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1. 发明公开

KR1020160016654A 반도체 장치 审中-实审
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020160016654A
公开(公告)日：2016-02-15
申请号：KR1020150107833
申请日：2015-07-30
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 코바야시요시유키 , 마츠다신페이 , 마츠바야시다이스케 , 토미수히로유키
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , G02F1/1368 , G02F2201/58 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L29/045 , H01L29/78696
摘要： 본발명은유전이방성을가지는반도체에채널이형성되는트랜지스터를제공한다. 또는, 서브스레숄드스윙값이작은트랜지스터를제공한다. 또는, 노멀리-오프의전기특성을가지는트랜지스터를제공한다. 또는, 비도통시의누설전류가작은트랜지스터를제공한다. 절연체, 반도체, 및도전체를가지고, 반도체는절연체를개재하여도전체와서로중첩되는영역을가지고, 영역은영역상면에수직인방향에서상면에평행한방향보다높은유전율을가지는반도체장치이다.
摘要翻译：本发明提供了一种晶体管，其沟道形成在具有介电各向异性的半导体中，提供具有小的亚阈值摆动值的晶体管，提供具有常关电性能的晶体管，或者提供一个漏极泄漏少量电流的晶体管，的非传导性。半导体器件包括绝缘体，半导体和导体。半导体包括通过插入绝缘体与导体重叠的区域。该区域在与上表面垂直的方向上具有高于与该区域的上表面的平行方向的介电常数。

2. 发明授权

KR102251941B1 반도체 장치 有权
公开(公告)号：KR102251941B1
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：KR1020190059331
申请日：2019-05-21
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자키슌페이 , 미야케히로유키 , 이노우에세이코 , 마츠다신페이 , 마츠바야시다이스케 , 하야카와마사히코
IPC分类号： H01L29/786 , H01L51/52
摘要： [과제] 신뢰성이높은표시장치를제공한다. 또는, 양호한표시특성을갖는표시장치를제공한다. [해결수단] 선택트랜지스터, 구동트랜지스터및 발광소자를포함하는화소에있어서, 구동트랜지스터로서, 산화물반도체막에채널이형성되고, 그채널길이가 0.5㎛이상 4.5㎛이하, 바람직하게는 1㎛보다크고 4㎛이하, 보다바람직하게는 1㎛보다크고 3.5㎛이하, 더바람직하게는 1㎛보다크고 2.5㎛이하인트랜지스터를적용한다. 또한, 상기구동트랜지스터로서, 산화물반도체막의상층및 하층에각각중첩하는제 1 게이트전극및 제 2 게이트전극을갖고, 각게이트전극이서로전기적으로접속되어있는구성으로한다. 또한, 구동트랜지스터만큼의전계효과이동도가요구되지않는화소의선택트랜지스터의채널길이를, 적어도구동트랜지스터의채널길이보다크게한다.

3. 发明公开

KR1020210023933A 반도체 장치 审中-实审
公开(公告)号：KR1020210023933A
公开(公告)日：2021-03-04
申请号：KR1020210023191
申请日：2021-02-22
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자키슌페이 , 미야케히로유키 , 오카자키겐이치 , 하야카와마사히코 , 마츠다신페이
IPC分类号： H01L29/786
摘要： 본발명은, 전기특성의우수한트랜지스터를갖는반도체장치를제공한다. 또는, 개구율이높고, 또한전하용량을증대시키는것이가능한용량소자를갖는반도체장치를제공한다. 게이트전극과, 게이트전극과중첩되는산화물반도체막과, 산화물반도체막에접하는산화물절연막과, 게이트전극과산화물반도체막사이에설치되는산소에대한제1 배리어막과, 산소에대한제1 배리어막에접하는산소에대한제2 배리어막을갖고, 산소에대한제1 배리어막과산소에대한제2 배리어막의내측에, 산화물반도체막및 산화물절연막이설치되어있는반도체장치이다.

4. 发明公开

KR1020160007390A 반도체 장치 审中-实审
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020160007390A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：KR1020150096553
申请日：2015-07-07
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 고바야시요시유키 , 마츠다신페이 , 야마자키슌페이
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L27/0629 , H01L27/1225 , H01L29/045 , H01L29/78696
摘要： 안정된전기특성을갖는반도체장치를제공한다. 제1 내지제3 산화물반도체층과, 게이트전극과, 게이트절연층을갖는트랜지스터이며, 제2 산화물반도체층은, 제1 산화물반도체층과, 제3 산화물반도체층과의사이에설치되어있는부분을갖고, 게이트절연층은제3 산화물반도체층의상면과접하는영역을갖고, 게이트전극과, 상술한부분의상면은, 게이트절연층을개재하여서로중첩되는영역을갖고, 게이트전극과, 상술한부분의채널폭 방향의측면은, 게이트절연층을개재하여서로면하는영역을갖고, 제2 산화물반도체층은, 두께가 2nm 이상 8nm 미만인영역을갖고, 제2 산화물반도체층은, 채널폭 방향의길이가 60nm 미만이다.
摘要翻译：提供具有稳定电性能的半导体器件。晶体管具有第一至第三氧化物半导体层，栅极电极和栅极绝缘层。第二氧化物半导体层具有安装在第一氧化物半导体层和第三氧化物半导体层之间的部分。栅极绝缘层具有接触第三氧化物半导体层的上表面的区域。栅电极和上述上侧具有通过插入栅极绝缘层而重叠的区域。栅极电极和沟道宽度方向上述部分的侧面具有通过插入栅极绝缘层而被接触的区域。第二氧化物半导体层具有2nm至8nm的厚度的区域。第二氧化物半导体层的沟道宽度方向的长度为60nm以下。

5. 发明公开

KR1020140143108A 표시 장치 审中-实审
标题翻译：显示设备
公开(公告)号：KR1020140143108A
公开(公告)日：2014-12-15
申请号：KR1020140067717
申请日：2014-06-03
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자키슌페이 , 미야케히로유키 , 이노우에세이코 , 마츠다신페이 , 마츠바야시다이스케 , 하야카와마사히코
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/32 , H01L51/52
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L27/1251 , H01L27/3258 , H01L27/3262 , H01L29/7869 , H01L29/78618 , H01L51/5296
摘要： [과제]
신뢰성이 높은 표시 장치를 제공한다. 또는, 양호한 표시 특성을 갖는 표시 장치를 제공한다.
[해결 수단]
선택 트랜지스터, 구동 트랜지스터 및 발광 소자를 포함하는 화소에 있어서, 구동 트랜지스터로서, 산화물 반도체막에 채널이 형성되고, 그 채널 길이가 0.5㎛ 이상 4.5㎛ 이하, 바람직하게는 1㎛보다 크고 4㎛ 이하, 보다 바람직하게는 1㎛보다 크고 3.5㎛ 이하, 더 바람직하게는 1㎛보다 크고 2.5㎛ 이하인 트랜지스터를 적용한다. 또한, 상기 구동 트랜지스터로서, 산화물 반도체막의 상층 및 하층에 각각 중첩하는 제 1 게이트 전극 및 제 2 게이트 전극을 갖고, 각 게이트 전극이 서로 전기적으로 접속되어 있는 구성으로 한다. 또한, 구동 트랜지스터만큼의 전계 효과 이동도가 요구되지 않는 화소의 선택 트랜지스터의 채널 길이를, 적어도 구동 트랜지스터의 채널 길이보다 크게 한다.
摘要翻译： [目的]提供一种具有高可靠性的显示器。 [解决方案]在包括选择晶体管，驱动晶体管和发光元件的像素中，作为驱动晶体管，使用在氧化物半导体膜中形成沟道并且其沟道长度为0.5μm的晶体管，大于4.5μm或更小。优选地，通道长度大于1μm和3.5μm或更小。更优选地，通道长度大于1μm和2.5μm以下。驱动晶体管包括氧化物半导体膜上的第一栅电极和氧化物半导体膜下方的第二栅电极。第一栅电极和第二栅电极彼此电连接并与氧化物半导体膜重叠。此外，在不需要具有与驱动晶体管的场效应迁移率一样高的像素的选择晶体管中，使沟道长度比驱动晶体管的沟道长度至少长。

6. 发明公开

KR1020170086485A 반도체 장치 및 기억 장치 审中-实审
标题翻译：半导体器件和存储器件
公开(公告)号：KR1020170086485A
公开(公告)日：2017-07-26
申请号：KR1020177012021
申请日：2015-11-16
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자키슌페이 , 츠츠이가즈히로 , 마츠다신페이
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/78 , H01L29/66 , H01L29/24 , H01L27/108 , H01L27/12 , H01L27/146
CPC分类号： H01L29/78696 , H01L27/10805 , H01L27/10814 , H01L27/1225 , H01L27/14634 , H01L29/24 , H01L29/66818 , H01L29/7853 , H01L29/7869
摘要： 본발명은온 상태전류가높은트랜지스터를제공한다. 상기트랜지스터는복수의핀, 제 1 산화물반도체, 게이트절연막, 및게이트전극을포함한다. 인접되는 2개의핀 중한쪽은제 2 산화물반도체및 제 3 산화물반도체를포함한다. 다른쪽은제 3 산화물반도체및 제 4 산화물반도체를포함한다. 제 2 산화물반도체및 제 4 산화물반도체는게이트전극을개재하여서로마주보는영역들을포함한다. 게이트전극과제 2 산화물반도체는게이트절연막및 제 1 산화물반도체를개재하여서로중첩된다. 게이트전극과제 4 산화물반도체는게이트절연막및 제 1 산화물반도체를개재하여서로중첩된다.
摘要翻译：本发明提供具有高导通电流的晶体管。晶体管包括多个鳍，第一氧化物半导体，栅极绝缘膜和栅电极。并且两个相邻鳍中的一个包括第二氧化物半导体和第三氧化物半导体。另一个包括第三氧化物半导体和第四氧化物半导体。第二氧化物半导体和第四氧化物半导体包括经由栅电极彼此面对的区域。栅电极任务2的氧化物半导体经由栅极绝缘膜和第一氧化物半导体彼此重叠。栅电极任务4的氧化物半导体经由栅极绝缘膜和第一氧化物半导体彼此重叠。

7. 发明公开

KR1020160009646A 반도체 장치 审中-实审
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020160009646A
公开(公告)日：2016-01-26
申请号：KR1020157035443
申请日：2014-05-08
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자키슌페이 , 미야케히로유키 , 오카자키켄이치 , 하야카와마사히코 , 마츠다신페이
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368
CPC分类号： H01L27/1225 , G02F1/134309 , G02F1/1368 , H01L27/1237 , H01L27/124 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： 본발명은산화물반도체를포함하는반도체장치에있어서, 게이트 BT 스트레스에의한기생채널의형성을억제한반도체장치를제공하는것을과제로한다. 또는, 전기특성이뛰어난트랜지스터를포함하는반도체장치를제공하는것을과제로한다. 제1 게이트전극및 제2 게이트전극의사이에산화물반도체막이제공되는듀얼게이트구조의트랜지스터, 및제1 게이트전극또는제2 게이트전극과산화물반도체막사이에제공되는게이트절연막을포함하고, 제1 게이트전극또는제2 게이트전극과산화물반도체막의측면이트랜지스터의채널폭 방향에서산화물반도체막, 제1 게이트전극, 또는제2 게이트전극사이의게이트절연막을통하여마주보는반도체장치이다.
摘要翻译：提供了一种半导体器件，其包括氧化物半导体，并且其中抑制了由于栅极BT应力而形成的寄生沟道。此外，提供了包括具有优异电特性的晶体管的半导体器件。半导体器件包括具有双栅极结构的晶体管，其中氧化物半导体膜设置在第一栅电极和第二栅电极之间; 在所述氧化物半导体膜和所述第一栅电极之间以及所述氧化物半导体膜和所述第二栅电极之间设置栅绝缘膜; 并且在晶体管的沟道宽度方向上，第一或第二栅电极与氧化物半导体膜与第一或第二栅极之间的栅极绝缘膜面对氧化物半导体膜的侧面。

8. 发明公开

KR1020140135636A 반도체 장치 审中-实审
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020140135636A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：KR1020140057213
申请日：2014-05-13
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자키슌페이 , 미야케히로유키 , 오카자키겐이치 , 하야카와마사히코 , 마츠다신페이
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/31
CPC分类号： H01L29/78606 , H01L27/1225 , H01L27/1255 , H01L29/4908 , H01L29/7869
摘要： 본 발명은, 전기 특성의 우수한 트랜지스터를 갖는 반도체 장치를 제공한다. 또는, 개구율이 높고, 또한 전하 용량을 증대시키는 것이 가능한 용량 소자를 갖는 반도체 장치를 제공한다. 게이트 전극과, 게이트 전극과 중첩되는 산화물 반도체막과, 산화물 반도체막에 접하는 산화물 절연막과, 게이트 전극과 산화물 반도체막 사이에 설치되는 산소에 대한 제1 배리어막과, 산소에 대한 제1 배리어막에 접하는 산소에 대한 제2 배리어막을 갖고, 산소에 대한 제1 배리어막과 산소에 대한 제2 배리어막의 내측에, 산화물 반도체막 및 산화물 절연막이 설치되어 있는 반도체 장치이다.
摘要翻译：提供一种半导体器件，其具有具有优异电性能的晶体管或具有高开口率和增加的电荷电容的电容元件的半导体器件。半导体器件包括栅电极，与栅电极重叠的氧化物半导体层，接触氧化物半导体层的氧化物绝缘层，安装在栅电极和氧化物半导体层之间的用于氧的第一阻挡层，以及第二栅极接触氧的第一阻挡层。氧化物半导体层和氧化物绝缘层安装在第一阻挡层的内部和氧的第二阻挡层的内部。

9. 发明授权

KR102244511B1 반도체 장치 有权
公开(公告)号：KR102244511B1
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：KR1020157035443
申请日：2014-05-08
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자키슌페이 , 미야케히로유키 , 오카자키켄이치 , 하야카와마사히코 , 마츠다신페이
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368

10. 发明授权

KR102220810B1 반도체 장치 有权
公开(公告)号：KR102220810B1
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：KR1020140057213
申请日：2014-05-13
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자키슌페이 , 미야케히로유키 , 오카자키겐이치 , 하야카와마사히코 , 마츠다신페이
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/31
摘要： 본발명은, 전기특성의우수한트랜지스터를갖는반도체장치를제공한다. 또는, 개구율이높고, 또한전하용량을증대시키는것이가능한용량소자를갖는반도체장치를제공한다. 게이트전극과, 게이트전극과중첩되는산화물반도체막과, 산화물반도체막에접하는산화물절연막과, 게이트전극과산화물반도체막사이에설치되는산소에대한제1 배리어막과, 산소에대한제1 배리어막에접하는산소에대한제2 배리어막을갖고, 산소에대한제1 배리어막과산소에대한제2 배리어막의내측에, 산화물반도체막및 산화물절연막이설치되어있는반도체장치이다.

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