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2. 发明授权

KR100239239B1 반도체 기억 장치 失效
公开(公告)号：KR100239239B1
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019920009094
申请日：1992-05-28
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 , 히다치초엘에스아이 엔지니어링가부시키가이샤
发明人： 스즈끼유끼히데 , 무라나까마사야 , 마쯔우라히로미 , 나까고메요시노부 , 다나까히또시 , 야마사끼에이지 , 사꾸따도시유끼
IPC分类号： G11C11/40
CPC分类号： G11C7/10
摘要： 반도체 기억 장치로서, 메모리 매트에 대응해서 마련되는 공통 데이타선의 수에 의한 제약을 받는 일 없이 다비트 병렬 테스트 모드에 있어서의 병렬 비트수를 확대할 수 있는 다이나믹형 RAM등의 반도체기억장치를 제공하기 위해, 메모리 어레이를 워드선 및 비트선의 연장 방향으로 각각 분할해서 여러개의 메모리 매트MAT00L∼MAT07L 내지 MAT10R∼MAT17R등을 구성하고, 이들의 메모리 매트에 대응해서 워드선에 평행해서 배치되고, 또한 대응하는 메모리 매트의 지정되는 비트선이 선택적으로 접속되는 제 1의 공통 데이타선 즉 서브 IO선을 마련하고, 또 비트선의 연장 방향으로 배치되는 여러개의 메모리 매트에 공통으로비트선과 평행해서 배치되고 또한 지정되는 서브IO선이 선택적으로 접속되는 제 2의 공통 데이타선 즉 메인IO선군MIOG0∼MIOG7을 마련한다. 또, 메인 앰프 유니트MAU0을 구성하는 여러개의 메인 앰프를 워드선의 연장 방향으로 정렬해서 배치하고, 이들의 메인 앰프에 스태틱형 커런트 미러 앰프로 되어 비교적 큰 동작 전류를 필요로 하는 제 1의 메인 앰프와 다이나믹형 CMOS 래치 앰프로 되어 그 동작 전류가 비교적 작은 제 2의 메인 앰프를 마련하고, 이들의 메인 앰프를 동작 모드에 따라서 적절하게 사용한다. 이것에 의해, 각 메모리 매트에 대응해서 마련되는 서브IO선에 수에 제약을 받는 일 없이 다이나믹형 RAM등의 다비트 병렬 테스트 모드에 있어서의 병렬 비트수를 확대할 수 있다.
이러한 반도체 기억 장치를 사용하는 것에 의해, 병렬 테스트 모드를 구비하는 다이나믹 RAM등의 메모리 어레이를 워드선 및 비트선의 연장 방향에 있어서 각각 여러개의 메모리 매트로 분할함과 동시에 이들의 메모리 매트에 대응해서 워드선에 평행해서 배치되고 또한 대응하는 메모리 매트의 비트선이 선택적으로 접속되는 제 1의 공통 데이타선을 마련하고, 또, 비트선의 연장 방향에 있는 여러개의 메모리 매트에 공통으로 비트선에 평행해서 배치되고 또한 지정되는 제 1의 공통 데이타선이 선택적으로 접속되는 제 2의 공통 데이타선을 마련한다. 또, 스태틱 형 커런트 미러 앰프로 되어 비교적 큰 동작 전류를 필요로 하는 제 1의 메인 앰프와 다이나믹형 CMOS 래치 앰프로 되어 비교적 작은 동작 전류를 필요로 하는 제 2의 메인 앰프를 마련하고, 이들의 메인 앰프를 동작 모드에 따라서 적절하게 사용한다. 이것에 의해, 테스트 모드에 있어서의 병렬 비트수를 제 1의 공통 데이타선의 수에 의한 제약을 받는 일없이 설정할 수 있으므로, 그 칩 면적 및 소비 전력의 증대를 억제하면서, 다이나믹형 RAM등의 다비트 병렬 테스트 모드에 있어서의 병렬 비트수를 확대할 수가 있다. 그 결과, 그 저코스트화 및 저소비 전력화를 도모하면서 다이나믹형 RAM등의 시험 공정수를 삭감할 수가 있다.

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