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1. 发明授权

KR101467973B1 반도체 장치 및 표시 장치 有权
标题翻译：半导体器件和显示器件
公开(公告)号：KR101467973B1
公开(公告)日：2014-12-02
申请号：KR1020140027771
申请日：2014-03-10
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 진보야수히로 , 이사도시유키 , 혼다다츠야
IPC分类号： H01L21/20 , H01L27/12 , H01L27/32 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/02686 , H01L21/02532 , H01L21/02565 , H01L21/2026 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L27/283 , H01L27/3258 , H01L27/3274 , H01L28/40 , H01L29/24 , H01L29/42356 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/495 , H01L29/66969 , H01L29/78603 , H01L29/7869 , H01L51/003 , H01L51/56 , H01L2227/323 , H01L2227/326 , H01L2251/5338
摘要： 본 발명은, 비교적 저온도(500℃ 미만)의 프로세스로 제작되는 소자를 기판으로부터 박리하여, 가요성을 가지는 반도체 장치를 제작하는 방법을 제공한다.
기존의 대형 유리 기판의 제조장치를 사용하여, 유리 기판 위에 몰리브덴 막 및 그 위에 산화 몰리브덴 막을 형성하여, 산화 몰리브덴 막 위에 비금속 무기막 및 유기 화합물막을 적층하여, 유기 화합물막 위에 비교적 저온도(500℃ 미만)의 프로세스로 제작되는 소자를 형성한 후, 그 소자를 유리 기판으로부터 박리한다.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种制造半导体器件的方法，该半导体器件是柔性的，其中使用比较低温（小于500℃）的工艺制造的元件与衬底分离。在玻璃基板上形成钼膜之后，在钼膜上形成氧化钼膜，在氧化钼膜上层叠非金属无机膜和有机化合物膜，通过比较低温（少于使用现有的用于大玻璃基板的制造设备来形成工艺，元件与玻璃基板分离。

2. 发明授权

KR101325788B1 반도체 장치의 제작 방법 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR101325788B1
公开(公告)日：2013-11-04
申请号：KR1020070104459
申请日：2007-10-17
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 시모무라아키히사 , 미야이리히데카주 , 진보야수히로
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/268 , H01L21/304
CPC分类号： H01L27/1288 , B23K26/0661 , B23K26/0732 , G03F7/20 , G03F7/70291 , H01L27/1214 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78633
摘要： 레지스트를 사용하지 않고, 박막 가공을 간단한 공정으로 정밀도 좋게 하는 방법을 제안한다. 또한, 저렴한 비용으로 반도체 장치를 제작하는 방법을 제안한다.
기판 상에 제 1 층을 형성하고, 제 1 층상에 박리층을 형성하고, 박리층측으로부터 박리층에 선택적으로 레이저 빔을 조사하여 일부의 박리층의 부착력을 저감시킨다. 다음에, 부착력이 저감된 박리층을 제거하고, 잔존한 박리층을 마스크로 하여 제 1 층을 선택적으로 에칭한다. 또한, 기판 상에 박리층을 형성하고, 적어도 박리층에 선택적으로 제 1 레이저 빔을 조사하여 일부의 박리층의 부착력을 저감시킨다. 다음에, 부착력이 저감된 박리층을 제거한다. 다음에, 잔존한 박리층 상에 제 1 층을 형성하고, 잔존한 박리층에 제 2 레이저 빔을 조사하여 잔존한 박리층의 부착력을 저감시키고, 잔존한 박리층 및 상기 박리층에 접하는 제 1 층을 제거한다.
레지스트, 기판, 박리층, 마스크, 레이저 빔

3. 发明授权

KR101293510B1 반도체 디바이스의 제조방법 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR101293510B1
公开(公告)日：2013-08-06
申请号：KR1020070041494
申请日：2007-04-27
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 마루야마준야 , 진보야수히로 , 소지히로노부 , 구와바라히데아키 , 야마자키순페이
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L21/7806 , G02F1/167 , G02F2001/13613 , G06K19/07749 , H01L23/49855 , H01L23/645 , H01L23/66 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L27/1266 , H01L51/003 , H01L51/0097 , H01L2223/6677 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01L2924/3011 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L2924/00
摘要： 비교적 낮은 온도(500℃ 미만)에서의 처리를 통해 제조된 소자를 기판으로부터 박리(peeling)하고, 소자를 가요성 기판(대표적으로, 플라스틱 막)으로 이동하는 기술이다. 대형 유리 기판용 현존하는 제조 디바이스를 사용하여, 몰리브덴막(Mo 막)을 유리 기판상에 형성하고, 산화막을 몰리브덴막상에 형성하며, 비교적 낮은 온도(500℃ 미만)에서의 처리를 통해 소자를 산화막상에 형성한다. 그 후 소자는 유리 기판으로부터 박리되고 가요성 기판으로 이동된다.
반도체 디바이스, 몰리브덴 막, 박리, 가요성 기판
摘要翻译：在相对较低的温度（小于500℃）下将通过该工艺制造的器件剥离，并将器件移动到柔性衬底（通常为塑料膜）。（Mo膜）在玻璃基板上形成，在钼膜上形成氧化膜，使用现有的大型玻璃基板制造装置，在比较低的温度（小于500℃）下进行加工，从而使装置氧化在电影里。然后将器件从玻璃基板上剥离并转移到柔性基板上。

4. 发明授权

KR101380136B1 반도체 장치의 제작방법 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR101380136B1
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：KR1020070113272
申请日：2007-11-07
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 시모무라아키히사 , 미야이리히데카주 , 진보야수히로
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/324 , H01L21/20 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/02678 , B23K26/0732 , B23K26/0738 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02686 , H01L21/268 , H01L27/1218 , H01L27/1285
摘要： 본 발명은 열 팽창률이 6×10
-7 /℃보다 크고, 38×10
-7 /℃ 이하의 유리 기판 위에, 반도체막을 포함하는 층을 형성하고, 상기 층을 가열한다. 다음, 가열된 층에 자외광이며, 레이저 빔의 폭이 100㎛이하이고, 레이저 빔의 폭에 대한 레이저 빔의 길이의 비율이 1:500이상이며, 레이저 빔의 프로파일(profile)의 반값폭이 50㎛이하인 펄스발진의 레이저 빔을 조사하여, 결정성 반도체막을 형성한다. 유리 기판 위에 형성하는 반도체막을 포함하는 층은 상기 가열 후에 있어서는 전(全) 응력이 -500N/m 이상 +50N/m 이하가 되는 층을 형성한다.
레이저, 결정화, 압축 응력, 인장 응력, 자외광
摘要翻译：本发明涉及一种热膨胀系数为6℃的热塑性树脂组合物，

5. 发明公开

KR1020080041596A 반도체 장치의 제작방법 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020080041596A
公开(公告)日：2008-05-13
申请号：KR1020070113272
申请日：2007-11-07
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 시모무라아키히사 , 미야이리히데카주 , 진보야수히로
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/324 , H01L21/20 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/02678 , B23K26/0732 , B23K26/0738 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02686 , H01L21/268 , H01L27/1218 , H01L27/1285
摘要： A method for fabricating a semiconductor device is provided to form a crystalline silicon layer while suppressing a crack in a glass substrate or a layer formed on the glass substrate by forming a layer with compressive stress on the glass substrate so that the tensile stress of the surface of the glass substrate is decreased. A layer including a semiconductor layer is formed on a glass substrate(100) whose thermal expansion coefficient is more than 6x10^-7/°C and less than 38x10^-7/°C. The layer including the semiconductor layer is heated. A laser beam(104) of pulse oscillation is irradiated to the layer including the semiconductor layer so that the semiconductor layer is melted and the grain of the semiconductor layer is grown in a horizontal direction with respect to the glass substrate. The laser beam is ultraviolet rays, having a width not more than 100 mum. The ratio of the length of the laser beam to the width of the laser beam is not less than 1:500, and the half width of the profile of the laser beam is not more than 50 mum. The general stress of the layer including the semiconductor layer is not less than -500N/m and not more than +50N/m. The layer including the semiconductor layer can be composed of a silicon oxynitride layer and an amorphous silicon layer(103) that are sequentially stacked on the glass substrate.
摘要翻译：提供一种制造半导体器件的方法，通过在玻璃基板上形成具有压应力的层，同时抑制玻璃基板或玻璃基板上形成的层的裂纹，从而形成晶体硅层，使得表面的拉伸应力的玻璃基板。在热膨胀系数大于6×10 -7 -7℃且小于38×10 -7 -7℃的玻璃基板（100）上形成包括半导体层的层。包括半导体层的层被加热。将脉冲振荡的激光束（104）照射到包括半导体层的层，使得半导体层熔化，并且半导体层的晶粒相对于玻璃基板在水平方向上生长。激光束是紫外线，宽度不大于100um。激光束的长度与激光束的宽度的比例不小于1:500，并且激光束的轮廓的半宽度不大于50μm。包含半导体层的层的一般应力不小于-500N / m且不大于+ 50N / m。包括半导体层的层可以由依次层叠在玻璃基板上的氧氮化硅层和非晶硅层（103）构成。

6. 发明公开

KR1020070106460A 반도체 디바이스의 제조방법 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020070106460A
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：KR1020070041494
申请日：2007-04-27
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 마루야마준야 , 진보야수히로 , 소지히로노부 , 구와바라히데아키 , 야마자키순페이
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L21/7806 , G02F1/167 , G02F2001/13613 , G06K19/07749 , H01L23/49855 , H01L23/645 , H01L23/66 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L27/1266 , H01L51/003 , H01L51/0097 , H01L2223/6677 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01L2924/3011 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L2924/00
摘要： A method for fabricating a semiconductor device is provided to save the money for equipment by transferring a device like a TFT(thin film transistor) to a flexible substrate such that the TFT is fabricated by using an existing fabricating apparatus for a large glass substrate. A molybdenum layer(102) is formed on a substrate(101). The substrate is selected from a group of a glass substrate, a ceramic substrate and a quartz substrate. A molybdenum oxide layer(103) is formed on the molybdenum layer. An insulation layer is formed on the molybdenum oxide layer. A semiconductor layer having an amorphous structure is formed on the insulation layer. A laser irradiation process is partially performed. The insulation layer and the semiconductor layer having the amorphous structure are separated from the substrate. The insulation layer and the semiconductor layer having the amorphous structure are arranged on a flexible substrate.
摘要翻译：提供一种制造半导体器件的方法，以通过将诸如TFT（薄膜晶体管）的器件转移到柔性基板来节省设备的钱，使得通过使用现有的用于大型玻璃基板的制造装置来制造TFT。在基板（101）上形成钼层（102）。基板选自玻璃基板，陶瓷基板和石英基板。在钼层上形成氧化钼层（103）。在氧化钼层上形成绝缘层。在绝缘层上形成具有非晶结构的半导体层。部分地进行激光照射处理。具有非晶结构的绝缘层和半导体层与基板分离。具有非晶结构的绝缘层和半导体层被布置在柔性基板上。

7. 发明授权

KR101470806B1 반도체 장치의 제작방법 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR101470806B1
公开(公告)日：2014-12-09
申请号：KR1020080010577
申请日：2008-02-01
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 진보야수히로 , 이사도시유키 , 혼다다츠야
IPC分类号： H01L21/20 , H01L29/786 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/02686 , H01L21/02532 , H01L21/02565 , H01L21/2026 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L27/283 , H01L27/3258 , H01L27/3274 , H01L28/40 , H01L29/24 , H01L29/42356 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/495 , H01L29/66969 , H01L29/78603 , H01L29/7869 , H01L51/003 , H01L51/56 , H01L2227/323 , H01L2227/326 , H01L2251/5338
摘要： 기존의대형유리기판의제조장치를사용하여, 유리기판위에몰리브덴막 및그 위에산화몰리브덴막을형성하여, 산화몰리브덴막 위에비금속무기막및 유기화합물막을적층하여, 유기화합물막위에비교적저온도(500℃미만)의프로세스로제작되는소자를형성한후, 그소자를유리기판으로부터박리한다.
摘要翻译：通过使用常规的大型玻璃基板的制造装置，玻璃以形成钼膜钼氧化物膜的上mitgeu衬底上方，通过在钼氧化物膜和有机化合物层叠非金属无机膜的膜，下连（500℃的相对低的有机化合物膜温度），然后将设备从玻璃基板上剥离。

8. 发明公开

KR1020140041655A 반도체 장치 및 표시 장치 有权
标题翻译：半导体器件和显示器件
公开(公告)号：KR1020140041655A
公开(公告)日：2014-04-04
申请号：KR1020140027771
申请日：2014-03-10
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 진보야수히로 , 이사도시유키 , 혼다다츠야
IPC分类号： H01L21/20 , H01L27/12 , H01L27/32 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/02686 , H01L21/02532 , H01L21/02565 , H01L21/2026 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L27/283 , H01L27/3258 , H01L27/3274 , H01L28/40 , H01L29/24 , H01L29/42356 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/495 , H01L29/66969 , H01L29/78603 , H01L29/7869 , H01L51/003 , H01L51/56 , H01L2227/323 , H01L2227/326 , H01L2251/5338 , H01L21/20 , H01L27/1218
摘要： The present invention provides a method of manufacturing a flexible semiconductor device by delaminating an element manufactured by a process at a relatively low temperature (less than 500°C) from a substrate. A molybdenum layer on a glass substrate and an oxidation molybdenum layer thereon are formed by using an existing apparatus for manufacturing a large glass substrate. A non-metal inorganic layer and an organic compound layer are stacked on the oxidation molybdenum layer. The element manufactured by a process at a relatively low temperature (less than 500°C) is formed on the organic compound layer. Afterwards, the element is delaminated from the glass substrate.
摘要翻译：本发明提供一种通过使由基板相对低温（低于500℃）的工艺制造的元件分层而制造柔性半导体器件的方法。通过使用现有的大型玻璃基板的制造装置，形成玻璃基板上的钼层和氧化钼层。在氧化钼层上层叠非金属无机层和有机化合物层。在有机化合物层上形成由相对低温（小于500℃）的工序制造的元件。之后，该元件从玻璃基板分层。

9. 发明公开

KR1020120071373A 반도체 디바이스 无效
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020120071373A
公开(公告)日：2012-07-02
申请号：KR1020120059023
申请日：2012-06-01
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 마루야마준야 , 진보야수히로 , 소지히로노부 , 구와바라히데아키 , 야마자키순페이
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/7806 , G02F1/167 , G02F2001/13613 , G06K19/07749 , H01L23/49855 , H01L23/645 , H01L23/66 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L27/1266 , H01L51/003 , H01L51/0097 , H01L2223/6677 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01L2924/3011 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L2924/00 , H01L27/1225 , H01L29/78603 , H01L29/7869
摘要： PURPOSE: A semiconductor device is provided to form the display unit of a large area by using the large size of substrate at low costs. CONSTITUTION: A molybdenum film(102) is formed on a substrate(101). A gate electrode(104) is formed on the molybdenum film. A first insulating layer(105) is formed on the gate electrode. A semiconductor film(106) having an amorphous structure is formed on the first insulating layer. An amorphous semiconductor film(107) is formed on the semiconductor film. A source electrode and a drain electrode are formed on the amorphous semiconductor film.
摘要翻译：目的：通过以低成本使用大尺寸的基板，提供半导体器件以形成大面积的显示单元。构成：在基板（101）上形成钼膜（102）。在钼膜上形成栅电极（104）。在栅电极上形成第一绝缘层（105）。在第一绝缘层上形成具有非晶结构的半导体膜（106）。在半导体膜上形成非晶半导体膜（107）。在非晶半导体膜上形成源电极和漏电极。

10. 发明公开

KR1020080072571A 반도체 장치의 제작방법 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020080072571A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：KR1020080010577
申请日：2008-02-01
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 진보야수히로 , 이사도시유키 , 혼다다츠야
IPC分类号： H01L21/20 , H01L29/786 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/02686 , H01L21/02532 , H01L21/02565 , H01L21/2026 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L27/283 , H01L27/3258 , H01L27/3274 , H01L28/40 , H01L29/24 , H01L29/42356 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/495 , H01L29/66969 , H01L29/78603 , H01L29/7869 , H01L51/003 , H01L51/56 , H01L2227/323 , H01L2227/326 , H01L2251/5338 , H01L21/76251
摘要： A method for manufacturing a semiconductor device is provided to reduce a manufacturing cost by using an organic compound layer as a supporting member. A metal layer is formed on a substrate(100). A metal oxide layer is formed on the metal layer. A non-metal inorganic layer(103) is formed on the metal oxide layer. An organic compound layer is formed on the non-metal inorganic layer. A semiconductor element is formed on the organic compound layer. The semiconductor element is delaminated from the substrate. The metal oxide layer includes the same as the metal included in the metal layer.
摘要翻译：提供一种制造半导体器件的方法，通过使用有机化合物层作为支撑构件来降低制造成本。金属层形成在基板（100）上。在金属层上形成金属氧化物层。在金属氧化物层上形成非金属无机层（103）。在非金属无机层上形成有机化合物层。在有机化合物层上形成半导体元件。半导体元件与衬底分层。金属氧化物层包括与金属层中包含的金属相同的金属氧化物层。

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