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1. 发明授权

KR101974754B1 박막 트랜지스터 有权
公开(公告)号：KR101974754B1
公开(公告)日：2019-09-05
申请号：KR1020177005510
申请日：2015-08-06
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
发明人： 오치모토타카 , 다카나시야스유키 , 미키아야 , 고토히로시 , 구기미야도시히로
IPC分类号： H01L29/786

2. 发明公开

KR1020170128632A 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170128632A
公开(公告)日：2017-11-22
申请号：KR1020177032917
申请日：2014-06-24
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
发明人： 오치모토타카 , 모리타신야 , 다카나시야스유키 , 고토히로시 , 구기미야도시히로
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/66 , H01L21/324 , H01L21/02 , H01L21/24
CPC分类号： H01L29/78693 , H01L21/477 , H01L27/1214 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L29/247 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： 본발명의박막트랜지스터는, 기판상에적어도게이트전극, 게이트절연막, 산화물반도체층, 소스·드레인전극, 및 2층이상의보호막을가진다. 상기산화물반도체층은, Sn와; In, Ga, 및 Zn로이루어지는군으로부터선택되는 1 이상의원소와; O로구성된다. 또, 상기 2층이상의보호막은, 적어도상기산화물반도체층과접하는제 1 보호막과, 상기제 1 보호막이외의 1층이상의제 2 보호막으로이루어지며, 상기제 1 보호막은, SiOx 막이며, 또한수소농도가 3.5 원자% 이하이다.
摘要翻译：本发明的薄膜晶体管在基板上至少具有栅极电极，栅极绝缘膜，氧化物半导体层，源极和漏极电极以及两层或更多层的保护膜。其中氧化物半导体层包含锡; 选自由In，Ga和Zn组成的组中的至少一种元素; 它由O. 此外，在第二层上的保护膜，在与氧化物半导体层，第二保护膜的至少一层比所述第一保护膜以外，与所述第一保护膜，SiO x膜，以及氢浓度接触由至少一个第一保护膜的为3.5原子％以下。

3. 发明授权

KR101795194B1 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법 有权
标题翻译：薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR101795194B1
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：KR1020157016705
申请日：2013-12-27
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
发明人： 모리타신야 , 오치모토타카 , 고토히로시 , 구기미야도시히로 , 히로세겐타
IPC分类号： H01L29/786 , C01G19/00
CPC分类号： H01L29/45 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/32134 , H01L21/44 , H01L21/46 , H01L21/465 , H01L29/66969 , H01L29/78636 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： 에치스토퍼층을갖지않는백 채널에치형 TFT로서, TFT의산화물반도체층이, 소스-드레인전극형성시에사용하는산 에칭용액에대한내성이우수하고, 또한스트레스내성이우수한 TFT를제공한다. 해당 TFT는, 산화물반도체층이, Sn 및 In, 및 Ga와 Zn 중적어도 1종과, O로구성되는제 1 산화물반도체층과, In, Zn, Sn 및 Ga로이루어지는군으로부터선택되는 1 이상의원소와, O로구성되는제 2 산화물반도체층을갖는적층체이고, 상기게이트절연막, 상기제 2 산화물반도체층, 상기제 1 산화물반도체층의순으로형성되고, 또한박막트랜지스터의적층방향단면에있어서, [100×(소스-드레인전극끝 직하의제 1 산화물반도체층의막 두께-제 1 산화물반도체층중앙부의막 두께)/소스-드레인전극끝 직하의제 1 산화물반도체층의막 두께]에의해구해지는값이, 5% 이하인점에특징을갖는다.
摘要翻译：作为不具有蚀刻阻挡层的背沟道TFT的TFT氧化物半导体层提供了对用于形成源 - 漏电极的酸蚀刻溶液具有优良耐受性并且耐应力性优异的TFT。的TFT具有的氧化物半导体层，Sn和In和Ga和Zn从第一物质和第一氧化物半导体层选择普遍至少一种或多种元素，和由In组成的组中，锌，锡和Ga自由O 并且，具有由O的第二氧化物半导体层的叠层，形成作为栅极绝缘膜，所述第二氧化物半导体层，所述半导体层的所述第一氧化物顺序，在薄膜晶体管的横截面的层叠方向，变得萨尔通过[100×（源 - 半导体层中心的漏电极尖端直第一氧化物膜厚度的第一氧化物半导体层的厚度）正下方的漏电极尖的第一氧化物半导体层的/源膜厚度; 价值小于或等于5％。

4. 发明授权

KR101764053B1 반사 전극용 또는 배선 전극용 Ag 합금막, 반사 전극 또는 배선 전극, 및 Ag 합금 스퍼터링 타겟 有权
公开(公告)号：KR101764053B1
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：KR1020157036037
申请日：2014-06-11
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
发明人： 시다요코 , 고토히로시 , 오치모토타카
IPC分类号： C23C14/14 , C23C14/18 , C23C14/34 , C23C14/35 , C22C5/06 , H01B1/02 , H01L51/52 , H01L21/02 , F21S2/00
CPC分类号： H01B1/02 , C22C5/06 , C22F1/00 , C22F1/14 , C23C14/086 , C23C14/185 , C23C14/3414 , C23C14/5806 , H01J37/3429 , H01L23/53247 , H01L51/5218 , H01L2924/0002 , Y10T428/12896 , H01L2924/00
摘要： 저전기저항률과고반사율을나타냄과더불어, UV 조사나 O플라즈마처리등의세정처리에대한내산화성이우수한, 반사전극또는배선전극에이용되는 Ag 합금막으로서, In을 2.0원자% 초과 2.7원자% 이하; Bi를 0.01∼1.0원자% 함유한다.

5. 发明公开

KR1020150087411A 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법 无效
标题翻译：薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150087411A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：KR1020157016704
申请日：2013-12-26
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
发明人： 모리타신야 , 오치모토타카 , 고토히로시 , 구기미야도시히로 , 히로세겐타 , 다오히로아키 , 다카나시야스유키
IPC分类号： H01L29/786 , C01G19/00 , H01L27/32
CPC分类号： H01L29/7869 , C01G19/00 , H01L21/465 , H01L21/47635 , H01L21/477 , H01L29/24 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/78606
摘要： 에치스토퍼층을갖지않는백 채널에치형(BCE형)의박막트랜지스터(TFT)로서, TFT의산화물반도체층이, TFT 제조시의소스-드레인전극형성시에사용하는산 에칭용액에대한내성이우수하고, 또한스트레스내성이우수한박막트랜지스터를제공한다. 해당박막트랜지스터는, 기판상에적어도게이트전극, 게이트절연막, 산화물반도체층, 소스-드레인전극, 및상기소스-드레인전극을보호하는보호막을이 순서로갖고, 상기산화물반도체층은, Sn과, In, Ga 및 Zn으로이루어지는군으로부터선택되는 1종이상의원소와, O로구성되며, 박막트랜지스터의적층방향단면에있어서, [100×(소스-드레인전극끝 직하의산화물반도체층의막 두께-산화물반도체층중앙부의막 두께)/소스-드레인전극끝 직하의산화물반도체층의막 두께]에의해구해지는값이, 5% 이하인것을특징으로하는박막트랜지스터이다.
摘要翻译：（BCE型）薄膜晶体管（TFT），该薄膜晶体管的氧化物半导体层在制造TFT时耐受用于形成源 - 漏电极的酸蚀刻溶液并进一步提供耐应力性优异的薄膜晶体管。该薄膜晶体管至少具有栅极电极，栅极绝缘膜，氧化物半导体层，源极 - 漏极电极和保护膜，用于以该顺序保护衬底上的源极 - 漏极电极，，Ga和Zn以及O，并且[100×（源极 - 漏极正下方的氧化物半导体层的厚度与氧化物半导体的氧化物半导体层的厚度之比）该层中心的膜厚）/源极 - 漏极正下方的氧化物半导体层的厚度]为5％以下。

6. 发明公开

KR1020150038310A 박막 트랜지스터 및 표시 장치 无效
标题翻译：的薄膜晶体管及显示装置
公开(公告)号：KR1020150038310A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：KR1020157004774
申请日：2013-08-30
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
发明人： 미키아야 , 모리타신야 , 고토히로시 , 구기미야도시히로 , 다오히로아키 , 히로세겐타
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/02 , H01L27/32
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/823462 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L27/3262 , H01L29/78606 , H01L2924/13069
摘要： 산화물반도체층박막을구비한박막트랜지스터에있어서, 광이나바이어스스트레스등에대해임계값전압의변화량이작고스트레스내성이우수한박막트랜지스터를제공하는것이다. 본발명의박막트랜지스터는, 게이트전극과, 채널층에사용되는산화물반도체층과, 게이트전극과채널층사이에배치되는게이트절연막을구비한박막트랜지스터이며, 산화물반도체층을구성하는금속원소는, In, Ga, Zn, 및 Sn으로이루어지는군으로부터선택되는적어도 1종임(단, 상기산화물반도체층을구성하는금속원소가, Sn과 In 및/또는 Zn으로구성되는것은제외함)과함께, 상기산화물반도체층과직접접촉하는게이트절연막중의수소농도는 4원자% 이하로제어된것이다.
摘要翻译：在具有氧化物半导体薄膜层的薄膜晶体管，在阈值电压的变化量是小的，提供一种抗胁迫是极好的薄膜晶体管等的光或偏置应力。薄膜晶体管包括栅电极，用于沟道层的氧化物半导体层，和具有栅极绝缘布置的栅电极与所述沟道层，构成本发明的氧化物半导体层中的金属元素之间膜的薄膜晶体管，在，镓，锌，以及至少一个jongim（前提是构成所述氧化物半导体层，除了它是由Sn和/或Zn的，并在金属元素）从由Sn与氧化物半导体的组中选择在栅极绝缘膜中的氢浓度是直接接触的层被控制为不大于4％（原子）。

7. 发明公开

KR1020140012602A 박막 트랜지스터의 반도체층용 박막의 형성에 사용되는 타깃 조립체의 품질 평가 방법 有权
标题翻译：用于形成薄膜半导体层的薄膜的目标组件的质量控制方法
公开(公告)号：KR1020140012602A
公开(公告)日：2014-02-03
申请号：KR1020130085599
申请日：2013-07-19
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
发明人： 기시도모야 , 고토히로시 , 구기미야도시히로
IPC分类号： H01L21/66 , G01N22/00 , H01L29/786
CPC分类号： H01L22/30 , H01L21/02631 , H01L21/67207
摘要： The task of the present invention is to provide a method for easily evaluating the quality of a target assembly with high-precision. The method for evaluating the quality of the present invention comprises: a first step for preparing a target assembly in which a plurality of oxide target members is arranged with a gap by interposing a bonding material on a backing plate; a second step for forming a thin film by sputtering the target assembly; a third step for calculating the time in which the reflectance is to be 1/e as a life time value τ1 of a joint portion of the thin film by irradiating excitation light and microwaves in a region including a joint portion A corresponding to the gap of the target assembly, measuring a maximum value of a reflected wave from the joint portion A of the microwaves changed by the irradiation of the excitation light, stopping the irradiation of the excitation light, and measuring the change of reflectivity from the joint portion A of the microwaves after stopping the irradiation of the excitation light; and a fourth step for evaluating the quality of the target assembly based on the life time value τ1 of the joint portion A.
摘要翻译：本发明的任务是提供一种用于以高精度容易地评价目标组件的质量的方法。用于评价本发明的质量的方法包括：第一步骤，通过在背板上插入接合材料来制备其中多个氧化物靶构件以间隙布置的目标组件; 用于通过溅射靶组件形成薄膜的第二步骤; 计算反射率为1 / e的时间的第三步骤，作为薄膜的接合部分的寿命值τ1，通过在与包含接合部分A的间隙相对应的区域中照射激发光和微波来激发光和微波目标组件，测量通过激发光的照射而改变的微波接头部分A的反射波的最大值，停止激发光的照射，以及测量来自接收部分A的反射率的变化停止照射激发光后的微波; 以及基于接合部A的寿命值τ1来评价目标组件的质量的第四步骤。

8. 发明公开

KR1020130126996A Cu 합금막 및 그것을 구비한 표시 장치 또는 전자 장치 无效
标题翻译：铜合金薄膜，以及显示设备和每个设备的电子设备
公开(公告)号：KR1020130126996A
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：KR1020137025572
申请日：2012-03-13
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
发明人： 도미히사가츠후미 , 미키아야 , 고토히로시 , 나카이준이치
IPC分类号： H01L21/3205
CPC分类号： H01L27/124 , C22C9/00 , C22C9/05 , C23C14/165 , G02F1/1368 , G02F2001/136295 , H01L21/28008 , H01L21/32051
摘要： 본 발명은, 기판 및/또는 절연막과의 높은 밀착성을 갖고, 또한, 열처리 후도 낮은 전기 저항률을 갖는 신규인 Cu 합금막을 제공하는 것이다. 본 발명은, 기판 상에서, 기판 및/또는 절연막과 직접 접촉하고, 기판측으로부터 순서대로, 원소 X(Ag, Au, C, W, Ca, Mg, Al, Sn, B 및/또는 Ni)를 함유하는 Cu-Mn-X 합금층(제1 층)과, 순Cu, 또는 Cu를 주성분으로 하는 Cu 합금이며 상기 제1 층보다도 전기 저항률이 낮은 Cu 합금으로 이루어지는 층(제2 층)으로 구성된 Cu 합금막에 관한 것이다.

9. 发明公开

KR1020070021086A 소스/드레인 전극, 박막 트랜지스터 기판, 그의 제조방법,및 표시 디바이스 有权
标题翻译：源极/漏极电极，薄膜晶体管基板，其制造方法及显示器件
公开(公告)号：KR1020070021086A
公开(公告)日：2007-02-22
申请号：KR1020060077773
申请日：2006-08-17
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
发明人： 가와카미노부유키 , 구기미야도시히로 , 고토히로시 , 도미히사가쓰후미 , 히노아야
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/458 , G02F1/136286
摘要： 본 발명에 따른 소스/드레인 전극은 기판, 박막 트랜지스터 반도체층, 소스/드레인 전극 및 투명 화소 전극(picture electrode)을 포함하는 박막 트랜지스터 기판에 사용된다. 상기 소스/드레인 전극은 질소함유층 및 순수한 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 박막을 포함한다. 질소함유층 중의 질소는 박막 트랜지스터 반도체층 중의 규소에 결합하며, 순수한 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 박막은 질소함유층을 통해 박막 트랜지스터 반도체층에 접속된다.

10. 发明授权

KR102218802B1 산화물 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터 有权
公开(公告)号：KR102218802B1
公开(公告)日：2021-02-22
申请号：KR1020187024429
申请日：2017-02-02
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
发明人： 오치모토타카 , 니시야마고헤이 , 고토히로시 , 구기미야도시히로
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/768
摘要： 기판상에적어도게이트전극, 게이트절연막, 산화물반도체층, 소스·드레인전극, 및적어도 1층의보호막을갖는박막트랜지스터로서, 상기산화물반도체층을구성하는금속원소가 In, Ga, Zn, 및 Sn을포함하고, 상기산화물반도체층에있어서의전체금속원소의합계(In+Ga+Zn+Sn)에대한각 금속원소의비율이, In: 20∼45원자%, Ga: 5∼20원자%, Zn: 30∼60원자%, 및 Sn: 9∼25원자%인박막트랜지스터.

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