layer (A, B), a power semiconductor mounted on the circuit and a control semiconductor to control the power semiconductor, provided on the circuit, wherein a low capacitance portion is embedded under a circuit portion (pad portion) on which the control semiconductor is mounted, preferably, the low capacitance portion is made of a resin containing an inorganic filler and has a dielectric constant of from 2 to 9.
摘要翻译：为了提供散热特性优异的金属基电路板，显着地减少混合集成电路以高频工作时发生的半导体的故障时间。一种用于混合集成电路的金属基底电路板，包括经由绝缘层（A，B）设置在金属板上的电路，安装在电路上的功率半导体和控制半导体以控制功率半导体电路，其中低电容部分嵌入在其上安装有控制半导体的电路部分（焊盘部分）的下方，优选地，低电容部分由含有无机填料的树脂制成，介电常数为2〜 9。

6. 发明公开

KR1020050119210A 금속 베이스 회로 기판과 그 제조 방법 有权
标题翻译：金属基板电路板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020050119210A
公开(公告)日：2005-12-20
申请号：KR1020057019663
申请日：2004-04-15
申请人： 덴카 주식회사
发明人： 요네무라나오미 , 야시마가투노리 , 츠지무라요시히코 , 이시쿠라히데노리 , 사이키다카시
IPC分类号： H05K1/05 , H05K3/44 , H01L23/12
CPC分类号： H01L23/66 , H01L21/4857 , H01L23/142 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L23/49822 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/16 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/0566 , H01L2224/05666 , H01L2224/45111 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/4516 , H01L2224/45166 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48472 , H01L2224/48611 , H01L2224/48624 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48655 , H01L2224/48666 , H01L2224/48711 , H01L2224/48724 , H01L2224/48739 , H01L2224/48747 , H01L2224/48755 , H01L2224/48766 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/4886 , H01L2224/48866 , H01L2224/4911 , H01L2224/85411 , H01L2224/85424 , H01L2224/85439 , H01L2224/85455 , H01L2224/8546 , H01L2224/85466 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01056 , H01L2924/01061 , H01L2924/01063 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2924/19051 , H01L2924/30105 , H05K1/0224 , H05K1/024 , H05K1/025 , H05K3/0061 , H05K2201/0187 , H05K2201/0209 , H05K2201/09745 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/48811 , H01L2224/48824 , H01L2224/48744 , H01L2224/4876 , H01L2224/4866
摘要： A metal-base circuit board enables significant reduction of failures of a semiconductor device occurring in high-frequency operation of a hybrid integrated circuit and has an excellent heat dissipation capability. A metal base circuit board used for hybrid integrated circuits comprises a circuit provided over a metal sheet with insulating layers (A, B) interposed therebetween, an output semiconductor device mounted on the circuit, and a control semiconductor device used for controlling the output semiconductor device and mounted on the circuit. The metal-base circuit board is characterized in that a small-capacitance portion is buried under the circuit portion (pad portion) on which the control semiconductor device is mounted, and preferably the small-capacitance portion is made of a resin containing an inorganic filler and has a dielectric constant of 2 to 9.
摘要翻译：金属基电路板能够显着降低在混合集成电路的高频工作中发生的半导体器件的故障，并且具有优异的散热能力。用于混合集成电路的金属基底电路板包括：设置在绝缘层（A，B）之间的金属片上的电路，安装在电路上的输出半导体器件和用于控制输出半导体器件的控制半导体器件并安装在电路上。金属基电路板的特征在于，在安装有控制半导体器件的电路部分（焊盘部分）的下方埋设有小电容部分，优选地，小电容部分由含有无机填料的树脂并且具有2至9的介电常数。

7. 发明授权

KR101162133B1 금속 베이스 회로 기판과 그 제조 방법 有权
标题翻译：金属基板电路板及其制造方法
公开(公告)号：KR101162133B1
公开(公告)日：2012-07-03
申请号：KR1020107028250
申请日：2004-04-15
申请人： 덴카 주식회사
发明人： 요네무라나오미 , 야시마가투노리 , 츠지무라요시히코 , 이시쿠라히데노리 , 사이키다카시
IPC分类号： H05K1/05 , H05K3/44 , H01L23/12
CPC分类号： H01L23/66 , H01L21/4857 , H01L23/142 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L23/49822 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/16 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/0566 , H01L2224/05666 , H01L2224/45111 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/4516 , H01L2224/45166 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48472 , H01L2224/48611 , H01L2224/48624 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48655 , H01L2224/48666 , H01L2224/48711 , H01L2224/48724 , H01L2224/48739 , H01L2224/48747 , H01L2224/48755 , H01L2224/48766 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/4886 , H01L2224/48866 , H01L2224/4911 , H01L2224/85411 , H01L2224/85424 , H01L2224/85439 , H01L2224/85455 , H01L2224/8546 , H01L2224/85466 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01056 , H01L2924/01061 , H01L2924/01063 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2924/19051 , H01L2924/30105 , H05K1/0224 , H05K1/024 , H05K1/025 , H05K3/0061 , H05K2201/0187 , H05K2201/0209 , H05K2201/09745 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/48811 , H01L2224/48824 , H01L2224/48744 , H01L2224/4876 , H01L2224/4866
摘要： To provide a metal base circuit board excellent in heat dissipation properties, which remarkably reduces malfunction time of a semiconductor which occurs when a hybrid integrated circuit is operated at a high frequency. A metal base circuit board to be use for a hybrid integrated circuit, comprising circuits provided on a metal plate via an insulating layer (A, B), a power semiconductor mounted on the circuit and a control semiconductor to control the power semiconductor, provided on the circuit, wherein a low capacitance portion is embedded under a circuit portion (pad portion) on which the control semiconductor is mounted, preferably, the low capacitance portion is made of a resin containing an inorganic filler and has a dielectric constant of from 2 to 9.
摘要翻译：为了提供散热特性优异的金属基电路板，显着地减少混合集成电路以高频工作时发生的半导体的故障时间。一种用于混合集成电路的金属基底电路板，包括经由绝缘层（A，B）设置在金属板上的电路，安装在电路上的功率半导体和控制半导体以控制功率半导体电路，其中低电容部分嵌入在其上安装有控制半导体的电路部分（焊盘部分）的下方，优选地，低电容部分由含有无机填料的树脂制成，介电常数为2〜 9。

8. 发明授权

KR101517649B1 금속 베이스 회로 기판 有权
标题翻译：金属基电路板
公开(公告)号：KR101517649B1
公开(公告)日：2015-05-04
申请号：KR1020107028982
申请日：2009-05-21
申请人： 덴카 주식회사
发明人： 니시다이키 , 미야카와다케시 , 야마자키기요카즈 , 사이키다카시
IPC分类号： H05K1/05 , H01L33/00 , F21V29/00
摘要： LED의 수명을 늘려, 프린트 배선판의 회로 형성시 및 LED 실장시의 작업성을 개선한다. 선팽창계수가 60 ppm/℃ 이상 120 ppm/℃ 이하인 절연층과, 절연층의 한쪽 면에 마련되며 선팽창계수가 10 ppm/℃ 이상 35 ppm/℃ 이하인 금속재료로 이루어진 금속박과, 절연층의 다른쪽 면에 형성되며 선팽창계수가 10 ppm/℃ 이상 35 ppm/℃ 이하인 회로 부분 및 비회로 부분과, 절연층, 회로 부분 및 비회로 부분상에 형성한 백색막을 가지며, 절연층상의 비회로 부분과 회로 부분의 면적의 총합이 금속박의 면적에 대해서 50％ 이상 95％ 이하이며, 또한 각 소재의 선팽창계수의 관계가 절연층의 선팽창계수＞금속박의 선팽창계수＞회로 부분 및 비회로 부분의 선팽창계수인 금속 베이스 회로 기판에 관한 것이다.
摘要翻译：增加LED的寿命以改善印刷线路板的电路形成和LED安装中的可加工性。为60ppm /绝缘层℃或小于120ppm的/℃，设置在绝缘层的线性膨胀系数的一个表面上的线性膨胀系数为10ppm /℃以上35ppm的/℃或更低的金属箔和绝缘层的其它组成形成在表面上的线性膨胀系数为10ppm /℃具有绝缘层电路的超过35 ppm的/℃或更小的电路部分和非电路部分和所述绝缘层，形成在电路部分和非电路部分的白色膜，和非电路部分基于金属箔的面积小于95％至50％的部分的面积总和，并且每种材料的线性膨胀系数之间的绝缘层的线性膨胀系数>线膨胀>电路部分和非电路的金属箔系数，该部分的金属的线性膨胀系数到基础电路板。

9. 发明授权

KR101097076B1 금속 베이스 회로 기판과 그 제조 방법 失效
公开(公告)号：KR101097076B1
公开(公告)日：2011-12-22
申请号：KR1020107028251
申请日：2004-04-15
申请人： 덴카 주식회사
发明人： 요네무라나오미 , 야시마가투노리 , 츠지무라요시히코 , 이시쿠라히데노리 , 사이키다카시
IPC分类号： H05K1/05 , H05K3/44 , H01L23/12
CPC分类号： H01L23/66 , H01L21/4857 , H01L23/142 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L23/49822 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/16 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/0566 , H01L2224/05666 , H01L2224/45111 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/4516 , H01L2224/45166 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48472 , H01L2224/48611 , H01L2224/48624 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48655 , H01L2224/48666 , H01L2224/48711 , H01L2224/48724 , H01L2224/48739 , H01L2224/48747 , H01L2224/48755 , H01L2224/48766 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/4886 , H01L2224/48866 , H01L2224/4911 , H01L2224/85411 , H01L2224/85424 , H01L2224/85439 , H01L2224/85455 , H01L2224/8546 , H01L2224/85466 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01056 , H01L2924/01061 , H01L2924/01063 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2924/19051 , H01L2924/30105 , H05K1/0224 , H05K1/024 , H05K1/025 , H05K3/0061 , H05K2201/0187 , H05K2201/0209 , H05K2201/09745 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/48811 , H01L2224/48824 , H01L2224/48744 , H01L2224/4876 , H01L2224/4866
摘要： 혼성집적회로의고주파동작시에발생하는반도체의오동작시를대폭저감시켜, 열방산성이우수한금속베이스회로기판을제공한다. 금속판상에절연층 (A, B) 을개재시켜형성된회로와, 상기회로상에실장되는출력용반도체와, 상기출력용반도체를제어하고, 상기회로상에형성되는제어용반도체로이루어지는혼성집적회로에사용되는금속베이스회로기판으로서, 상기제어용반도체를탑재하는회로부분 (패드부분) 의하부에저정전용량부분을매설하고있는것을특징으로하는금속베이스회로기판으로서, 바람직하게는저정전용량부분이, 무기질충전재를함유하여이루어진수지로이루어지며, 또한유전율이 2∼9 인것을특징으로하는상기의금속베이스회로기판.

10. 发明授权

KR101051908B1 금속 베이스 회로 기판과 그 제조 방법 有权
标题翻译：空值
公开(公告)号：KR101051908B1
公开(公告)日：2011-07-26
申请号：KR1020057019663
申请日：2004-04-15
申请人： 덴카 주식회사
发明人： 요네무라나오미 , 야시마가투노리 , 츠지무라요시히코 , 이시쿠라히데노리 , 사이키다카시
IPC分类号： H05K1/05 , H05K3/44 , H01L23/12
CPC分类号： H01L23/66 , H01L21/4857 , H01L23/142 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L23/49822 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/16 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/0566 , H01L2224/05666 , H01L2224/45111 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/4516 , H01L2224/45166 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48472 , H01L2224/48611 , H01L2224/48624 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48655 , H01L2224/48666 , H01L2224/48711 , H01L2224/48724 , H01L2224/48739 , H01L2224/48747 , H01L2224/48755 , H01L2224/48766 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/4886 , H01L2224/48866 , H01L2224/4911 , H01L2224/85411 , H01L2224/85424 , H01L2224/85439 , H01L2224/85455 , H01L2224/8546 , H01L2224/85466 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01056 , H01L2924/01061 , H01L2924/01063 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2924/19051 , H01L2924/30105 , H05K1/0224 , H05K1/024 , H05K1/025 , H05K3/0061 , H05K2201/0187 , H05K2201/0209 , H05K2201/09745 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/48811 , H01L2224/48824 , H01L2224/48744 , H01L2224/4876 , H01L2224/4866
摘要： 혼성 집적 회로의 고주파 동작시에 발생하는 반도체의 오동작시를 대폭 저감시켜, 열 방산성이 우수한 금속 베이스 회로 기판을 제공한다. 금속판 상에 절연층 (A, B) 을 개재시켜 형성된 회로와, 상기 회로 상에 실장되는 출력용 반도체와, 상기 출력용 반도체를 제어하고, 상기 회로 상에 형성되는 제어용 반도체로 이루어지는 혼성 집적 회로에 사용되는 금속 베이스 회로 기판으로서, 상기 제어용 반도체를 탑재하는 회로 부분 (패드 부분) 의 하부에 저정전 용량 부분을 매설하고 있는 것을 특징으로 하는 금속 베이스 회로 기판으로서, 바람직하게는 저정전 용량 부분이, 무기질 충전재를 함유하여 이루어진 수지로 이루어지며, 또한 유전율이 2∼9 인 것을 특징으로 하는 상기의 금속 베이스 회로 기판.
摘要翻译：为了提供散热特性优异的金属基电路板，显着地减少混合集成电路以高频工作时发生的半导体的故障时间。一种用于混合集成电路的金属基底电路板，包括经由绝缘层（A，B）设置在金属板上的电路，安装在电路上的功率半导体和控制半导体以控制功率半导体电路，其中低电容部分嵌入在其上安装有控制半导体的电路部分（焊盘部分）的下方，优选地，低电容部分由含有无机填料的树脂制成，介电常数为2〜 9。

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