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1. 发明授权

KR100693961B1 연마 패드 및 반도체 소자의 제조 방법 有权
标题翻译：抛光垫和制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR100693961B1
公开(公告)日：2007-03-12
申请号：KR1020040007475
申请日：2004-02-05
申请人： 가부시끼가이샤 도시바 , 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 미나미하바,가꾸 , 다떼야마,요시꾸니 , 야노,히로유끼 , 고무라,도무 , 하세가와,고우
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/24 , B24D3/32
摘要： 본 발명은 CMP 패드의 전체 체적을 기준으로 0.1 체적％ 이상 5 체적％ 이하의 영역을 차지하며 평균 직경이 0.05 ㎛ 이상 290 ㎛ 이하인 세공 및(또는) 오목부 형성재 및 유기 재료를 포함하는, 연마제 무함유 CMP 패드에 관한 것이다.
CMP 패드, 반도체 소자, 세공, 오목부 형성재, 절연막

2. 发明公开

KR1020020002285A 구리 연마에 사용되는 화학 기계 연마용 수계 분산체 有权
标题翻译：用于抛光铜的化学机械抛光水分散
公开(公告)号：KR1020020002285A
公开(公告)日：2002-01-09
申请号：KR1020010037921
申请日：2001-06-29
申请人： 가부시끼가이샤 도시바 , 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 야노,히로유끼 , 미나미하바,가꾸 , 모또나리,마사유끼 , 핫또리,마사유끼 , 가와하시,노부오
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1463 , C23F3/04 , H01L21/3212
摘要： PURPOSE: To obtain an aqueous dispersion for chemical machine polishing useful for polishing copper, having a high polishing rate, capable of decreasing an erosion rate in overpolishing. CONSTITUTION: This aqueous dispersion for a chemical machine polishing comprises a heterocycle-containing compound, a surfactant and an oxidizing agent and has the mass ratio of the heterocycle-containing compound to the surfactant of 1:10-1:0.03. The aqueous dispersion further can contain a abrasive grain. Quinaldic acid, benzotriazole, etc., preferably as the heterocycle-containing compound. A sulfonate such as potassium dodecylbenzenesulfonate, ammonium dodecylbenzenesulfonate, etc., are preferably as the surfactant and ammonium persulfate, hydrogen peroxide, etc., are preferable as the oxidizing agent. An inorganic particle such as colloidal silica, etc., an organic particle such as a polymer particle, etc., or an organic inorganic composite particle obtained by combining both the particles is used as the abrasive grain.
摘要翻译：目的：获得能够降低抛光速度的抛光速度高的用于抛光铜的化学机械抛光用水性分散体。构成：用于化学机械抛光的水性分散体包含含杂环化合物，表面活性剂和氧化剂，并且含杂环化合物与表面活性剂的质量比为1:10-1:0.03。水性分散体还可以含有磨粒。季戊酸，苯并三唑等，优选作为含杂环化合物。优选十二烷基苯磺酸钾，十二烷基苯磺酸铵等磺酸盐作为表面活性剂，优选过硫酸铵，过氧化氢等作为氧化剂。作为磨粒，使用胶体二氧化硅等无机粒子，聚合物粒子等有机粒子或将这两种粒子组合而成的有机无机复合粒子。

3. 发明公开

KR1020000062931A 수계 분산체 및 반도체 장치의 제조에 사용하는 화학 기계연마용 수계 분산체 및 반도체 장치의 제조 방법 및 매립배선의 형성 방법 有权
标题翻译：用于生产水分散体和半导体器件的化学机械抛光用水分散体，用于制造半导体器件的方法以及用于形成嵌入布线的方法
公开(公告)号：KR1020000062931A
公开(公告)日：2000-10-25
申请号：KR1020000013562
申请日：2000-03-17
申请人： 가부시끼가이샤 도시바 , 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 야노,히로유끼 , 미나미하바,가꾸 , 마쯔이,유끼떼루 , 오꾸무라,가쯔야 , 이이오,아끼라 , 핫또리,마사유끼
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： C09K3/1463 , C09G1/02 , C09K3/1436 , H01L21/02074 , H01L21/3212 , H01L21/7684
摘要： 본발명의목적은전자재료, 자성재료, 광학재료, 연마재료등의광범위한용도에이용되는특성을얻을수 있는수계분산체및 충분한연마속도를얻을수 있고, 또한피연마면에흠이생기지않는화학기계연마용수계분산체(CMP용슬러리)를제공하는데 있다. 본발명의다른목적은연마시에스크래치등에의한부식진행을억제하여피가공막의효율적인평탄화를가능하게하는 CMP용슬러리를사용한반도체장치의제조방법및 매립배선의형성방법을제공하는데 있다. 본발명의수계분산체또는 CMP용슬러리는열가소성수지등으로이루어지는중합체입자와알루미나, 실리카등으로이루어지고, 이중합체입자와는제타전위가반대부호인무기입자를함유하고, 중합체입자와무기입자는정전기력에의해결합된응집체가되어복합입자를형성하고있다. 또한, 이응집체에초음파를조사하거나, 균질화기에의해전단응력을가하여보다균일하게분산된복합입자를얻을수 있다.

4. 发明授权

KR100747954B1 구리 연마에 사용되는 화학 기계 연마용 수계 분산체 有权
标题翻译：用于抛光铜的化学机械抛光用水性分散体
公开(公告)号：KR100747954B1
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：KR1020010037921
申请日：2001-06-29
申请人： 가부시끼가이샤 도시바 , 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 야노,히로유끼 , 미나미하바,가꾸 , 모또나리,마사유끼 , 핫또리,마사유끼 , 가와하시,노부오
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1463 , C23F3/04 , H01L21/3212
摘要： 본 발명은 연마 속도가 빠르고, 오버폴리시 시의 침식 속도를 작게 할 수 있는 구리의 연마에 사용되는 화학 기계 연마용 수계 분산체를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 화학 기계 연마용 수계 분산체는 복소환을 갖는 화합물, 계면 활성제 및 산화제를 포함하며, 복소환을 갖는 화합물과 계면 활성제와의 질량비가 1 : 10 내지 1 : 0.03이다. 이 수계 분산체에는 추가로 연마제를 함유시킬 수 있다. 복소환을 갖는 화합물로서는 퀴날딘산, 벤조트리아졸 등이 바람직하다. 또한 계면 활성제로서는 도데실벤젠술폰산 칼륨, 도데실벤젠술폰산 암모늄 등의 술폰산염 등이, 산화제로서는 과황산 암모늄, 과산화 수소 등이 바람직하다. 또, 연마제으로서는 콜로이드성 실리카 입자 등의 무기 입자, 중합체 입자 등의 유기 입자, 이들이 복합된 유기 무기 복합 입자를 사용할 수 있다.
반도체, 연마, 화학 기계 연마, 화학 기계 연마용 수계 분산체, 구리 연마

5. 发明公开

KR1020070023602A 화학 기계 연마용 수계 분산체, 상기 수계 분산체를제조하기 위한 키트, 화학 기계 연마 방법, 및 반도체장치의 제조 방법 无效
标题翻译：用于化学机械抛光的水性分散剂，用于制备水性分散剂的化学机械抛光方法和用于生产半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020070023602A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：KR1020060080577
申请日：2006-08-24
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤 , 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 시다,히로따까 , 다께무라,아끼히로 , 하또리,마사유끼 , 미나미하바,가꾸 , 후꾸시마,다이 , 구라시마,노부유끼 , 야마모또,수수무 , 다떼야마,요시꾸니 , 야노,히로유끼
IPC分类号： C09K3/14
摘要： 본 발명에 따른 화학 기계 연마용 수계 분산체는 물, 중량 평균 분자량이 20만을 초과하는 폴리비닐피롤리돈, 산화제, 수불용성 금속 화합물을 형성하는 제1 금속 화합물 형성제와 수용성 금속 화합물을 형성하는 제2 금속 화합물 형성제를 포함하는 보호막 형성제 및 지립을 함유하는 것을 특징으로 한다. 이 화학 기계 연마용 수계 분산체를 이용함으로써, 금속막이나 절연막에 결함을 야기하지 않고, 저마찰로 균일하게 금속막을 안정적으로 연마할 수 있다.
화학 기계 연마용 수계 분산체, 키트, 보호막 형성제, 지립, 반도체 기판, 절연막, 배리어 금속

6. 发明授权

KR100472882B1 수계 분산체, 이를 이용한 화학 기계 연마용 수계 분산체조성물, 웨이퍼 표면의 연마 방법 및 반도체 장치의 제조방법 有权
标题翻译：水分散体，化学机械抛光水分散体组合物，晶片表面抛光工艺和半导体装置的制造方法
公开(公告)号：KR100472882B1
公开(公告)日：2005-03-07
申请号：KR1020000001944
申请日：2000-01-17
申请人： 가부시끼가이샤 도시바 , 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 야노,히로유끼 , 미나미하바,가꾸 , 마쯔이,유끼떼루 , 하야사까,노부오 , 오꾸무라,가쯔야 , 이오,아끼라 , 하또리,마사유끼 , 모또나리,마사유끼
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/31053 , Y10S977/775 , Y10S977/888
摘要： 본 발명의 목적은 충분한 연마 속도를 얻을 수 있고, 또한 피연마면에 흠집이 생기지 않는 수계 분산체, CMP 슬러리, 및 이것을 이용한 웨이퍼의 연마 방법 및 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 CMP 슬러리 등은 가교 구조를 갖고, 평균 입경이 0.13 내지 0.8 μm인 중합체 입자를 함유한다. 또한, 이것은 계면 활성제를 함유하지 않을 수도 있고, 그것을 0.15 중량% 이하 함유할 수도 있다. 다른 본 발명의 CMP 슬러리는 중합체 입자와 실리카, 알루미나 등으로 이루어지는 무기 입자를 함유한다. 이 중합체 입자의 평균 입경은 무기 입자의 평균 입경 이하인 것으로 할 수 있다. 또한, 이 무기 응집 입자의 평균 입경은 O.1 내지 1.O μm이고, 또한 중합체 입자의 평균 입경보다 작은 것으로 할 수 있다. 이들 CMP 슬러리를 연마제로서 사용하여 웨이퍼 상에 설치되는 실리콘 산화막, 알루미늄막, 텅스텐막, 구리막 등의 피가공막을 연마한다. 또한, 이 CMP 슬러리를 사용하여 반도체 장치를 제조한다.

7. 发明公开

KR1020080108597A 화학 기계 연마용 수계 분산체, 화학 기계 연마 방법, 화학기계 연마용 키트, 및 화학 기계 연마용 수계 분산체를 제조하기 위한 키트 有权
标题翻译：化学机械抛光，化学机械抛光方法，化学机械抛光工具和化学机械抛光水性分散工具的水性分散体
公开(公告)号：KR1020080108597A
公开(公告)日：2008-12-15
申请号：KR1020087026826
申请日：2007-03-27
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤 , 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 우찌꾸라,가즈히또 , 시다,히로따까 , 하시구찌,유우이찌 , 미나미하바,가꾸 , 후꾸시마,다이 , 다떼야마,요시꾸니 , 야노,히로유끼
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304 , B24B37/00
CPC分类号： H01L21/7684 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/31053 , H01L21/3212
摘要： Disclosed is an aqueous dispersion for chemical mechanical polishing, which comprises a component (A) composed of abrasive grains, a component (B) composed of at least one of a quinolinecarboxylic acid and a pyridinecarboxylic acid, a component (C) composed of an organic acid other than quinolinecarboxylic acids and pyridinecarboxylic acids, a component (D) composed of an oxidizing agent, and a component (E) composed of a nonionic surface active agent having a triple bond. The mass ratio between the blending amount (WB) of the component (B) and the blending amount (WC) of the component (C), namely WB/WC, is not less than 0.01 but less than 2, and the component (E) is represented by the following general formula (1). [chemical formula 1] (1) (In the formula, m and n independently represent an integer of not less than 1, while satisfying m + n
摘要翻译：公开了一种用于化学机械抛光的水分散体，其包含由磨粒组成的组分（A），由至少一种喹啉羧酸和吡啶羧酸组成的组分（B），由有机物组成的组分（C）除了喹啉羧酸和吡啶羧酸以外的酸，由氧化剂组成的组分（D）和由具有三键的非离子表面活性剂组成的组分（E）。组分（B）的混合量（WB）与组分（C）的混合量（WC）（即WB / WC）之间的质量比不小于0.01但小于2，组分（E ）由以下通式（1）表示。 [化学式1]（1）（式中，m和n分别独立地表示1以上的整数，满足m + n <= 50）·KIPO＆WIPO 2009

8. 发明授权

KR100447552B1 수계 분산체 및 반도체 장치의 제조에 사용하는 화학 기계연마용 수계 분산체 및 반도체 장치의 제조 방법 및 매립배선의 형성 방법 有权
标题翻译：用户可以在任何情况下使用本软件，并且可以在任何情况下使用本软件来实现本软件的所有功能。
公开(公告)号：KR100447552B1
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：KR1020000013562
申请日：2000-03-17
申请人： 가부시끼가이샤 도시바 , 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 야노,히로유끼 , 미나미하바,가꾸 , 마쯔이,유끼떼루 , 오꾸무라,가쯔야 , 이이오,아끼라 , 핫또리,마사유끼
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： C09K3/1463 , C09G1/02 , C09K3/1436 , H01L21/02074 , H01L21/3212 , H01L21/7684
摘要： 본 발명의 목적은 전자 재료, 자성 재료, 광학 재료, 연마 재료 등의 광범위한 용도에 이용되는 특성을 얻을 수 있는 수계 분산체 및 충분한 연마 속도를 얻을 수 있고, 또한 피연마면에 흠이 생기지 않는 화학 기계 연마용 수계 분산체(CMP용 슬러리)를 제공하는 데 있다. 본 발명의 다른 목적은 연마시에 스크래치 등에 의한 부식 진행을 억제하여 피가공막의 효율적인 평탄화를 가능하게 하는 CMP용 슬러리를 사용한 반도체 장치의 제조 방법 및 매립 배선의 형성 방법을 제공하는 데 있다. 본 발명의 수계 분산체 또는 CMP용 슬러리는 열가소성 수지 등으로 이루어지는 중합체 입자와 알루미나, 실리카 등으로 이루어지고, 이 중합체 입자와는 제타 전위가 반대 부호인 무기 입자를 함유하고, 중합체 입자와 무기 입자는 정전기력에 의해 결합된 응집체가 되어 복합 입자를 형성하고 있다. 또한, 이 응집체에 초음파를 조사하거나, 균질화기에 의해 전단 응력을 가하여 보다 균일하게 분산된 복합 입자를 얻을 수 있다.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种水性分散体，其可以提供包括电子材料，磁性材料，光学材料和抛光材料在内的广泛用途的所需性能，并且提供用于化学机械抛光的水分散体（CMP浆液），可以提供足够的抛光速率而不会在抛光表面产生划痕。本发明的另一个目的是提供一种使用CMP浆料制造半导体器件的方法，该方法可以控制在抛光期间由于划痕等造成的渐进腐蚀并且可以实现工作膜的有效平坦化，并且提供一种用于形成嵌入式布线。本发明的水性分散体或CMP浆料包含由热塑性树脂等制成的聚合物颗粒和由氧化铝，二氧化硅等制成的无机颗粒，其中聚合物颗粒和无机颗粒的ζ电位具有相反的符号，并且它们通过静电力结合形成作为复合颗粒的聚集体。用均化器对聚集体进行超声波照射或剪切应力，以得到更均匀分散的复合颗粒。＆lt;图像＆GT;

9. 发明公开

KR1020040071640A 연마 패드 및 반도체 소자의 제조 방법 有权
标题翻译：抛光垫和将半导体器件制成抛光表面的方法，以高抛光速率抛光并减少切割和腐蚀
公开(公告)号：KR1020040071640A
公开(公告)日：2004-08-12
申请号：KR1020040007475
申请日：2004-02-05
申请人： 가부시끼가이샤 도시바 , 제이에스알 가부시끼가이샤
发明人： 미나미하바,가꾸 , 다떼야마,요시꾸니 , 야노,히로유끼 , 고무라,도무 , 하세가와,고우
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/24 , B24D3/32
摘要： PURPOSE: A method for fabricating a semiconductor device is provided to polish a surface to be polished at a high polishing rate while reducing scratch and corrosion, and to fabricate a high-performance and high speed semiconductor device having an interconnection with a design rule of 0.1 micrometer or lower. CONSTITUTION: A layer to be processed is formed on a semiconductor substrate. While slurry is supplied to the layer, a polishing process is performed on the layer to be processed by using a polishing pad. The polishing pad includes a matrix(10), a pore(11) and/or a concave part forming material. The matrix has a main surface with roughness not higher than 5 micrometers, confronting the layer. The pores are distributed to the matrix, occupying an area from 0.1 volume percent to 5 volume percent with respect to the whole volume of the pad and having an average diameter from 0.05 micrometer to 290 micrometers.
摘要翻译：目的：提供一种制造半导体器件的方法，以高抛光速率抛光待抛光表面，同时减少划伤和腐蚀，并制造具有设计规则为0.1的互连的高性能和高速半导体器件千分尺或更低。构成：在半导体衬底上形成被处理层。当浆料被供应到层时，通过使用抛光垫对待处理的层进行抛光处理。抛光垫包括基体（10），孔（11）和/或凹部形成材料。该基体具有粗糙度不大于5微米的主表面，面对该层。孔分布在基体上，相对于整个垫的体积占据0.1体积％至5体积％的面积，平均直径为0.05微米至290微米。

10. 发明授权

KR101330960B1 화학 기계 연마용 수계 분산체, 화학 기계 연마 방법, 화학기계 연마용 키트, 및 화학 기계 연마용 수계 분산체를 제조하기 위한 키트 有权
标题翻译：化学机械抛光，化学机械抛光方法，化学机械抛光工具和化学机械抛光水性分散工具的水性分散体
公开(公告)号：KR101330960B1
公开(公告)日：2013-11-18
申请号：KR1020087026826
申请日：2007-03-27
申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤 , 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 우찌꾸라,가즈히또 , 시다,히로따까 , 하시구찌,유우이찌 , 미나미하바,가꾸 , 후꾸시마,다이 , 다떼야마,요시꾸니 , 야노,히로유끼
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304 , B24B37/00
CPC分类号： H01L21/7684 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/31053 , H01L21/3212
摘要： 화학 기계 연마용 수계 분산체는 지립인 성분 (A)와, 퀴놀린카르복실산 및 피리딘카르복실산 중의 하나 이상인 성분 (B)와, 퀴놀린카르복실산 및 피리딘카르복실산 이외의 유기산인 성분 (C)와, 산화제인 성분 (D)와, 3중 결합을 갖는 비이온성 계면활성제인 성분 (E)를 포함하고, 상기 성분 (B)의 배합량 (WB)와 상기 성분 (C)의 배합량 (WC)의 질량비 (WB/WC)가 0.01 이상 2 미만이고, 상기 성분 (E)가 하기 화학식 1로 표시된다.

(식 중, m 및 n은 각각 독립적으로 1 이상의 정수이고, m+n≤50을 만족시킴)
화학 기계 연마용 수계 분산체, 지립, 퀴놀린카르복실산, 피리딘카르복실산, 유기산, 산화제, 비이온성 계면활성제, 배리어 금속막, 화학 기계 연마용 키트

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