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热词
    • 1. 发明公开
    • 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법
    • 激光加工设备和激光加工方法
    • KR1020120005375A
    • 2012-01-16
    • KR1020110058530
    • 2011-06-16
    • 가부시기가이샤 디스코
    • 노마루게이지호시노히토시우에노히로우미
    • B23K26/042B23K26/0622B23K26/064B28D5/00
    • B23K26/042B23K26/0622B23K26/064B28D5/00
    • PURPOSE: Laser processing apparatus and method are provided to curb the decrease in the electrical characteristic as a device since a reformed layer is formed near a light emitting device by a laser beam with a polarizing direction parallel to a processing direction. CONSTITUTION: A laser processing apparatus comprises a sustaining unit and a pulse laser radiating unit. The sustaining unit sustains the surface side of a sapphire wafer formed surface. The pulse laser radiating unit radiates pulse laser(47) with wavelength transmitting the sapphire wafer along the splitting expected line of the sapphire wafer sustained by the sustaining unit. The pulse laser radiating unit comprises an oscillator(41) and a condenser(44). The condenser displaces the pulse laser to the thickness direction of sapphire wafer(W) to condense it on two points. The pulse laser condensed far from the exposed surface of the sapphire wafer is linear polarization parallel to the processing direction in vibration direction.
    • 目的:提供激光加工装置和方法来抑制作为装置的电特性的降低,因为通过具有平行于加工方向的偏振方向的激光束在发光装置附近形成重整层。 构成:激光加工装置包括维持单元和脉冲激光辐射单元。 维持单元维持蓝宝石晶片形成表面的表面侧。 脉冲激光辐射单元辐射脉冲激光器(47),波长沿着蓝宝石晶片的分裂预期线传输蓝宝石晶片,由保持单元维持。 脉冲激光辐射单元包括振荡器(41)和冷凝器(44)。 冷凝器将脉冲激光器置换为蓝宝石晶片(W)的厚度方向,以将其压缩在两点上。 远离蓝宝石晶片的暴露表面的脉冲激光器是与振动方向上的加工方向平行的线偏振光。
    • 3. 发明授权
    • 광 디바이스 웨이퍼의 분할 방법
    • 分光器件晶片的方法
    • KR101752016B1
    • 2017-06-28
    • KR1020120042616
    • 2012-04-24
    • 가부시기가이샤 디스코
    • 우에노히로우미호시노히토시
    • H01L21/301
    • B23K26/38B23K26/0853B23K26/40B23K2203/50H01L33/0095
    • 본발명은, 이면측에반사막이형성된광 디바이스웨이퍼를이면측으로부터레이저빔을조사하여개개의광 디바이스칩으로분할할수 있는광 디바이스웨이퍼의분할방법을제공하는것을과제로한다. 표면에설정된복수의교차하는분할예정라인으로구획된각 영역에각각광 디바이스가형성되고이면에반사막이형성된광 디바이스웨이퍼의분할방법으로서, 광디바이스웨이퍼의내부에레이저빔의집광점을위치시키고, 광디바이스웨이퍼의이면측으로부터레이저빔을상기분할예정라인을따라서조사하여광 디바이스웨이퍼의내부에개질층을형성하는레이저빔조사단계와, 이레이저빔조사단계를실시한후, 광디바이스웨이퍼에외력을부여하여광 디바이스웨이퍼를상기분할예정라인을따라서분할하여복수의광 디바이스칩을형성하는분할단계를포함하고, 상기레이저빔조사단계에서광 디바이스웨이퍼에조사하는레이저빔의파장은, 상기반사막에대한투과율이 80% 이상인것을특징으로한다.
    • 本发明将是零,并提供一种要作为光器件晶片反射膜通过从所述光学器件芯片的侧面将激光束照射在背面侧被分成两个形成的光学器件晶片的解析方法。 多个相应的光学器件的分辨率的方法,每一个由横分割线分割为形成形成背表面光器件晶片在表面上设置的反射膜,其面积,将激光束的聚光点位置的光器件晶片的内部, 从光学装置晶片和所述激光束的背面的激光束后的照射,形成光器件晶片内部形成改质层沿着所述分割线照射以进行激光束照射步骤中,一个外力施加到光学器件晶片 由激光束照射在Aurora器件晶片的光学器件晶片的波长给定包括分割步骤,以及形成多个光学器件芯片的激光束照射步骤沿着分割预定线被分开,在反射膜 并且具有80%以上的透射率。
    • 4. 发明公开
    • 사파이어 웨이퍼의 분할 방법
    • 用于分割鲷鱼波浪的方法
    • KR1020120033962A
    • 2012-04-09
    • KR1020110078234
    • 2011-08-05
    • 가부시기가이샤 디스코
    • 호시노히토시우에노히로우미닛타유지오카무라다카시
    • H01L21/786H01L33/00
    • H01L33/0095H01L21/786
    • PURPOSE: A sapphire wafer partition method is provided to divide a sapphire wafer into each light emitting device by forming a cutting groove on a partition line which is to be divided, thereby improving brightness of the light emitting device. CONSTITUTION: A chuck table transport device(104) is installed on a base(102) for transferring a chuck table(103) in an X-axis direction. A blade unit transport device(107) is installed on a pillar part(105) for transferring a blade unit(106) in a Y-axis direction. The chuck table transport device includes an X-axis table(112) for maintaining the chuck table. The chuck table comprises a work support part(116) for absorbing and supporting a wafer(W) and a θ table(114). The blade unit transport device comprises a Y-axis table(121) and a Z-axis table(122).
    • 目的:提供蓝宝石晶片分割方法,通过在待分割的分割线上形成切割槽,将蓝宝石晶片分割成各发光元件,从而提高发光元件的亮度。 构成:卡盘台输送装置(104)安装在用于在X轴方向上传送卡盘台(103)的基座(102)上。 刀片单元运送装置(107)安装在用于沿Y轴方向传送刀片单元(106)的柱部(105)上。 卡盘台传送装置包括用于保持卡盘台的X轴台(112)。 卡盘台包括用于吸收和支撑晶片(W)的工件支撑部分(116) 表(114)。 叶片单元输送装置包括Y轴台(121)和Z轴台(122)。
    • 5. 发明授权
    • 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법
    • 激光加工设备和激光加工方法
    • KR101735843B1
    • 2017-05-15
    • KR1020110058530
    • 2011-06-16
    • 가부시기가이샤 디스코
    • 노마루게이지호시노히토시우에노히로우미
    • B23K26/042B23K26/0622B23K26/064B28D5/00
    • 광디바이스웨이퍼의분할성의향상과, 발광디바이스의전기특성의저하억제를동시에달성할수 있는레이저가공장치및 레이저가공방법을제공한다. 레이저가공유닛(26)은, 발진기(41)가발진하는레이저빔을, 가공진행방향에대하여편광방향이직교하는분리광(47a)과가공진행방향에대하여편광방향이평행한분리광(47b)으로분리하고, 웨이퍼(W)의두께방향으로변위시켜 2개소의집광점에집광하는집광기(44)를포함한다. 이때, 분리광(47a)은, 발광디바이스가형성되어있는웨이퍼(W)의표면(Wb)으로부터먼 집광점(48a)에집광되고, 분리광(47b)은, 웨이퍼(W)의표면(Wb)에가까운집광점(48b)에집광된다.
    • 提供一种激光加工装置和激光加工方法,其能够同时实现光器件晶片的分割性的提高和抑制发光器件的电特性的劣化。 激光处理单元26被配置为将从振荡器41发射的激光束分成偏振方向与处理前进方向正交的分离光47a和偏振方向与处理前进方向平行的折射光47b 以及用于使晶片W在晶片W的厚度方向上移位并将会聚的光会聚到两个聚光点上的聚光器44。 此时,分离光47a在远离形成有发光元件的晶片W的表面Wb的聚光点48a处聚光,分离后的光47b在表面Wb上聚光 会聚点48b附近的会聚点48b。