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1. 发明授权

KR100134776B1 반도체 기억장치 失效
公开(公告)号：KR100134776B1
公开(公告)日：1998-04-20
申请号：KR1019890004803
申请日：1989-04-12
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 , 히다치초엘에스아이 엔지니어링가부시키가이샤
发明人： 스즈끼유끼히데 , 무라나까마사야 , 이시하라마사미찌
IPC分类号： G11C11/40
CPC分类号： H01L27/10808
摘要： 내용 없음.

2. 发明公开

KR1019890016573A 반도체 기억장치 失效
公开(公告)号：KR1019890016573A
公开(公告)日：1989-11-29
申请号：KR1019890004803
申请日：1989-04-12
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 , 히다치초엘에스아이 엔지니어링가부시키가이샤
发明人： 스즈끼유끼히데 , 무라나까마사야 , 이시하라마사미찌
IPC分类号： G11C11/40
摘要： 내용 없음

3. 发明公开

KR1019960038983A 반도체기억장치와 메모리시스템 无效
标题翻译：半导体存储器件和存储器系统
公开(公告)号：KR1019960038983A
公开(公告)日：1996-11-21
申请号：KR1019960012831
申请日：1996-04-25
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 , 히다치초엘에스아이 엔지니어링가부시키가이샤
发明人： 무라나까마사야 , 미야따께신이찌 , 스즈끼유끼히데 , 겐미자끼가네히데 , 모리노마꼬또 , 기따메데쯔야
IPC分类号： G11C11/406
摘要： 반도체기억장치와 메모리시스템에 관한 것으로, 간단한 구성에 의해 고신뢰성의 데이타유지기능을 갖도록 한 반도체기억장치, 메모리시스템 및 데이타유지모드에서의 대폭적인 저소비전력화를 실현하기 위해, 특정의 라이트동작모드의 지정에 의해 다른 메모리어레이의 2개의 다이나믹형메모리셀을 동시선택하고 라이트신호의 논리1을 캐패시터에 전하가 있는 상태에 대응시키고 라이트신호의 논리0을 캐패시터에 전하가 없는 상태에 대응시키는 데이타변환을 실행해서 동일한 라이트신호를 라이트하고, 특정의 리드동작모드의 지정에 의해 다른 메모리어레이의 2개의 다이나믹형메모리셀을 동시선택하고 라이트동작일 때에 대응해서 다이나믹형메로리셀의 캐패시터에 전하가 있는 상태를 리드신호의 논리1에 대응시키고 캐패시터에 전하가 없는 상태를 리드신호의 논리0에 대응시키는 데이타변환을 실행하고, 2개의 리드신호의 논리1을 우선시켜 출력시키는 구성으로 하였다.
이러한 구성으로 하는 것에 의해, 데이타유지상태등에 있어서 2개의 메모리셀에 동일한 데이타를 기억시키는 것이므로, 고신뢰성에서의 데이타유지가 가능하게 되고 리프레시주기를 평균적인 메모리셀에 맞춰서 길게 할 수 있으므로 대폭적인 저소비전력화가 가능하게 된다는 효과가 얻어진다.

4. 发明公开

KR1019960002757A 반도체 메모리 시스템 无效
标题翻译：半导体存储系统
公开(公告)号：KR1019960002757A
公开(公告)日：1996-01-26
申请号：KR1019950017064
申请日：1995-06-23
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 , 히다치초엘에스아이 엔지니어링가부시키가이샤
发明人： 와다쇼지 , 겐미자끼가네히데 , 무라나까마사야 , 오가따마사히로 , 아오야기히데또모 , 기따메데쯔야 , 가따야마마사히로 , 구보노쇼지 , 스즈끼유끼히데 , 모리노마꼬또 , 미야따께신이찌 , 슌도세이이찌 , 고야마요시히사 , 오오노노부히꼬
IPC分类号： H01L21/82
摘要： 결함구제용 LSI와 메모리장치에 관한 것으로서, 실장기판에 탑재된 다이나믹형 RAM의 불량의 구제를 가능하게 한 결함구제용 LSI 및 조립후에 발생한 다이나믹형 RAM의 불량을 구제할 수 잇는 메로리장치를 제공하기 위해서, 다이나믹형 RAM과 동일한 어드레스 및 제어용 입력인터페이스부, 여러개로 이루어지는 다이나믹형 RAM에 의해 구성되는 메모리장치의 데이타버스에 대응한 입출력인터페이스부, 다이나믹형 RAM의 실질적인 칩어드레스신호와 X계의 불량어드레스가 전기적으로 라이트가능하며 실질적으로 불휘발화된 기억회로, 입력된 X어드레스신호와 기억회로의 불량어드레스와의 비교일칫니호에 의해 워드선이 선택되고 Y어드레스신호에 의해 컬럼선택이 실행되는 스테이틱형 RAM으로 구성된 용장구제용 RAM부, 이러한 용장용 RAM부의 데이타입출력 스를 불량칩어드레스에 대응한 데이타 입출력단자에 접속시키는 선택부, 그것에 대응한 입출력회로를 활성화시키는 데이타입출력부 및 불량으로 된 다이나믹형 RAM의 출력단자를 리드동작일 때에 하이임피던스 상태로 되게 하는 출력제어신호를 출력시키는 마스크부에 의해 결합구제용 LSI를 구성한다.
이것에 의해서, 메모리장치내의 다이나믹형 RAM에 발생한 워드선단위의 불량을 내부의 용장용 RAM부로 치환되는 것에 의해 구제할 수가 있다.
선택도 : 제1도

5. 发明授权

KR100239239B1 반도체 기억 장치 失效
公开(公告)号：KR100239239B1
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019920009094
申请日：1992-05-28
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 , 히다치초엘에스아이 엔지니어링가부시키가이샤
发明人： 스즈끼유끼히데 , 무라나까마사야 , 마쯔우라히로미 , 나까고메요시노부 , 다나까히또시 , 야마사끼에이지 , 사꾸따도시유끼
IPC分类号： G11C11/40
CPC分类号： G11C7/10
摘要： 반도체 기억 장치로서, 메모리 매트에 대응해서 마련되는 공통 데이타선의 수에 의한 제약을 받는 일 없이 다비트 병렬 테스트 모드에 있어서의 병렬 비트수를 확대할 수 있는 다이나믹형 RAM등의 반도체기억장치를 제공하기 위해, 메모리 어레이를 워드선 및 비트선의 연장 방향으로 각각 분할해서 여러개의 메모리 매트MAT00L∼MAT07L 내지 MAT10R∼MAT17R등을 구성하고, 이들의 메모리 매트에 대응해서 워드선에 평행해서 배치되고, 또한 대응하는 메모리 매트의 지정되는 비트선이 선택적으로 접속되는 제 1의 공통 데이타선 즉 서브 IO선을 마련하고, 또 비트선의 연장 방향으로 배치되는 여러개의 메모리 매트에 공통으로비트선과 평행해서 배치되고 또한 지정되는 서브IO선이 선택적으로 접속되는 제 2의 공통 데이타선 즉 메인IO선군MIOG0∼MIOG7을 마련한다. 또, 메인 앰프 유니트MAU0을 구성하는 여러개의 메인 앰프를 워드선의 연장 방향으로 정렬해서 배치하고, 이들의 메인 앰프에 스태틱형 커런트 미러 앰프로 되어 비교적 큰 동작 전류를 필요로 하는 제 1의 메인 앰프와 다이나믹형 CMOS 래치 앰프로 되어 그 동작 전류가 비교적 작은 제 2의 메인 앰프를 마련하고, 이들의 메인 앰프를 동작 모드에 따라서 적절하게 사용한다. 이것에 의해, 각 메모리 매트에 대응해서 마련되는 서브IO선에 수에 제약을 받는 일 없이 다이나믹형 RAM등의 다비트 병렬 테스트 모드에 있어서의 병렬 비트수를 확대할 수 있다.
이러한 반도체 기억 장치를 사용하는 것에 의해, 병렬 테스트 모드를 구비하는 다이나믹 RAM등의 메모리 어레이를 워드선 및 비트선의 연장 방향에 있어서 각각 여러개의 메모리 매트로 분할함과 동시에 이들의 메모리 매트에 대응해서 워드선에 평행해서 배치되고 또한 대응하는 메모리 매트의 비트선이 선택적으로 접속되는 제 1의 공통 데이타선을 마련하고, 또, 비트선의 연장 방향에 있는 여러개의 메모리 매트에 공통으로 비트선에 평행해서 배치되고 또한 지정되는 제 1의 공통 데이타선이 선택적으로 접속되는 제 2의 공통 데이타선을 마련한다. 또, 스태틱 형 커런트 미러 앰프로 되어 비교적 큰 동작 전류를 필요로 하는 제 1의 메인 앰프와 다이나믹형 CMOS 래치 앰프로 되어 비교적 작은 동작 전류를 필요로 하는 제 2의 메인 앰프를 마련하고, 이들의 메인 앰프를 동작 모드에 따라서 적절하게 사용한다. 이것에 의해, 테스트 모드에 있어서의 병렬 비트수를 제 1의 공통 데이타선의 수에 의한 제약을 받는 일없이 설정할 수 있으므로, 그 칩 면적 및 소비 전력의 증대를 억제하면서, 다이나믹형 RAM등의 다비트 병렬 테스트 모드에 있어서의 병렬 비트수를 확대할 수가 있다. 그 결과, 그 저코스트화 및 저소비 전력화를 도모하면서 다이나믹형 RAM등의 시험 공정수를 삭감할 수가 있다.

6. 发明公开

KR1019930001214A 반도체 기억 장치 失效
公开(公告)号：KR1019930001214A
公开(公告)日：1993-01-16
申请号：KR1019920009094
申请日：1992-05-28
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 , 히다치초엘에스아이 엔지니어링가부시키가이샤
发明人： 스즈끼유끼히데 , 무라나까마사야 , 마쯔우라히로미 , 나까고메요시노부 , 다나까히또시 , 야마사끼에이지 , 사꾸따도시유끼
IPC分类号： G11C11/40
摘要： 내용 없음

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