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1. 发明授权

KR100174818B1 반도체장치 失效
标题翻译：用于低电压运行的大规模集成电路
公开(公告)号：KR100174818B1
公开(公告)日：1999-04-01
申请号：KR1019980014893
申请日：1998-04-27
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 , 히다치초엘에스아이 엔지니어링가부시키가이샤
发明人： 에토쥰 , 이토기요오 , 가와지리요시키 , 나카고메요시노부 , 구메에이지 , 다나카히토시
IPC分类号： G11C11/21
摘要： 광범위한 전원전압과 전원의 종류에 대응할 수 있는 전압변환회로가 미세한 소자로 구성된 고집적의 반도체장치에 관한 것으로서, 넓은 범위의 전원전압의 변동에 대해서도 일정한 동작속도로 동작하는 대규모 집적회로를 제공하기 위해, 제1 전압에서 동작하는 제1 회로블럭과 제1 전압보다 큰 제2 전압에서 동작하는 제2 회로블럭을 갖고, 제2 회로블럭은 여러개의 논리회로를 포함하고, 여러개의 논리회로의 각각은 2 전압 사이에 소오스-드레인경로가 직렬로 접속된 제1 도전형의 제1 MISFET, 제1 도전형의 제2 MISFET, 제2 도전형의 제3 MISFET 및 제2 도전형의 제4 MISFET를 포함하고, 제2 MISFET의 게이트에는 제2 전압의 하이레벨보다 작은 레벨을 갖는 제1 바이어스전압이 공급됨과 동시에 제3 MISFET의 게이트에는 제2 전압의 로우레벨보다 큰 레벨을 갖는 제2 바� �어스전압이 공급되는 구성으로 한다.
이러한 구성으로 하는 것에 의해, 보다 낮은 전원전압에서도 속도성능을 현저하게 저해하지 않고 동작하는 메모리회로를 제공할 수 있어 배터리백업을 메모리나 전지동작용 메모리로서 사용할 수 있고, 또 센스앰프에 한정되지 않고, 회로의 용도에 따라서 적당하게 사용하는 것에 의해 고속이고 저소비전력의 LSI를 제공할 수 있다는 효과가 얻어진다.

2. 发明公开

KR1019910013280A 저전원 전압으로 동작하는 반도체장치 失效
标题翻译：半导体器件在低电源电压下工作
公开(公告)号：KR1019910013280A
公开(公告)日：1991-07-31
申请号：KR1019900020061
申请日：1990-12-07
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 , 히다치초엘에스아이 엔지니어링가부시키가이샤
发明人： 나까고메요시노부 , 이또기요 , 다나까히또시 , 와따나베야스시 , 구메에이지 , 이소다마사노리 , 야마사끼에이지 , 우찌기리다쯔미
IPC分类号： G11C11/409

3. 发明授权

KR100206352B1 저전원 전압으로 동작하는 반도체장치 失效
标题翻译：半导体存储器以低电压工作
公开(公告)号：KR100206352B1
公开(公告)日：1999-07-01
申请号：KR1019900020061
申请日：1990-12-07
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 , 히다치초엘에스아이 엔지니어링가부시키가이샤
发明人： 나까고메요시노부 , 이또기요 , 다나까히또시 , 와따나베야스시 , 구메에이지 , 이소다마사노리 , 야마사끼에이지 , 우찌기리다쯔미
IPC分类号： G11C11/409
摘要： 반도체장치에 관한 것으로서, 저전압에서도 고속으로 동작하는 초고집적도의 메모리의 입출력제어회로 방식을 제공하기 위해, 전압신호를 전압/전류변환수단에 의해 검출해서 전류변환하여 신호전송하고 전송된 전류신호를 전류/전압변환수단에 의해 전압신호로서 증폭하는 회로를 갖는 구성으로 하였다.
이와 같이 하는 것에 의해, 워드선용 구동 트랜지스터가 로우 게이트전압레벨에서 동작하므로 전원전압이 감소하더라도 워드 드라이버로서 안정하게 동작한다는 등의 효과가 얻어진다.

4. 发明授权

KR100266425B1 저전원전압으로 동작하는 반도체장치 失效
标题翻译：低电压工作的半导体器件
公开(公告)号：KR100266425B1
公开(公告)日：2000-09-15
申请号：KR1020000004825
申请日：2000-02-01
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 , 히다치초엘에스아이 엔지니어링가부시키가이샤
发明人： 이토기요오 , 다나카히토시 , 와타나베야스시 , 구메에이지 , 우치기리다츠미 , 이소다마사노리 , 야마사키에이지 , 나카고메요시노부
IPC分类号： G11C11/409
CPC分类号： G11C5/147 , G11C5/145 , G11C8/08 , G11C11/4074 , G11C11/4085
摘要： PURPOSE: A semiconductor device operated at a low supply voltage is provided to perform stably an operation at the low voltage without increasing the chip area by sharing an adjacent memory cell. CONSTITUTION: In the circuit, inverters(I5-I8), resistor(R2), capacitor(C2), NAND gate(NA2), and NOR gate(NO1) constitute a circuit to prevent overlapping of(PA,PA;I2,I3,R1,C1) constitute a circuit to determine a fall delay time of PA and PB; I9-I13 and NA3 constitute a circuit to generate a fall delay of PA and PB; and I14-I25, a buffer inverter. The number of buffer inverter stages is optional as long as it is odd or it is even when required. The number of inverter stages is only required to be adjusted in accordance with the magnitude of the load. The present circuit is characterized by selection of the time constant of RC which is sufficiently large compared to the delay time of the inverter in order to suppress fluctuations of the oscillating frequency due to fluctuations of the supply voltage. Therefore, the oscillating frequency is stabilized even if the ratio of VT of the transistors to the supply voltage is 1/3 or more and the delay time of the inverter greatly depends on the supply voltage.
摘要翻译：目的：提供以低电源工作的半导体器件，以便在低电压下稳定地进行操作，而不通过共享相邻的存储单元来增加芯片面积。构成：在电路中，逆变器（I5-I8），电阻器（R2），电容器（C2），与非门（NA2）和和非门（NO1）构成一个电路，以防止（PA，PA; I2，，R1，C1）构成确定PA和PB的下降延迟时间的电路; I9-I13和NA3构成产生PA和PB的下降延迟的电路; 和I14-I25，缓冲逆变器。缓冲逆变器级的数量是可选的，只要它是奇数或甚至在需要时。逆变器级数仅需要根据负载的大小进行调整。本电路的特征在于选择与逆变器的延迟时间相比足够大的RC的时间常数，以便抑制由于电源电压的波动引起的振荡频率的波动。因此，即使晶体管的VT与电源电压的比例为1/3以上，反相器的延迟时间大大取决于电源电压，振荡频率也稳定。

5. 发明授权

KR100245920B1 저전원전압으로 동작하는 반도체장치 失效
标题翻译：低电压工作的半导体器件
公开(公告)号：KR100245920B1
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019990002538
申请日：1999-01-27
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 , 히다치초엘에스아이 엔지니어링가부시키가이샤
发明人： 이토기요오 , 다나카히토시 , 와타나베야스시 , 구메에이지 , 우치기리다츠미 , 이소다마사노리 , 야마사키에이지 , 나카고메요시노부
IPC分类号： G11C11/409
CPC分类号： G11C5/145 , G11C8/08 , G11C11/4074 , G11C11/4085
摘要： 반도체장치에 관한 것으로서, 저전압에서도 고속으로 동작하는 초고집적도의 메모리의 입출력제어회로 방식을 제공하기 위해, 동작전압을 받고 출력노드에서 동작전압보다 전압진폭이 큰 제1 전압을 발생하는 전압변환회로를 갖는 반도체장치로서, 전압변환회로는 제1 노드 및 제2 노드를 갖는 제1 캐패시터, 제2 노드와 동작전압 사이에 결합된 소스-드레인 경로를 갖는 제1 MISFET, 제3 노드 및 제4 노드를 갖는 제2 캐패시터 및 제4 노드와 소정의 동작전압 사이에 결합된 소스-드레인경로를 갖는 제2 MISFET를 갖고, 제1 MISFET의 게이트는 제4 노드에 접속됨과 동시에 제2 MISFET의 게이트는 제2 노드에 접속되는 구성으로 하였다.
이와 같이 하는 것에 의해, 워드선용 구동 트랜지스터가 로우 게이트전압레벨에서 동작하므로 전원전압이 감소하더라도 워드 드라이버로서 안정하게 동작한다는 등의 효과가 얻어진다.

6. 发明授权

KR100156542B1 반도체장치 失效
公开(公告)号：KR100156542B1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR1019890008373
申请日：1989-06-17
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 , 히다치초엘에스아이 엔지니어링가부시키가이샤
发明人： 에또쥰 , 아또기요오 , 가와지리요시끼 , 나까고메요시노부 , 구메에이지 , 다나까히또시
IPC分类号： G11C11/21
摘要： 광범위한 전원전압과 전원의 종류에 대응할 수 있는 전압변환회로가 미세한 소자로 구성된 고집적의 반도체장치에 관한 것으로서, 넓은 범위의 전원전압의 변동에 대해서도 일정한 동작속도로 동작하는 대규모 집적회로를 제공하기 위해, 제1 전압에서 동작하는 제1 회로블럭과 제1 전압보다 큰 제2 전압에서 동작하는 제2 회로블럭을 갖고, 제2 회로블럭은 여러개의 논리회로를 포함하고, 여러개의 논리회로의 각각은 2 전압 사이에 소오스-드레인경로가 직렬로 접속된 제1 도전형의 제1 MISFET, 제1 도전형의 제2 MISFET, 제2 도전형의 제3 MISFET 및 제2 도전형의 제4 MISFET를 포함하고, 제2 MISFET의 게이트에는 제2 전압의 하이레벨보다 작은 레벨을 갖는 제1 바이어스전압이 공급됨과 동시에 제3 MISFET의 게이트에는 제2 전압의 로우레벨보다 큰 레벨을 갖는 제2 바� �어스전압이 공급되는 구성으로 한다.
이러한 구성으로 하는 것에 의해, 보다 낮은 전원전압에서도 속도성능을 현저하게 저해하지 않고 동작하는 메모리회로를 제공할 수 있어 배터리백업을 메모리나 전지동작용 메모리로서 사용할 수 있고, 또 센스앰프에 한정되지 않고, 회로의 용도에 따라서 적당하게 사용하는 것에 의해 고속이고 저소비전력의 LSI를 제공할 수 있다는 효과가 얻어진다.

7. 发明授权

KR100262437B1 저전원전압으로 동작하는 반도체장치 失效
标题翻译：低电压工作的半导体器件
公开(公告)号：KR100262437B1
公开(公告)日：2000-07-15
申请号：KR1019990038911
申请日：1999-09-13
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 , 히다치초엘에스아이 엔지니어링가부시키가이샤
发明人： 이토기요오 , 다나카히토시 , 와타나베야스시 , 구메에이지 , 우치기리다츠미 , 이소다마사노리 , 야마사키에이지 , 나카고메요시노부
IPC分类号： G11C11/409
CPC分类号： G11C7/1048 , G11C5/025 , G11C8/10 , G11C11/4087 , G11C11/4096
摘要： PURPOSE: A semiconductor device operated at a low supply voltage is provided to operate stably a driving transistor for word line as a word driver though a supply voltage is reduced. CONSTITUTION: In the circuit, the transfer impedance between a common I/O line and a data line is changed depending on whether information is to be read or written. A current/voltage converter includes a MISFET different in conduction type to a select MISFET. Thus, the speed of reading information is increased. An intermediate voltage generator having high driving capability is provided. Thus, the circuit has sufficient driving capability for an LSI having large load capacitance. A voltage converter converts a data line supply voltage or word line supply voltage to a higher voltage. Therefore, stabilized signal transmission is ensured.
摘要翻译：目的：提供以低电源工作的半导体器件，以便稳定地操作字线驱动晶体管作为字驱动器，尽管电源电压降低。构成：在电路中，根据是要读取还是写入信息，公共I / O线和数据线之间的传输阻抗发生变化。电流/电压转换器包括与选择的MISFET不同的导通类型的MISFET。因此，读取信息的速度增加。提供具有高驱动能力的中间电压发生器。因此，对具有大负载电容的LSI具有足够的驱动能力。电压转换器将数据线电源电压或字线电源电压转换为更高的电压。因此，确保了稳定的信号传输。

8. 发明授权

KR100245919B1 저전원전압으로 동작하는 반도체장치 失效
标题翻译：半导体器件在低电源电压下工作
公开(公告)号：KR100245919B1
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019990002537
申请日：1999-01-27
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 , 히다치초엘에스아이 엔지니어링가부시키가이샤
发明人： 이토기요오 , 다나카히토시 , 와타나베야스시 , 구메에이지 , 우치기리다츠미 , 이소다마사노리 , 야마사키에이지 , 나카고메요시노부
IPC分类号： G11C11/409
CPC分类号： G11C5/147 , G11C7/06 , G11C7/1048 , G11C7/1051 , G11C11/4074 , G11C11/4091 , G11C11/4096
摘要： 반도체장치에 관한 것으로서, 저전압에서도 고속으로 동작하는 초고집적도의 메모리의 입출력제어회로 방식을 제공하기 위해, 전압신호를 전압/전류변환수단에 의해 검출해서 전류변환하여 신호전송하고 전송된 전류신호를 전류/전압변환수단에 의해 전압신호로서 증폭하는 회로를 갖는 구성으로 하였다.
이와 같이 하는 것에 의해, 워드선용 구동 트랜지스터가 로우 게이트전압레벨에서 동작하므로 전원전압이 감소하더라도 워드 드라이버로서 안정하게 동작한다는 등의 효과가 얻어진다.

9. 发明授权

KR100201980B1 반도체집적회로 失效
标题翻译： IC电路
公开(公告)号：KR100201980B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019910007296
申请日：1991-05-06
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 , 히다치초엘에스아이 엔지니어링가부시키가이샤
发明人： 나까고메요시노부 , 구메에이지 , 이또기요오 , 다나까히또시
IPC分类号： H01L27/108
CPC分类号： G11C7/065 , G11C5/14 , G11C7/10 , G11C7/1006
摘要： 센스 앰프회로 및 메모리셀등으로 구성된 메모리블럭, 디코더, 신호선등으로 구성된 반도체집적회로로써, 입출력선수의 증가가 레이아웃 면적의 증가를 초래하고, 초 LSI에서의 배선저항 및 부하용량의 현저한 증가에 의한 충방전 시간의 증가에 대처하기 어려운 것을 해소하기 위해서, 선택신호에 의해 동시에 활성화되는 센스 앰프군을 다수의 블록으로 나누고, 센스 앰프 구동용의 전원선을 선택신호선과 교차하도록 센스 앰프의 각 블록에 대해 형성하거나, 또는 단일 입출력선을 다수의 서브입출력선으로 나누고, 다수의 입출력선을 각입출력선이 그의 서브입출력선과 직교하도록 배치한다.
이러한 반도체집적회로를 이용하는 것에 의해, 고속으로 동작할 수 있는 메모리를 얻을 수 있고, 동시에 전송되는 데이터비트의 수를 현저하게 증가시킬 수 있다.

10. 发明公开

KR1019910020907A 반도체집적회로 失效
公开(公告)号：KR1019910020907A
公开(公告)日：1991-12-20
申请号：KR1019910007296
申请日：1991-05-06
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 , 히다치초엘에스아이 엔지니어링가부시키가이샤
发明人： 나까고메요시노부 , 구메에이지 , 이또기요오 , 다나까히또시
IPC分类号： H01L27/108

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