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1. 发明授权

KR101799799B1 결함 검사 방법 및 결함 검사 장치 有权
标题翻译：缺陷检查方法和缺陷检查装置
公开(公告)号：KR101799799B1
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：KR1020157022681
申请日：2014-01-27
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 다카기유지 , 하라다미노루 , 사카모토마사시 , 히라이다케히로
IPC分类号： H01L21/66 , G01N23/225
CPC分类号： G06T7/001 , G06K9/6202 , G06K9/6284 , G06T2207/10061 , G06T2207/30148 , H01J2237/2817 , H01L22/12
摘要： 결함의화상수집시간을단축하기위하여, 결함검사장치에, 검출완료의반도체웨이퍼의결함위치를판독하는판독부와, 판독된결함중 어느하나의결함이존재하는칩과는다른칩에서참조화상을제1 배율로촬상하는제1 촬상부와, 판독된결함을포함하는제1 결함화상을제1 배율로촬상하는제2 촬상부와, 제1 촬상부에의해촬상된참조화상과제2 촬상부에의해촬상된제1 결함화상을비교하여제1 결함화상위의결함위치를특정하는결함위치특정부와, 특정결함위치에의거하여제1 배율보다높은제2 배율로제2 결함화상을촬상하는제3 촬상부를구비하고, 판독한결함을중복없이일순하는경로순으로재배치하는재배치부와, 참조화상을촬상할칩을참조화상에대응하는결함마다선택해서, 제1 촬상부와제2 촬상부에있어서의스테이지의이동위치를결정함으로써스테이지이동경로를생성하는스테이지이동경로생성부를구비시킨다.
摘要翻译：从读出单元的参考图片，并且在芯片和其它芯片的缺陷存在于读取的缺陷，用于读取所述半导体晶片以所述缺陷检测系统的缺陷位置中的任何一个，则检测完成缩短缺陷的图像获取时间第一成像单元和所述和第二感测单元，用于感测所述第一缺陷图像包括以第一放大率读出缺陷，由单元1的图像拾取，图像捕获参考图像和第二图像拾取单元，用于拾取一个第一乘法器由第一缺陷图像的比较拾取由第一缺陷和缺陷位置指定单元，用于指定所述图像上的缺陷位置，特定缺陷位置的基础上对第二缺陷图像具有高的第二倍率比所述第一放大率成像第三感测通过使每个时间来选择对应于所述重新配置单元的缺陷，和用于捕捉所述参考图像的图像，以发挥搬迁到跳闸游戏中的芯片，如果没有参考图象部分，所述第一成像单元和第二成像单元重叠读取的缺陷在以及台架移动路径生成单元，用于通过确定台架的台架的移动位置来生成台架移动路径。

2. 发明公开

KR1020170141255A 결함 화상 분류 장치 및 결함 화상 분류 방법 审中-实审
标题翻译：缺陷图像分类装置和缺陷图像分类方法
公开(公告)号：KR1020170141255A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：KR1020177034927
申请日：2015-06-04
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 다카기유지 , 하라다미노루 , 히라이다케히로
IPC分类号： G01N21/88 , G01N21/95 , G01N21/956
CPC分类号： G06K9/6262 , G01N21/8851 , G01N21/956 , G01N23/225 , G01N23/2251 , G01N2021/8854 , G01N2021/8887 , G06K9/03 , G06K9/4628 , G06K9/6267 , G06K9/6271 , G01N21/9501 , G01N2021/95615
摘要： ADC와육안분류의병용에있어서의결함분류작업에있어서, 종래의육안분류의과제를해결하고, ADC와육안분류, 혹은 ADC와그 외의분류장치를병용해서, 신뢰성이높은 ADC의성능평가와, ADC 학습데이터의갱신을가능하게한다. 결함의화상을분류하는장치를, 다른촬상수단으로촬상하여얻어진결함의화상을기억하는기억부와, 다른복수의결함분류수단으로결함을분류한결함클래스의정보를사용해서기억부에기억한결함의화상중에서화상을선택하는화상선택부와, 화상선택부에서선택한화상을분류레시피에의거하여분류하는화상분류부와, 화상을분류한결과에의거하여화상분류부의분류성능을평가하는분류성능평가부와, 분류성능평가부에서평가한결과가미리설정한기준에달하지않을경우에는상기화상선택부에서선택한화상을사용해서상기화상분류부의분류레시피를갱신하는학습갱신부를구비하여구성했다.
摘要翻译：在ADC与裸眼分类相结合的缺陷分类工作中，解决了传统视觉分类问题，将ADC与肉眼分类相结合，评估了高可靠性ADC的可靠性，从而使得能够更新学习数据。该缺陷的图像进行分类的有缺陷的存储器装置，通过使用存储单元，所述缺陷信息bunryuhan的缺陷，以不同的多个缺陷分类的装置类，用于存储通过与不同的图像捕捉成像获得的缺陷的图像是指在存储单元中以及图像为从图像中选择的图像选择部，以及用于由所述图像选择单元选择的分类的配方用于图像的停留分类所述图像分类部，用于通过消除结果bunryuhan图像性能评价部的图像分类部评估的分类性能分类，并以及学习更新单元，用于当由分类性能评估单元评估的结果未达到预设基准值时，使用由图像选择单元选择的图像来更新图像分类单元的分类配方。

3. 发明授权

KR101680558B1 결함 관찰 방법 및 결함 관찰 장치 有权
标题翻译：缺陷观察方法和缺陷观察装置
公开(公告)号：KR101680558B1
公开(公告)日：2016-11-29
申请号：KR1020157015492
申请日：2013-12-06
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 하라다미노루 , 다카기유지 , 나카가키료 , 히라이다케히로 , 기츠키히로히코
IPC分类号： G01N23/225 , G01N21/95 , H01L21/66 , G01N21/892 , G01N9/36 , G01N21/89
CPC分类号： G06T7/001 , G01N21/9501 , G06T2207/10004 , G06T2207/10061 , G06T2207/30148
摘要： 본발명은, 결함및 「뉴슨스」(제조공차등을오검출한부위)의라벨링가능한결함후보를관찰대상시료로부터용이하게추출하고, 관찰처리에관련된파라미터를간이하게조정가능하게하는것을목적으로한다. 본발명의결함관찰방법은, 검사장치로부터의결함정보에의거하여피검사대상물을촬상하여, 결함화상과당해결함화상에대응하는참조화상을얻는촬상공정과, 상기촬상공정에서촬상한당해결함화상과당해참조화상에의해얻은제1 특징량분포와, 당해참조화상에의해얻은제2 특징량분포를사용하여, 결함추출에사용하는제1 파라미터를결정하는파라미터결정공정과, 상기파라미터결정공정에서결정한당해제1 파라미터를사용하여관찰을행하는관찰공정을구비한다. 본발명은, 반도체웨이퍼의제조중에있어서발생하는결함을관찰하는방법에적용할수 있다.
摘要翻译：本发明的目的是容易地从待观察的样品中提取可以被标记为缺陷或“妨碍”（错误地检测制造公差等的部分）的缺陷候选，并且允许参数相关观察加工易于调整。该缺陷观察方法包括：成像步骤，基于来自检查装置的缺陷信息，对要检查的对象进行成像，并获得与缺陷图像相对应的缺陷图像和参考图像; 参数确定步骤，通过使用从参考图像获取的第一特征集分布和在成像步骤中捕获的缺陷图像来确定在缺陷提取中使用的第一参数，以及从参考图像获取的第二特征网分布; 以及观察步骤，用于观察使用在参数确定步骤中确定的第一参数。本发明可以应用于观察在制造半导体晶片期间产生的缺陷的方法。

4. 发明授权

KR101978995B1 결함 화상 분류 장치 및 결함 화상 분류 방법 有权
公开(公告)号：KR101978995B1
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：KR1020177034927
申请日：2015-06-04
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 다카기유지 , 하라다미노루 , 히라이다케히로
IPC分类号： G01N21/88 , G01N21/95 , G01N21/956

5. 发明授权

KR101849962B1 오버레이 계측 방법, 장치, 및 표시 장치 有权
公开(公告)号：KR101849962B1
公开(公告)日：2018-04-19
申请号：KR1020167034543
申请日：2015-08-03
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 다카기유지 , 후쿠나가후미히코 , 고토야스노리
IPC分类号： G01B15/00 , G06F9/00 , G06T1/00
CPC分类号： G01B15/04 , G03F7/70633 , G06K9/20 , G06K2009/2045 , G06T7/001 , G06T7/32 , G06T2207/10024 , G06T2207/10061 , G06T2207/30148
摘要： SEM으로촬상해서얻은기준화상과계측화상을비교해서, 반도체패턴의상하층에형성된패턴의오버레이를계측할경우, 상층의패턴의 SEM 화상의콘트라스트에대하여, 하층의패턴의 SEM 화상의콘트라스트가상대적으로낮아, 계측결과에의거해서기준화상과계측화상을중첩해도위치맞춤상태의확인이곤란하다는과제를해결하기위하여, 본발명에서는, SEM으로촬상해서얻어진기준화상과계측화상으로부터, 오버레이계측대상의패턴의위치어긋남량을구하고, 기준화상과계측화상을미분(微分) 처리하고, 미분처리한기준화상과계측화상을앞서구한위치어긋남량에의거해서위치맞춤을행하고, 위치맞춤을행한미분기준화상과미분계측화상과의농담값을, 각화상에서서로다른색의명도로해서채색해서중첩하고, 구한위치어긋남량과함께표시하도록했다.

6. 发明公开

KR1020170008254A 오버레이 계측 방법, 장치, 및 표시 장치 审中-实审
标题翻译：覆盖测量方法设备和显示设备
公开(公告)号：KR1020170008254A
公开(公告)日：2017-01-23
申请号：KR1020167034543
申请日：2015-08-03
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 다카기유지 , 후쿠나가후미히코 , 고토야스노리
IPC分类号： G01B15/00 , G06F9/00 , G06T1/00
CPC分类号： G01B15/04 , G03F7/70633 , G06K9/20 , G06K2009/2045 , G06T7/001 , G06T7/32 , G06T2207/10024 , G06T2207/10061 , G06T2207/30148
摘要： SEM으로촬상해서얻은기준화상과계측화상을비교해서, 반도체패턴의상하층에형성된패턴의오버레이를계측할경우, 상층의패턴의 SEM 화상의콘트라스트에대하여, 하층의패턴의 SEM 화상의콘트라스트가상대적으로낮아, 계측결과에의거해서기준화상과계측화상을중첩해도위치맞춤상태의확인이곤란하다는과제를해결하기위하여, 본발명에서는, SEM으로촬상해서얻어진기준화상과계측화상으로부터, 오버레이계측대상의패턴의위치어긋남량을구하고, 기준화상과계측화상을미분(微分) 처리하고, 미분처리한기준화상과계측화상을앞서구한위치어긋남량에의거해서위치맞춤을행하고, 위치맞춤을행한미분기준화상과미분계측화상과의농담값을, 각화상에서서로다른색의명도로해서채색해서중첩하고, 구한위치어긋남량과함께표시하도록했다.
摘要翻译：为了解决通过比较参考图像和通过SEM成像获得的测量图像来测量形成在半导体图案的上层和下层上的图案的覆盖层的问题，下层图案的SEM图像的对比度相对于上层图案的SEM图像的图像低，并且即使基于测量结果叠加参考图像和测量图像，也难以对准状态验证，本发明确定图案的位置位移量从参考图像和通过SEM成像获得的测量图像的对象的对象的图像和测量图像对参考图像和测量图像执行差分处理，基于经过差分处理的参考图像和测量图像进行对准先前确定的位置位移量表示th的灰度值对准差分参考图像和差分测量图像作为对于每个图像不同的颜色的亮度，叠加图像，并且与确定的位置位移量一起显示叠加的图像。

7. 发明公开

KR1020150110704A 결함 검사 방법 및 결함 검사 장치 有权
标题翻译：缺陷检查方法和缺陷检查装置
公开(公告)号：KR1020150110704A
公开(公告)日：2015-10-02
申请号：KR1020157022681
申请日：2014-01-27
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 다카기유지 , 하라다미노루 , 사카모토마사시 , 히라이다케히로
IPC分类号： H01L21/66 , G01N23/225
CPC分类号： G06T7/001 , G06K9/6202 , G06K9/6284 , G06T2207/10061 , G06T2207/30148 , H01J2237/2817 , H01L22/12
摘要： 결함의화상수집시간을단축하기위하여, 결함검사장치에, 검출완료의반도체웨이퍼의결함위치를판독하는판독부와, 판독된결함중 어느하나의결함이존재하는칩과는다른칩에서참조화상을제1 배율로촬상하는제1 촬상부와, 판독된결함을포함하는제1 결함화상을제1 배율로촬상하는제2 촬상부와, 제1 촬상부에의해촬상된참조화상과제2 촬상부에의해촬상된제1 결함화상을비교하여제1 결함화상위의결함위치를특정하는결함위치특정부와, 특정결함위치에의거하여제1 배율보다높은제2 배율로제2 결함화상을촬상하는제3 촬상부를구비하고, 판독한결함을중복없이일순하는경로순으로재배치하는재배치부와, 참조화상을촬상할칩을참조화상에대응하는결함마다선택해서, 제1 촬상부와제2 촬상부에있어서의스테이지의이동위치를결정함으로써스테이지이동경로를생성하는스테이지이동경로생성부를구비시킨다.
摘要翻译：为了减少收集缺陷图像所花费的时间，该缺陷检查装置具有：读出单元，读出已经检测到的半导体晶片中的缺陷位置; 第一成像单元，其以第一放大率取得除了其中一个读出缺陷的芯片之外的芯片的参考图像; 第二成像单元，其在第一放大率下取得包含读出缺陷的第一缺陷图像; 缺陷位置识别单元，其通过将所述第一缺陷图像与由所述第一成像单元拍摄的参考图像进行比较来识别由所述第二成像单元拍摄的所述第一缺陷图像中的所述缺陷的位置; 第三成像单元，其基于所识别的缺陷位置，以比所述第一放大率高的第二倍率拍摄第二缺陷图像; 重新布置单元，其以与经过每个读出缺陷的路径相对应的顺序重新排列读出的缺陷; 以及阶段移动路径生成单元，其选择要获取与每个缺陷相对应的参考图像的芯片，并且通过确定第一和第二成像单元的阶段移动位置来生成平台移动路径。

8. 发明公开

KR1020150086302A 결함 관찰 방법 및 결함 관찰 장치 有权
标题翻译：缺陷观察方法和缺陷观察装置
公开(公告)号：KR1020150086302A
公开(公告)日：2015-07-27
申请号：KR1020157015492
申请日：2013-12-06
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 하라다미노루 , 다카기유지 , 나카가키료 , 히라이다케히로 , 기츠키히로히코
IPC分类号： G01N23/225 , G01N21/95 , H01L21/66 , G01N21/892 , G01N9/36 , G01N21/89
CPC分类号： G06T7/001 , G01N21/9501 , G06T2207/10004 , G06T2207/10061 , G06T2207/30148
摘要： 본발명은, 결함및 「뉴슨스」(제조공차등을오검출한부위)의라벨링가능한결함후보를관찰대상시료로부터용이하게추출하고, 관찰처리에관련된파라미터를간이하게조정가능하게하는것을목적으로한다. 본발명의결함관찰방법은, 검사장치로부터의결함정보에의거하여피검사대상물을촬상하여, 결함화상과당해결함화상에대응하는참조화상을얻는촬상공정과, 상기촬상공정에서촬상한당해결함화상과당해참조화상에의해얻은제1 특징량분포와, 당해참조화상에의해얻은제2 특징량분포를사용하여, 결함추출에사용하는제1 파라미터를결정하는파라미터결정공정과, 상기파라미터결정공정에서결정한당해제1 파라미터를사용하여관찰을행하는관찰공정을구비한다. 본발명은, 반도체웨이퍼의제조중에있어서발생하는결함을관찰하는방법에적용할수 있다.
摘要翻译：本发明的目的是容易地从待观察的样品中提取可以被标记为缺陷或“妨碍”（错误地检测制造公差等的部分）的缺陷候选，并且允许参数相关观察加工易于调整。该缺陷观察方法包括：成像步骤，基于来自检查装置的缺陷信息，对要检查的对象进行成像，并获得与缺陷图像相对应的缺陷图像和参考图像; 参数确定步骤，通过使用从参考图像获取的第一特征集分布和在成像步骤中捕获的缺陷图像来确定在缺陷提取中使用的第一参数，以及从参考图像获取的第二特征网分布; 以及观察步骤，用于观察使用在参数确定步骤中确定的第一参数。本发明可以应用于观察在制造半导体晶片期间产生的缺陷的方法。

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