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1. 发明授权

KR101970469B1 반도체 장치 有权
公开(公告)号：KR101970469B1
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：KR1020187018410
申请日：2011-02-18
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 구로카와요시유키 , 이케다다카유키 , 다무라히카루 , 고주마무네히로 , 이케다마사타카 , 아오키다케시
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/361 , H01L29/786 , H01L31/105

2. 发明公开

KR1020120135410A 반도체 장치 审中-实审
公开(公告)号：KR1020120135410A
公开(公告)日：2012-12-13
申请号：KR1020127024208
申请日：2011-01-18
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 고주마무네히로 , 구로카와요시유키
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14643 , H01L27/14603 , H01L27/14607 , H01L27/14609
摘要： 본 발명의 목적은 포토센서에서 광 검출의 정밀도를 개선하고 상기 포토센서의 수광 면적을 증가시키는 것이다. 상기 포토 센서는: 광을 전기 신호로 변환하는 수광 소자와; 상기 전기 신호를 전송하는 제 1 트랜지스터와; 상기 전기 신호를 증폭하는 제 2 트랜지스터를 포함한다. 상기 수광 소자는 실리콘 반도체를 포함하고, 상기 제 1 트랜지스터는 산화물 반도체를 포함한다. 상기 수광 소자는 횡형 접합 포토다이오드이고, 상기 수광 소자에 포함된 n 영역 또는 p 영역은 상기 제 1 트랜지스터와 중첩한다.

3. 发明授权

KR101874784B1 반도체 장치 有权
公开(公告)号：KR101874784B1
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：KR1020177027316
申请日：2011-02-18
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 구로카와요시유키 , 이케다다카유키 , 다무라히카루 , 고주마무네히로 , 이케다마사타카 , 아오키다케시
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/361 , H01L29/786 , H01L31/105
CPC分类号： H01L27/14616 , H01L27/14603 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L29/7869 , H01L31/1055 , H04N5/361 , H04N5/374 , H04N5/378
摘要： 복수의픽셀들이매트릭스형태로배치된 CMOS 이미지센서에서, 채널형성영역이산화물반도체를포함하는트랜지스터는픽셀부에있는전하축적제어트랜지스터및 리셋트랜지스터에이용된다. 신호전하축적부의리셋동작이매트릭스형태로배치된모든픽셀들에서수행된이후에, 포토다이오드에의한전하축적동작은모든픽셀들에서수행되고, 픽셀로부터신호의판독동작은로우마다수행된다. 따라서, 이미지는왜곡없이취득될수 있다.

4. 发明公开

KR1020170116194A 반도체 장치 审中-实审
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020170116194A
公开(公告)日：2017-10-18
申请号：KR1020177027316
申请日：2011-02-18
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 구로카와요시유키 , 이케다다카유키 , 다무라히카루 , 고주마무네히로 , 이케다마사타카 , 아오키다케시
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/361 , H01L29/786 , H01L31/105
CPC分类号： H01L27/14616 , H01L27/14603 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L29/7869 , H01L31/1055 , H04N5/361 , H04N5/374 , H04N5/378
摘要： 복수의픽셀들이매트릭스형태로배치된 CMOS 이미지센서에서, 채널형성영역이산화물반도체를포함하는트랜지스터는픽셀부에있는전하축적제어트랜지스터및 리셋트랜지스터에이용된다. 신호전하축적부의리셋동작이매트릭스형태로배치된모든픽셀들에서수행된이후에, 포토다이오드에의한전하축적동작은모든픽셀들에서수행되고, 픽셀로부터신호의판독동작은로우마다수행된다. 따라서, 이미지는왜곡없이취득될수 있다.
摘要翻译：多个在配置成矩阵状的CMOS图像传感器的像素，用于沟道形成区的晶体管包括氧化物半导体用于电荷累积控制晶体管和在像素部分中的复位晶体管。此信号电荷存储部分复位操作上布置成矩阵形式中的所有像素执行后，在所有的像素中进行由光电二极管的电荷存储操作中，对每行执行从像素的信号的读操作。因此，可以在不失真的情况下获取图像。

5. 发明授权

KR101832119B1 반도체 장치 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR101832119B1
公开(公告)日：2018-02-26
申请号：KR1020127024208
申请日：2011-01-18
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 고주마무네히로 , 구로카와요시유키
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14643 , H01L27/14603 , H01L27/14607 , H01L27/14609
摘要： 본발명의목적은포토센서에서광 검출의정밀도를개선하고상기포토센서의수광면적을증가시키는것이다. 상기포토센서는: 광을전기신호로변환하는수광소자와; 상기전기신호를전송하는제 1 트랜지스터와; 상기전기신호를증폭하는제 2 트랜지스터를포함한다. 상기수광소자는실리콘반도체를포함하고, 상기제 1 트랜지스터는산화물반도체를포함한다. 상기수광소자는횡형접합포토다이오드이고, 상기수광소자에포함된 n 영역또는 p 영역은상기제 1 트랜지스터와중첩한다.
摘要翻译：发明内容本发明的目的是提高光电传感器中光的检测精度并增加光电传感器的光接收面积。该光电传感器包括：用于将光转换为电信号的光接收元件; 第一晶体管，用于传输电信号; 以及用于放大电信号的第二晶体管。光接收元件包括硅半导体，并且第一晶体管包括氧化物半导体。光接收元件是横向结光电二极管，并且光接收元件中包括的n区域或p区域与第一晶体管重叠。

6. 发明公开

KR1020130007596A 반도체 장치 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR1020130007596A
公开(公告)日：2013-01-18
申请号：KR1020127026146
申请日：2011-02-18
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 구로카와요시유키 , 이케다다카유키 , 다무라히카루 , 고주마무네히로 , 이케다마사타카 , 아오키다케시
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/361 , H01L29/786 , H01L31/105
CPC分类号： H01L27/14616 , H01L27/14603 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L29/7869 , H01L31/1055 , H04N5/361 , H04N5/374 , H04N5/378
摘要： 복수의 픽셀들이 매트릭스 형태로 배치된 CMOS 이미지 센서에서, 채널 형성 영역이 산화물 반도체를 포함하는 트랜지스터는 픽셀부에 있는 전하 축적 제어 트랜지스터 및 리셋 트랜지스터에 이용된다. 신호 전하 축적부의 리셋 동작이 매트릭스 형태로 배치된 모든 픽셀들에서 수행된 이후에, 포토다이오드에 의한 전하 축적 동작은 모든 픽셀들에서 수행되고, 픽셀로부터 신호의 판독 동작은 열 마다 수행된다. 따라서, 이미지는 왜곡 없이 취득될 수 있다.

7. 发明授权

KR102081040B1 광 검출 장치 有权
公开(公告)号：KR102081040B1
公开(公告)日：2020-02-26
申请号：KR1020120075919
申请日：2012-07-12
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 고주마무네히로
IPC分类号： G01J1/02 , G01J1/10

8. 发明授权

KR101784676B1 반도체 장치 및 그 제조방법 有权
标题翻译：半导体装置及其制造方法
公开(公告)号：KR101784676B1
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：KR1020127026146
申请日：2011-02-18
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 구로카와요시유키 , 이케다다카유키 , 다무라히카루 , 고주마무네히로 , 이케다마사타카 , 아오키다케시
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/361 , H01L29/786 , H01L31/105
CPC分类号： H01L27/14616 , H01L27/14603 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L29/7869 , H01L31/1055 , H04N5/361 , H04N5/374 , H04N5/378
摘要： 복수의픽셀들이매트릭스형태로배치된 CMOS 이미지센서에서, 채널형성영역이산화물반도체를포함하는트랜지스터는픽셀부에있는전하축적제어트랜지스터및 리셋트랜지스터에이용된다. 신호전하축적부의리셋동작이매트릭스형태로배치된모든픽셀들에서수행된이후에, 포토다이오드에의한전하축적동작은모든픽셀들에서수행되고, 픽셀로부터신호의판독동작은로우마다수행된다. 따라서, 이미지는왜곡없이취득될수 있다.
摘要翻译：多个在配置成矩阵状的CMOS图像传感器的像素，用于沟道形成区的晶体管包括氧化物半导体用于电荷累积控制晶体管和在像素部分中的复位晶体管。此信号电荷存储部分复位操作上布置成矩阵形式中的所有像素执行后，在所有的像素中进行由光电二极管的电荷存储操作中，对每行执行从像素的信号的读操作。因此，可以在不失真的情况下获取图像。

9. 发明公开

KR1020130009657A 광 검출 장치 审中-实审
标题翻译：光电探测器
公开(公告)号：KR1020130009657A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：KR1020120075919
申请日：2012-07-12
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 고주마무네히로
IPC分类号： G01J1/02 , G01J1/10
CPC分类号： G01J1/44 , H01L29/7869 , H04N5/23212 , H04N5/374 , H04N5/378
摘要： PURPOSE: A photodetector is provided to preventing a range of a generable data signal value from being narrower, thereby preventing a light detection range from being narrower. CONSTITUTION: A photodetector comprises a photodetection circuit(101), a conversion circuit(101), an analog operational circuit(102). The photodetection circuit comprises a photoelectric conversion element. The conversion circuit is electrically connected to the photodetection circuit. The analog operational circuit is electrically connected to the conversion circuit. The photodetection circuit outputs first optical data signals and second optical data signals. Each value of the first and second optical data signals is determined according to the illuminance of lights incident to the photoelectric conversion element. The first and second optical data signals are input to the analog operational circuit. The analog operational circuit performs an operation process by using the first and second optical data signals.
摘要翻译：目的：提供一种光电检测器，用于防止可变数据信号值的范围变窄，从而防止光检测范围变窄。构成：光电检测器包括光电检测电路（101），转换电路（101），模拟运算电路（102）。光检测电路包括光电转换元件。转换电路电连接到光电检测电路。模拟运算电路电连接到转换电路。光检测电路输出第一光数据信号和第二光数据信号。根据入射到光电转换元件的光的照度来确定第一和第二光学数据信号的每个值。第一和第二光学数据信号被输入到模拟操作电路。模拟操作电路通过使用第一和第二光学数据信号来执行操作处理。

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