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热词
    • 1. 发明授权
    • 위상시프트마스크의제조방법과이를이용한반도체집적회로장치의제조방법
    • 一种用于使用制造相移掩模的该方法制造半导体集成电路器件的方法和
    • KR100296695B1
    • 2001-10-24
    • KR1019920008027
    • 1992-05-13
    • 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼
    • 다께꾸마도시쯔구스즈끼도시오이와이히데또시이시하라마사미찌
    • H01L21/31
    • G03F1/26G03F1/29G03F1/84
    • 마스크의패턴데이타작성방법및 제조기술에관한것으로써, 위상시프트마스크의패턴데이타의검사를가능하제하기위해, 위상시프드마스크의패턴데이타를실제패턴데이타층, 보조패턴데이타층및 위상시프트패턴데이타층으로분리해서배치한다(101). 계속해서실제패턴데이타층의실제패턴의데이타만을검사및 수정한다(102). 그후, 검사및 수정에의해서얻어진올바른실제패턴의데이타, 보조패턴의데이타및 위상시프트패턴의데이타와의합성패턴의데이타에서반도체웨이퍼상에전사되는것으로상정되는예상패턴의데이타를작성한다(103). 그리고,그예상패턴의데이타와실제패턴의데이타를비교하고, 보조패턴및 위상시프트패턴의데이타를검사한다(104).
    • 至于掩模的方法写入的图案数据,和制造技术,以便清除启用的相移掩模的图案数据的检查,peudeu掩模的图案数据时的相位实际图案数据层,所述辅助图案数据层,和一个相移模式数据 它被设置成从所述层101隔离。 继续检查和修改数据层(102)的实际模式的实际模式的唯一的数据。 在然后,通过修改获得的正确的实际图案的测试和数据,与该数据的数据的复合图案,并且所述辅助图案的相移模式的数据到在预期图案创建数据被假定为被转移到半导体晶片103。 和来自所述投影的图案的原始图案的数据的数据进行比较,并检查辅助图案和相移图案(104)的数据。
    • 8. 发明公开
    • 고형유기폐기물의처리장치
    • 固体有机废物处理设备
    • KR1019960007031A
    • 1996-03-22
    • KR1019950023929
    • 1995-08-03
    • 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼
    • 신도야스히로야마구찌우사부로후시끼다까유끼노무라하지메스즈끼도시오
    • B09B5/00
    • 고형유기폐기물의 처리장치에 관한 것으로써, 악취나 다량의 수증기를 주위로 발산하지 않고, 또한 수분조정재로써의 톱밥이나 왕겨등의 첨가를 필요로 하지 않으며, 또 좁은 도회의 점포나 사업소에서도 스페이스성좋게 컴팩트하게 설치할 수 있는 고속, 고분해율의 고형유기폐기물의 처리장치를 얻기 위해, 고형유기폐기물의 처리조에서 보내지는 기체중의 수증기를 응축해서 액체로 하는 열교환장치를 처리조로 부터의 열의 영향이 적은 처리조의 콤포스트배출측의 옆에 간격을 두고 마련함과 동시에 열교환장치의 처리조측과 반대측에 열교환 장치로 외기를 분사하는 송풍팬을 마련하고, 또 열교환장치로 응축된 물을 중성화하는 중화장치와 처리조에서 보내지는 기체의 일부를 탈취처리하는 탈취장치를 열교환장치의 하측에 배치한 것이다.
      이러한 장치를 이용하는 것에 의해, 악취나 다량의 수증기를 주위로 발산하지 않고, 또한 수분조정재로써의 톱밥이나 왕겨등의 첨가를 필요로 하지 않으며, 또 좁은 도회의 점포나 사업소에서도 스페이스성좋게 컴팩트하게 설치할 수 있다.