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1. 发明公开

KR1020010109299A 반도체기판처리장치 및 처리방법 失效
标题翻译：半导体基板处理装置及处理方法
公开(公告)号：KR1020010109299A
公开(公告)日：2001-12-08
申请号：KR1020017010793
申请日：2000-12-25
申请人： 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 , 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 기무라노리오 , 미시마고지 , 구니사와준지 , 오다가키미츠코 , 마키노나츠키 , 츠지무라마나부 , 이노우에히로아키 , 나카무라겐지 , 마츠모토모리지 , 마츠다데츠오 , 가네코히사시 , 모리타도시유키 , 하야사카노부오 , 오쿠무라가츠야
IPC分类号： H01L21/288
摘要： 본 발명은 반도체기판 위에 형성된 회로 패턴 홈및/또는 구멍을 금속도금막으로 충전하고, 그 충전부분을 남기고 상기 금속도금막을 제거함으로써 회로배선을 형성하는 반도체기판처리장치 및 처리방법에 관한 것이다. 본 발명의 반도체기판처리장치는 표면에 회로가 형성된 반도체기판(W)을 건조상태에서 반출입하는 로드 언로드부(1)와, 반입된 반도체기판 위에 금속도금막을 형성하는 금속도금막 성막유닛(2)과, 반도체기판의 둘레 가장자리부를 에칭하는 베벨 에칭유닛(116)과, 그 반도체기판 위의 그 금속도금막의 적어도 일부를 연마하는 연마유닛(10, 11)과, 반도체기판을 상기 유닛 사이에서 반송하는 로봇(3, 8)를 구비한다.

2. 发明公开

KR1020020041777A 무전해 Ｎｉ-Ｂ 도금액, 전자장치 및 이의 제조방법 无效
标题翻译：电镀Ni-B镀液，电子器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020020041777A
公开(公告)日：2002-06-03
申请号：KR1020010074587
申请日：2001-11-28
申请人： 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 , 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 이노우에히로아키 , 나카무라겐지 , 마츠모토모리지 , 에자와히로카즈 , 미야타마사히로 , 츠지무라마나부
IPC分类号： C23C18/16
CPC分类号： C23C18/50 , C23C18/34 , Y10T428/12576 , Y10T428/12896 , Y10T428/12903 , Y10T428/12944 , Y10T428/265
摘要： PURPOSE: An electroless Ni-B plating liquid which can lower the boron content of the resulting plated film without increasing the plating rate and form a Ni-B alloy film having an FCC (face centered cubic) crystalline structure, an electronic device in which the interconnects are protected with the plated film formed by electroless plating carried out by using the plating liquid, and a method for manufacturing the same are provided. CONSTITUTION: The electroless Ni-B plating liquid for forming a Ni-B alloy film on at least part of interconnects of an electronic device having an embedded interconnect structure comprises nickel ions, a completing agent for the nickel ions, a reducing agent for the nickel ions, and ammoniums (NH4¬+), wherein the reducing agent comprises an alkylamine borane or a hydrogen boride compound, the ammoniums are prepared from ammonia water, a pH of the electroless Ni-B plating liquid is adjusted within the range from 8 to 12, and a temperature of the electroless Ni-B plating liquid is adjusted within the range from 50 to 90 deg.C. The electronic device has an embedded interconnect structure of silver, silver alloy, copper or copper alloy, wherein a surface of an interconnect is selectively covered with a protective layer of a Ni-B alloy film, wherein the Ni-B alloy film has an FCC crystalline structure, the Ni-B alloy film has a boron content within the range from 0.01 at % to 10 at %, the Ni-B alloy film is formed by an electroless-plating process with use of an electroless Ni-B plating liquid, the electroless Ni-B plating liquid comprising nickel ions, a complexing agent for the nickel ions, a reducing agent for the nickel ions, and ammoniums (NH4¬+), the Ni-B alloy film has an FCC crystalline structure, and the Ni-B alloy film has a boron content within the range from 0.01 at % to 10 at %. The method for manufacturing an electronic device comprises electroless plating an electronic device having an embedded interconnect structure with an electroless Ni-B plating liquid to form a protective layer of a Ni-B alloy film selectively on a surface of an interconnect of the electronic device, wherein the electroless Ni-B plating liquid comprises nickel ions, a complex agent for nickel ions, a reducing agent for nickel ions, and ammoniums (NH4¬+).
摘要翻译：目的：一种无电镀Ni-B电镀液，可以降低所得电镀膜的硼含量，而不增加电镀速率，形成具有FCC（面心立方晶系）晶体结构的Ni-B合金膜，其中，通过使用电镀液进行无电镀形成的镀膜来保护互连，并且提供其制造方法。构成：用于在具有嵌入式互连结构的电子器件的互连件的至少一部分互连上形成Ni-B合金膜的无电Ni-B电镀液包括镍离子，用于镍离子的完成剂，用于镍的还原剂离子和铵（NH 4 +），其中还原剂包括烷基胺硼烷或硼氢化合物，铵由氨水制备，无电镀Ni-B电镀液的pH调节在8至 12，将化学镀Ni-B镀液的温度调节在50〜90℃的范围内。电子器件具有银，银合金，铜或铜合金的嵌入式互连结构，其中互连表面选择性地覆盖有Ni-B合金膜的保护层，其中Ni-B合金膜具有FCC 晶体结构，Ni-B合金膜的硼含量在0.01at％至10at％的范围内，Ni-B合金膜通过使用无电镀Ni-B电镀液的无电镀法形成，包含镍离子的非电解Ni-B电镀液，镍离子络合剂，镍离子还原剂和铵（NH4- +），Ni-B合金膜具有FCC晶体结构，Ni -B合金膜的硼含量在0.01原子％至10原子％的范围内。电子设备的制造方法包括：电化学电镀具有嵌入式互连结构的电化学镀Ni-B电镀液，以在电子器件的互连件的表面上选择性地形成Ni-B合金膜的保护层，其中所述无电Ni-B电镀液包含镍离子，镍离子络合剂，镍离子还原剂和铵（NH 4+）。

3. 发明公开

KR1020010110445A 기판의 도금장치 및 도금방법과 전해처리방법 및 그 장치 有权
标题翻译：电镀装置，电镀方法，电解处理方法和基板装置
公开(公告)号：KR1020010110445A
公开(公告)日：2001-12-13
申请号：KR1020017010797
申请日：2000-12-25
申请人： 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 , 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 구니사와준지 , 오다가키미츠코 , 마키노나츠키 , 미시마고지 , 나카무라겐지 , 이노우에히로아키 , 기무라노리오 , 마츠다데츠오 , 가네코히사시 , 하야사카노부오 , 오쿠무라가츠야 , 츠지무라마나부 , 모리타도시유키
IPC分类号： H01L21/28
摘要： 본 발명은 특히 반도체기판에 형성된 미세배선패턴(오목부)에 구리(Cu) 등의 금속을 충전하는 등의 용도의 기판의 도금방법 및 장치에 관한 것으로, 피도금면을 위쪽을 향하여 기판을 수평으로 유지하여 회전시키는 기판유지부(36)와, 그 기판유지부(36)로 유지된 기판의 피도금면의 둘레 가장자리부에 맞닿게 하여 그 둘레 가장자리부를 수밀적으로 시일하는 시일재(90)와, 그 기판과 접촉하여 통전시키는 캐소드전극(88)을 구비하고, 기판유지부(36)와 일체로 회전하는 캐소드부(38)와, 그 캐소드부(38)의 위쪽에 수평수직이동 자유롭게 배치되어 하향으로 애노드(98)를 구비한 전극아암부(30)와, 기판유지부(36)로 유지된 기판의 피도금면과 그 피도금면에 근접시킨 전극아암부(30)의 애노드(98) 사이의 공간에 도금액을 주입하는 도금액주입수단을 가진다. 이에 의하여 도금처리 및 그것에 부대하는 처리를 단일의 유닛으로 행할 수 있다.

4. 发明授权

KR100773164B1 기판의 도금장치 및 도금방법과 전해처리방법 및 그 장치 有权
标题翻译：用于镀敷基板的装置，基板的方法，电解处理方法及其装置
公开(公告)号：KR100773164B1
公开(公告)日：2007-11-02
申请号：KR1020017010797
申请日：2000-12-25
申请人： 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 , 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 구니사와준지 , 오다가키미츠코 , 마키노나츠키 , 미시마고지 , 나카무라겐지 , 이노우에히로아키 , 기무라노리오 , 마츠다데츠오 , 가네코히사시 , 하야사카노부오 , 오쿠무라가츠야 , 츠지무라마나부 , 모리타도시유키
IPC分类号： H01L21/28
摘要： 본 발명은 특히 반도체기판에 형성된 미세배선패턴(오목부)에 구리(Cu) 등의 금속을 충전하는 등의 용도의 기판의 도금방법 및 장치에 관한 것으로, 피도금면을 위쪽을 향하여 기판을 수평으로 유지하여 회전시키는 기판유지부(36)와, 그 기판유지부(36)로 유지된 기판의 피도금면의 둘레 가장자리부에 맞닿게 하여 그 둘레 가장자리부를 수밀적으로 시일하는 시일재(90)와, 그 기판과 접촉하여 통전시키는 캐소드전극(88)을 구비하고, 기판유지부(36)와 일체로 회전하는 캐소드부(38)와, 그 캐소드부(38)의 위쪽에 수평수직이동 자유롭게 배치되어 하향으로 애노드(98)를 구비한 전극아암부(30)와, 기판유지부(36)로 유지된 기판의 피도금면과 그 피도금면에 근접시킨 전극아암부(30)의 애노드(98) 사이의 공간에 도금액을 주입하는 도금액주입수단을 가진다. 이에 의하여 도금처리 및 그것에 부대하는 처리를 단일의 유닛으로 행할 수 있다.

5. 发明授权

KR100495980B1 폴리싱장치 및 폴리싱방법 失效
公开(公告)号：KR100495980B1
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：KR1020030060722
申请日：2003-09-01
申请人： 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 , 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 니시도요미 , 도가와데츠지 , 사이토하루미츠 , 츠지무라마나부 , 야지마히로미 , 히무카이가즈아키 , 고다마쇼이치 , 이모토유키오 , 아오키리이치로 , 와타세마사코 , 시게타아츠시 , 미시마시로 , 고노기스케
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 본 발명에 따른, 대상물의 표면을 폴리싱하는 폴리싱장치는, 하우징유닛; 상기 하우징유닛의 내부를 제 1챔버 및 제 2챔버로 분할하는 격벽; 턴테이블, 및 상기 턴테이블의 상부에 위치되어 폴리싱될 상기 대상물을 지지하며 상기 턴테이블에 대해 상기 대상물을 가압하는 탑링을 포함하며, 상기 제 1챔버에 배치되는 폴리싱부; 및 폴리싱된 상기 대상물을 세정하며, 상기 제 2챔버에 배치되는 세정부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 폴리싱장치는, 폴리싱된 상기 대상물을 상기 폴리싱부로부터 상기 개구를 통하여 상기 세정부로 이송하는 이송장치; 및 상기 각 폴리싱부 및 세정부의 주변공기를 개별적으로 분리하여 배기하는 배기부재를 더욱 포함한다.

6. 发明授权

KR100773165B1 반도체기판처리장치 및 처리방법 失效
标题翻译：半导体加工设备和加工方法
公开(公告)号：KR100773165B1
公开(公告)日：2007-11-02
申请号：KR1020017010793
申请日：2000-12-25
申请人： 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 , 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 기무라노리오 , 미시마고지 , 구니사와준지 , 오다가키미츠코 , 마키노나츠키 , 츠지무라마나부 , 이노우에히로아키 , 나카무라겐지 , 마츠모토모리지 , 마츠다데츠오 , 가네코히사시 , 모리타도시유키 , 하야사카노부오 , 오쿠무라가츠야
IPC分类号： H01L21/288
摘要： 본 발명은 반도체기판 위에 형성된 회로 패턴 홈 및/또는 구멍을 금속도금막으로 충전하고, 그 충전부분을 남기고 상기 금속도금막을 제거함으로써 회로배선을 형성하는 반도체기판처리장치 및 처리방법에 관한 것이다. 본 발명의 반도체기판처리장치는 표면에 회로가 형성된 반도체기판(W)을 건조상태에서 반출입하는 로드 언로드부(1)와, 반입된 반도체기판 위에 금속도금막을 형성하는 금속도금막 성막유닛(2)과, 반도체기판의 둘레 가장자리부를 에칭하는 베벨 에칭유닛(116)과, 상기 반도체기판 위의 그 금속도금막의 적어도 일부를 연마하는 연마유닛(10, 11)과, 반도체기판을 상기 유닛 사이에서 반송하는 로봇(3, 8)를 구비한다.

7. 发明公开

KR1020020070085A 폴리싱장치 有权
公开(公告)号：KR1020020070085A
公开(公告)日：2002-09-05
申请号：KR1020017003439
申请日：2001-01-22
申请人： 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
发明人： 가미무라겐지 , 기무라노리오 , 오카무라사토시 , 아이자와히데오 , 아카기마고토 , 도쿠시게가츠히코 , 마츠오히사노리 , 츠지무라마나부
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 연마대상물을 평탄하고도 경면형상으로 연마하는 폴리싱장치에 관한 것이다.
이를 위하여 본 발명의 폴리싱장치는 연마면을 가지는 연마테이블과 톱링을 가지고, 상기 연마테이블과 톱링 사이에 연마대상물을 개재시켜 소정의 압력으로 가압함으로써 연마대상물을 연마한다. 폴리싱장치는 연마포의 표면에 접촉하여 상기 연마면의 드레싱를 행하는 적어도 2개의 드레싱유닛을 구비한다.

8. 发明公开

KR1020010039858A 작업대상물을 폴리싱하는 장치 및 방법 失效
标题翻译：抛光工具的装置和方法
公开(公告)号：KR1020010039858A
公开(公告)日：2001-05-15
申请号：KR1020000051259
申请日：2000-08-31
申请人： 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
发明人： 가츠오카세이지 , 야스다호즈미 , 소네다다카즈 , 고지마순이치로 , 츠지무라마나부
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/30 , B24B37/32
摘要： PURPOSE: An apparatus and a method for polishing workpiece are provided to correct ununiformity easily and to polish workpiece strongly or weakly. CONSTITUTION: In a polishing device provided with a turntable having an abrasive cloth and a top ring(1) and polishing a semiconductor wafer(4) into flatness and mirror finished by interposing the semiconductor wafer between the turntable and the top ring(1) and pressing it with prescribed force, a holding surface(3a) of the top ring(1) holding the semiconductor wafer is maintained deformable with variable fluid pressure and a retainer ring(7) arranged around the top ring(1) pressing the abrasive cloth with variable forces and holding the semiconductor wafer in the holding surface(3a) of the top ring(1) is provided.
摘要翻译：目的：提供一种用于抛光工件的设备和方法，以便轻松校正不均匀性，并强烈或弱化抛光工件。构成：在具有研磨布和顶环（1）的转台的抛光装置中，通过将半导体晶片插入在转台和顶环（1）之间并将半导体晶片（4）抛光成平面度并进行镜面精加工，并且用规定的力压制，保持半导体晶片的顶环（1）的保持表面（3a）保持可变的流体压力可变，并且围绕顶环（1）布置的保持环（7）将研磨布按压提供可变力并将半导体晶片保持在顶环（1）的保持表面（3a）中。

9. 发明公开

KR1020000070826A 연마액 공급장치 失效
标题翻译：磨料液体供应装置
公开(公告)号：KR1020000070826A
公开(公告)日：2000-11-25
申请号：KR1019997007089
申请日：1998-12-08
申请人： 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
发明人： 기무라노리오 , 가와시마기요다카 , 츠지무라마나부 , 가와모토다카요시 , 히야마히로구니 , 와다유타카
IPC分类号： B24B5/02
CPC分类号： B24B37/04 , B24B57/02 , Y10S451/91
摘要： 본발명은일정한연마용입자의입도분포의연마액을안정되게공급할수 있는연마액공급장치를제공하는것이며, 연마장치(22)에연마액을공급하는연마액공급장치로서연마액이유통하는연마액유통경로의적어도일부에초음파진동장치(72)가설치되어있다.
摘要翻译：本发明是提供一种能提供的颗粒尺寸分布为一定的磨料颗粒，抛光设备22，抛光液作为抛光液通过为什么抛光溶液到供给的研磨液供给装置的稳定的抛光溶液的抛光液供给装置超声波振动装置（72）至少部分地安装在流路中。

10. 发明公开

KR1019990029870A 기판도금장치 有权
公开(公告)号：KR1019990029870A
公开(公告)日：1999-04-26
申请号：KR1019980038368
申请日：1998-09-17
申请人： 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
发明人： 혼고아키히사 , 오구레나오아키 , 이노우에히로아키 , 기무라노리오 , 구리야마후미오 , 츠지무라마나부 , 스즈키겐이치 , 죠노아츠시
IPC分类号： H01L21/00
摘要： 기판도금장치는 기판에 형성된 미세한 홈 및/또는 구멍을 포함하여 이루어진 상호연결 영역 위에 상호연결층 형성한다. 기판도금장치는 상호연결영역을 포함하는 기판의 표면 위에 도금층을 형성하는 도금유닛, 상호연결영역에서 도금층 부분을 남기고 기판의 표면으로부터 도금된 층을 제거하도록 기판을 화학기계적 폴리싱하는 화학기계적 폴리싱유닛, 도금층을 형성하거나 화학기계적 폴리싱으로 기판을 처리한 이후에, 기판을 세정하는 세정유닛, 기판이 세정된 후에 기판을 건조시키는 건조유닛, 및 각각의 제 1 도금유닛, 제 1 화학기계적 폴리싱유닛, 세정유닛, 및 건조유닛 각각으로부터 및 각각으로 기판을 이송하는 기판이송유닛을 포함한다. 상기 제 1 도금유닛, 제 1 화학기계적 폴리싱유닛, 세정유닛, 건조유닛, 및 기판이송유닛은 하나의 단일 장치로 결합된다.

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