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1. 发明公开

KR1019940012543A 반도체장치의 제조방법 失效
公开(公告)号：KR1019940012543A
公开(公告)日：1994-06-23
申请号：KR1019930025394
申请日：1993-11-26
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 미사와히로토 , 츠지히토시
IPC分类号： H01L21/336

2. 发明公开

KR1020160111302A 반도체 장치 无效
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020160111302A
公开(公告)日：2016-09-26
申请号：KR1020150108040
申请日：2015-07-30
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 오쿠무라히데키 , 츠치타니마사노부 , 미사와히로토 , 에자키아키라 , 시라이시다츠야
IPC分类号： H01L29/10 , H01L29/739 , H01L29/51
CPC分类号： H01L29/0649 , H01L29/0661 , H01L29/1045 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/42376 , H01L29/66136 , H01L29/7397 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/8613
摘要： 본발명의실시형태에따른반도체장치는, 제1 도전형의제1 반도체영역과, 제2 도전형의제2 반도체영역과, 제1 절연층과, 제1 절연영역을갖는다. 제2 반도체영역은, 제1 반도체영역의위에형성되어있다. 제1 절연층은, 제2 반도체영역에접하고있다. 제1 절연층은, 제1 반도체영역의적어도일부및 제2 반도체영역의적어도일부를둘러싸고있다. 제1 절연영역은, 제1 절연층의적어도일부를둘러싸고있다.
摘要翻译：提供一种能够抑制内压降低的半导体装置。根据本发明的实施例，半导体器件包括：第一导电第一半导体区域; 第二导电第二半导体区域; 第一绝缘层; 和第一绝缘区域。第二半导体区域形成在第一半导体区域上。第一绝缘层与第二半导体区域接触。第一绝缘层包围第一半导体区域的至少一部分和第二半导体层的至少一部分。第一绝缘区域围绕第一绝缘层的至少一部分。

3. 发明授权

KR100153788B1 반도체장치의 제조방법 失效
公开(公告)号：KR100153788B1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR1019930025394
申请日：1993-11-26
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 미사와히로토 , 츠지히토시
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66462 , H01L21/0273 , H01L21/28587 , Y10S438/949 , Y10S438/951
摘要： 본 발명은, HEMT의 게이트전극의 형성 시에 단면이 역테이퍼형상을 한 미세한 레지스트패턴을 1회의 전자빔노광에 의해 형성한다. 이를 위해 본 발명은, GaAs기판상에 노보락계의 포지티브형 전자빔 레지스트를 도포하고, 결과적 구조를 베이킹하는 단계와, 알카리 수용액에 GaAs기판을 담그고, 결과적 구조를 수세 및 건조시킴으로써 전자빔 레지스트의 표면상에 제1층을 형성하는 단계, 제1층을 통해 자외선에 의해 전자빔 레지스트의 표면을 노출시키는 단계, 자외선에 의해 전자빔 레지스트의 표면을 노출하는 단계에 이어 전자빔에 따라 직접 전자빔 레지스트의 표면을 노출시키는 단계, 수세와 건조의 단계가 적어도 한번 수행된 다음 알카리 수용액에 의해 전자빔 레지스트를 현상함으로써 전자빔 레지스트의 표면의 일부분에 역테이퍼형상을 갖춘 개구부를 형성하는 단계, 개구부를 통해 결과적 구조에 대해 리세스에칭을 실시하는 단계, 전극을 형성하기 위한 금속배선층을 결� �적 구조의 전체 표면상에 퇴적하는 단계, HEMT의 T형 게이트전극으로서 기능하는 금속배선층의 부분을 남기고, 전자빔 레지스트와 불필요한 금속배선층을 제거하는 단계 및, 반도체의 결과적 구조상의 소정 위치에 소오스전극과 드레인전극을 형성하는 단계를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 한다.

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