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1. 发明公开

KR1020150138029A 반도체 장치 审中-实审
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020150138029A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：KR1020150071238
申请日：2015-05-21
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 아츠미토모아키 , 고바야시요시유키 , 나가츠카슈헤이 , 시오노이리유타카 , 야쿠보유토 , 야마자키순페이
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , G05F3/262 , H01L27/085 , H01L27/0886 , H01L27/1211 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/045 , H01L29/0673 , H01L29/1606 , H01L29/2003 , H01L29/24 , H01L29/66439 , H01L29/66795 , H01L29/7782 , H01L29/785 , H01L29/78648 , H01L29/78696
摘要： 본발명은점유면적이작은반도체장치를제공하는것을과제로한다. 본발명은저항소자를갖는반도체장치이며, 저항소자는트랜지스터를가진다. 트랜지스터는드레인전압이게이트전압으로문턱전압의차이보다큰 경우, 드레인전압이 0.1 V 변화했을때의드레인전류의증가율은 1% 이상인것이바람직하다. 또한, 반도체장치는저항소자의저항값에따른전압을생성하는기능을가진다.
摘要翻译：本发明提供一种占用面积小的半导体器件。半导体器件具有电阻元件，电阻元件具有晶体管。当晶体管的漏极电压大于栅极电压和阈值电压之间的差时，希望当漏极电压改变0.1V时，漏极电流的增加率大于或等于百分之一。此外，半导体器件具有根据电阻元件的电阻值产生电压的功能。

2. 发明公开

KR1020150071664A 반도체 장치 审中-实审
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020150071664A
公开(公告)日：2015-06-26
申请号：KR1020140182175
申请日：2014-12-17
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 사사가와신야 , 구라타모토무 , 하나오카가즈야 , 고바야시요시유키 , 마츠바야시다이스케
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78696 , H01L29/045 , H01L29/24 , H01L29/7869 , H01L29/78606
摘要： 본발명은양호한전기특성을갖는반도체장치를제공한다. 절연층과, 절연층위의반도체층과, 반도체층에전기적으로접속되는소스전극층및 드레인전극층과, 반도체층, 소스전극층, 및드레인전극층위의게이트절연막과, 게이트절연막을개재하여반도체층의일부, 소스전극층의일부, 및드레인전극층의일부와중첩되는게이트전극층을갖고, 반도체층의채널폭 방향의단면형상은실질적으로삼각형또는실질적으로사다리꼴형상이고, 단면형상이사각형일때보다실효채널폭이짧다.
摘要翻译：在本发明中提供了具有优异电性能的半导体器件。半导体器件包括绝缘层; 位于所述绝缘层上的半导体层; 电连接到所述半导体层的源电极层和漏电极层; 位于半导体层，源电极层和漏电极层上的栅极绝缘膜; 以及包括所述栅极绝缘膜的栅极电极层，并且与所述半导体层的一部分，所述源极电极层的一部分和所述漏极电极层的一部分重叠，其中，在沟道的宽度方向上的截面形状的半导体层基本上是三角形或大致梯形，并且具有比正方形截面形状短的效果沟道宽度。

3. 发明公开

KR1020160012156A 반도체 장치 审中-实审
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020160012156A
公开(公告)日：2016-02-02
申请号：KR1020157034947
申请日：2014-05-12
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 하나오카가즈야 , 마츠바야시다이스케 , 고바야시요시유키 , 야마자키순페이 , 마쓰다신페이
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/41733 , H01L29/785 , H01L29/7854 , H01L29/78696
摘要： 본발명은반도체장치가소형화됨에따라더 현저해지는전기특성의열화를억제할수 있는반도체장치를제공한다. 반도체장치는제 1 산화물막, 제 1 산화물막위의산화물반도체막, 산화물반도체막과접촉되는소스전극및 드레인전극, 산화물반도체막, 소스전극, 및드레인전극위의제 2 산화물막, 제 2 산화물막위의게이트절연막, 및게이트절연막과접촉되는게이트전극을포함한다. 산화물반도체막의상단부는채널폭 방향에서봤을때, 만곡된다.
摘要翻译：可以抑制半导体装置小型化时变得更显着的电特性劣化的半导体装置。半导体器件包括第一氧化物膜，第一氧化物膜上的氧化物半导体膜，与氧化物半导体膜接触的源电极和漏电极，氧化物半导体膜上的第二氧化物膜，源电极和漏电极，第二氧化膜上的栅极绝缘膜，以及与栅极绝缘膜接触的栅电极。氧化物半导体膜的顶端部在通道宽度方向观察时呈弯曲状。

4. 发明公开

KR1020160007390A 반도체 장치 审中-实审
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020160007390A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：KR1020150096553
申请日：2015-07-07
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 고바야시요시유키 , 마츠다신페이 , 야마자키슌페이
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L27/0629 , H01L27/1225 , H01L29/045 , H01L29/78696
摘要： 안정된전기특성을갖는반도체장치를제공한다. 제1 내지제3 산화물반도체층과, 게이트전극과, 게이트절연층을갖는트랜지스터이며, 제2 산화물반도체층은, 제1 산화물반도체층과, 제3 산화물반도체층과의사이에설치되어있는부분을갖고, 게이트절연층은제3 산화물반도체층의상면과접하는영역을갖고, 게이트전극과, 상술한부분의상면은, 게이트절연층을개재하여서로중첩되는영역을갖고, 게이트전극과, 상술한부분의채널폭 방향의측면은, 게이트절연층을개재하여서로면하는영역을갖고, 제2 산화물반도체층은, 두께가 2nm 이상 8nm 미만인영역을갖고, 제2 산화물반도체층은, 채널폭 방향의길이가 60nm 미만이다.
摘要翻译：提供具有稳定电性能的半导体器件。晶体管具有第一至第三氧化物半导体层，栅极电极和栅极绝缘层。第二氧化物半导体层具有安装在第一氧化物半导体层和第三氧化物半导体层之间的部分。栅极绝缘层具有接触第三氧化物半导体层的上表面的区域。栅电极和上述上侧具有通过插入栅极绝缘层而重叠的区域。栅极电极和沟道宽度方向上述部分的侧面具有通过插入栅极绝缘层而被接触的区域。第二氧化物半导体层具有2nm至8nm的厚度的区域。第二氧化物半导体层的沟道宽度方向的长度为60nm以下。

5. 发明授权

KR102264971B1 반도체 장치 有权
公开(公告)号：KR102264971B1
公开(公告)日：2021-06-09
申请号：KR1020157034947
申请日：2014-05-12
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 하나오카가즈야 , 마츠바야시다이스케 , 고바야시요시유키 , 야마자키순페이 , 마쓰다신페이
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/78

6. 发明公开

KR1020160026900A 반도체 장치 审中-实审
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020160026900A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：KR1020157036594
申请日：2014-06-16
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자키슌페이 , 고바야시요시유키 , 마츠바야시다이스케 , 시모무라아키히사 , 이토다이고
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/423
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/42384 , H01L29/78648
摘要： 큰전류가흐를수 있는반도체장치를제공하는것. 높은구동전압으로안정되게구동될수 있는반도체장치를제공하는것. 반도체장치는반도체층과, 반도체층과전기적으로접속되고, 반도체층과중첩되는영역에서서로이격되는제1 전극및 제2 전극과, 반도체층을사이에두고있는제1 게이트전극및 제2 게이트전극과, 반도체층과제1 게이트전극과의사이의제1 게이트절연층과, 반도체층과제2 게이트전극과의사이의제2 게이트절연층을포함한다. 제1 게이트전극은제1 전극의일부, 반도체층및 제2 전극의일부와중첩된다. 제2 게이트전극은반도체층및 제1 전극의일부와중첩하고, 제2 전극과는중첩되지않는다.
摘要翻译：提供能够流动大电流的半导体器件。提供一种能够以高驱动电压稳定驱动的半导体器件。一种半导体器件包括：半导体层;第一电极和第二电极，第一电极和第二电极电连接到半导体层，并且在与半导体层重叠的区域中彼此间隔开;第一栅电极和夹着半导体层的第二栅电极; 在半导体层的栅电极和栅电极之间的第一栅绝缘层以及在半导体层的栅电极和第二栅电极之间的第二栅绝缘层。第一栅电极与第一电极的一部分，半导体层和第二电极的一部分重叠。第二栅电极与半导体层和第一电极的一部分重叠，并且不与第二电极重叠。

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