基本信息:
- 专利标题： 반도체 장치 및 그 제조방법
- 专利标题（英）：Semiconductor device and manufacturing method thereof
- 申请号：KR1020127026146 申请日：2011-02-18
- 公开(公告)号：KR1020130007596A 公开(公告)日：2013-01-18
- 发明人： 구로카와요시유키 , 이케다다카유키 , 다무라히카루 , 고주마무네히로 , 이케다마사타카 , 아오키다케시
- 申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 申请人地址： 일본국 가나가와켄 아쓰기시 하세 ***
- 专利权人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 当前专利权人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 当前专利权人地址： 일본국 가나가와켄 아쓰기시 하세 ***
- 代理人： 장훈
- 优先权： JPJP-P-2010-050486 2010-03-08
- 国际申请： PCT/JP2011/054211 2011-02-18
- 国际公布： WO2011111549 2011-09-15
- 主分类号： H01L27/146
- IPC分类号： H01L27/146 ; H04N5/361 ; H01L29/786 ; H01L31/105
摘要：
복수의 픽셀들이 매트릭스 형태로 배치된 CMOS 이미지 센서에서, 채널 형성 영역이 산화물 반도체를 포함하는 트랜지스터는 픽셀부에 있는 전하 축적 제어 트랜지스터 및 리셋 트랜지스터에 이용된다. 신호 전하 축적부의 리셋 동작이 매트릭스 형태로 배치된 모든 픽셀들에서 수행된 이후에, 포토다이오드에 의한 전하 축적 동작은 모든 픽셀들에서 수행되고, 픽셀로부터 신호의 판독 동작은 열 마다 수행된다. 따라서, 이미지는 왜곡 없이 취득될 수 있다.
摘要（英）：
A plurality of pixels in the CMOS image sensors arranged in a matrix, a transistor for a channel formation region includes an oxide semiconductor is used for the charge accumulation control transistor and the reset transistor in the pixel portion. After this the signal charge storage portion reset operation is performed on all the pixels arranged in a matrix form, the charge storage operation by the photo diode is performed in all the pixels, the read operation of a signal from the pixel is performed for each column. Thus, the image can be obtained without distortion.
公开/授权文献:
- KR101784676B1 반도체 장치 및 그 제조방법 公开/授权日：2017-10-12
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/144 | ..由辐射控制的器件 |
| ------------H01L27/146 | ...图像结构 |