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1. 发明公开

KR1020180039493A 비아 홀 형성 방법 및 이를 포함하는 비아 콘택 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR1020180039493A
公开(公告)日：2018-04-18
申请号：KR1020160130852
申请日：2016-10-10
申请人： (주)아인스
发明人： 한세충 , 전찬봉
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/768 , H01L21/306 , H01L21/288 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02063 , H01L21/02554 , H01L21/288 , H01L21/304 , H01L21/30604 , H01L21/30625 , H01L21/76805
摘要： 비아홀에도전성금속이불완전하게채워지는불량을예방하기위한비아홀 형성방법및 이를포함하는비아콘택제조방법이개시된다. 개시된비아홀 형성방법은, 결정면타입(type)이 (1 0 0)인실리콘(Si) 기판의일 측면을실리콘기판의두께방향으로파서실리콘기판에비아홀(via hole)을생성하는비아홀 생성단계, 실리콘기판에비아홀의입구및 그주변부가노출되도록실리콘노출공(孔)이형성된산화층을형성하는 1차산화층형성단계, 및실리콘노출공을통해노출된비아홀 입구의주변부를실리콘식각액으로식각하여비아홀 입구의주변부에둔각(obtuse angle)의경사면을형성하는비아홀 입구식각단계를포함한다.

2. 发明公开

KR1020180039494A 비아 홀 형성 방법 및 이를 포함하는 비아 콘택 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR1020180039494A
公开(公告)日：2018-04-18
申请号：KR1020160130854
申请日：2016-10-10
申请人： (주)아인스
发明人： 한세충 , 전찬봉
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/768 , H01L21/027 , H01L21/3065 , H01L21/288
CPC分类号： H01L21/02063 , H01L21/0254 , H01L21/02554 , H01L21/0273 , H01L21/288 , H01L21/3065 , H01L21/76805
摘要： 비아홀 형성방법및 이를포함하는비아콘택제조방법이개시된다. 개시된비아홀 형성방법은, 실리콘기판의일 측면에 SiO로이루어진제1 산화물층을형성하는제1 산화물층형성단계, 제1 산화물층에 SiN를증착하여질화물층(nitride layer)을형성하는질화물층형성단계, 제1 산화물층및 질화물층에실리콘기판의일 측면이부분적으로노출되도록기판노출공(孔)을형성하는기판노출공형성단계, 실리콘기판에기판노출공과정렬되는비아홀(via hole)을생성하되, 비아홀의입구를기판노출공내부에형성하고입구의내경을기판노출공의내경보다작게형성하는비아홀 생성단계, 비아홀의내주면과비아홀 입구의주변부를산화시켜 SiO로이루어진제2 산화물층을형성하는제2 산화물층형성단계, 및실리콘기판상에적층된, 질화물층, 제1 산화물층, 및제2 산화물층을식각하여제거하는적층물제거단계를포함한다. 제2 산화물층형성단계에서, 비아홀 입구의주변부의내부에제2 산화물층과실리콘으로이루어진층 사이의경계면이곡면으로형성되고, 적층물제거단계에서곡면이노출된다.

3. 发明授权

KR101832130B1 미세 구리 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：形成精细铜图案的方法
公开(公告)号：KR101832130B1
公开(公告)日：2018-02-26
申请号：KR1020160087547
申请日：2016-07-11
申请人： (주)아인스
发明人： 한세충 , 이종윤
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L21/306 , H01L21/265 , H01L21/311
摘要： 기판의표면에구리(Cu) 또는구리합금으로된 미세한패턴을형성하는미세구리패턴형성방법이개시된다. 개시된미세구리패턴형성방법은, 기판에구리(Cu)를주성분으로포함하는금속으로이루어진구리층을적층하는구리층적층단계, 구리층에알루미늄(Al) 및산화알루미늄(AlO) 중적어도하나를주성분으로포함하는마스크(mask)를적층하는마스크적층단계, 구리층이부분적으로노출되도록마스크를두께방향으로관통하는미세패턴을마스크에형성하는미세패턴형성단계, 마스크위에서기판으로구리(Cu) 이온으로이루어진이온빔(ion beam)을조사(照射)하는이온빔 조사단계, 마스크를구리층에서분리제거하는마스크제거단계, 및구리층에에칭액(etching agent)을투입하여, 마스크에의해가려져있었던구리층의부분은식각하고, 미세패턴으로인해노출되었던구리층의다른부분은잔류시키는구리층식각단계를구비한다.
摘要翻译：公开了用于在基板的表面上形成铜（Cu）或铜合金的精细图案的精细铜图案形成方法。公开的微细铜图案的形成方法，主要成分的一种或层叠由主要含有铜（Cu），铝铜（Al）层和一个氧化铝（AlO）的金属的铜层的铜甚至层层叠步骤普遍基板通过在厚度方向上的掩模，使得部分暴露于所述掩模的铜（Cu）离子的精细图案，层压工序中，掩模（掩模）层压到的精细图案形成工序中的铜层，掩模上的衬底以形成含有一个掩模从铜层分离并去除掩模的掩模去除步骤，以及向铜层施加蚀刻剂以形成被掩模掩蔽的铜层的一部分的步骤，并且由于精细图案，铜层蚀刻步骤留下铜层的剩余部分暴露。

4. 发明公开

KR1020180006758A 미세 구리 패턴 형성 방법 有权
公开(公告)号：KR1020180006758A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：KR1020160087547
申请日：2016-07-11
申请人： (주)아인스
发明人： 한세충 , 이종윤
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L21/306 , H01L21/265 , H01L21/311
CPC分类号： H01L21/32134 , H01L21/26586 , H01L21/30604 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029
摘要： 기판의표면에구리(Cu) 또는구리합금으로된 미세한패턴을형성하는미세구리패턴형성방법이개시된다. 개시된미세구리패턴형성방법은, 기판에구리(Cu)를주성분으로포함하는금속으로이루어진구리층을적층하는구리층적층단계, 구리층에알루미늄(Al) 및산화알루미늄(AlO) 중적어도하나를주성분으로포함하는마스크(mask)를적층하는마스크적층단계, 구리층이부분적으로노출되도록마스크를두께방향으로관통하는미세패턴을마스크에형성하는미세패턴형성단계, 마스크위에서기판으로구리(Cu) 이온으로이루어진이온빔(ion beam)을조사(照射)하는이온빔 조사단계, 마스크를구리층에서분리제거하는마스크제거단계, 및구리층에에칭액(etching agent)을투입하여, 마스크에의해가려져있었던구리층의부분은식각하고, 미세패턴으로인해노출되었던구리층의다른부분은잔류시키는구리층식각단계를구비한다.

5. 发明授权

KR102087407B1 보호 피막을 구비한 알루미늄 부재 및 이의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102087407B1
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：KR1020170068068
申请日：2017-05-31
申请人： (주)아인스
发明人： 전찬봉 , 안병렬 , 한세충
IPC分类号： C25D11/12 , C25D11/24 , C25D11/06 , C09K13/04

6. 发明授权

KR101868596B1 비아 홀 형성 방법 및 이를 포함하는 비아 콘택 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101868596B1
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：KR1020160130852
申请日：2016-10-10
申请人： (주)아인스
发明人： 한세충 , 전찬봉
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/768 , H01L21/306 , H01L21/288 , H01L21/304
摘要： 비아홀에도전성금속이불완전하게채워지는불량을예방하기위한비아홀 형성방법및 이를포함하는비아콘택제조방법이개시된다. 개시된비아홀 형성방법은, 결정면타입(type)이 (1 0 0)인실리콘(Si) 기판의일 측면을실리콘기판의두께방향으로파서실리콘기판에비아홀(via hole)을생성하는비아홀 생성단계, 실리콘기판에비아홀의입구및 그주변부가노출되도록실리콘노출공(孔)이형성된산화층을형성하는 1차산화층형성단계, 및실리콘노출공을통해노출된비아홀 입구의주변부를실리콘식각액으로식각하여비아홀 입구의주변부에둔각(obtuse angle)의경사면을형성하는비아홀 입구식각단계를포함한다.

7. 发明授权

KR101764148B1 알루미늄 표면에 내균열층을 형성하는 방법 有权
标题翻译：如何在铝表面形成裂纹层
公开(公告)号：KR101764148B1
公开(公告)日：2017-08-02
申请号：KR1020160091460
申请日：2016-07-19
申请人： (주)아인스
发明人： 한세충 , 전찬봉 , 이성구 , 이종윤
IPC分类号： C23C10/30 , C23C10/60 , C23F4/00 , B24C1/08 , C23C14/16 , C23C14/58 , C25D3/42 , C25D5/50
CPC分类号： C23C10/30 , B24C1/08 , C23C10/60 , C23C14/16 , C23C14/5806 , C23F4/00 , C25D3/42 , C25D5/50
摘要： 알루미늄또는알루미늄합금재질제품의표면에균열에강한내균열층을형성하는방법이개시된다. 개시된알루미늄표면에내균열층을형성하는방법은, 알루미늄(Al)을주성분으로포함하는금속으로이루어진모재(母材)의표면에마그네슘(Mg)을적층하여마그네슘층을형성하는마그네슘층형성단계, 및마그네슘층이형성된모재를 200 내지 600℃의 온도로가열하여, 모재의표면의내부로마그네슘을확산침투시켜내균열층을형성하는열처리단계를구비한다.
摘要翻译：公开了在铝或铝合金产品的表面上形成抗裂裂层的方法。形成在铝表面上的抗开裂层的所公开的方法中，镁层形成由含有作为主要成分，以形成氧化镁层的金属构成的基材的表面上层叠镁（Mg），铝（Al）的步骤（母材），以及将其上形成有镁层的基材加热至200-600℃的热处理步骤，以使镁扩散并渗透到基材表面中以形成内部裂纹层。

8. 发明授权

KR101629336B1 알루미늄 부재의 세정 방법 有权
标题翻译：清洁铝构件的方法
公开(公告)号：KR101629336B1
公开(公告)日：2016-06-10
申请号：KR1020150124492
申请日：2015-09-02
申请人： (주)아인스
发明人： 한세충 , 안병렬 , 이종윤
IPC分类号： C23G1/02 , C23G1/04 , C23G1/06 , C23G1/12 , C23G5/02 , C23G5/028 , B08B3/08
摘要： 알루미늄(Al) 또는알루미늄합금으로된 부재의표면에생성되거나결착되는불순물을제거하는알루미늄부재의세정방법이개시된다. 개시된알루미늄부재의세정방법은, 물(water)에강산(strong acid)과부식억제제가용해되어형성된세정액을준비하는세정액준비단계, 알루미늄(Al)을포함하는금속으로형성되며표면에불순물이결착된알루미늄부재를세정액에침지(浸漬)하고, 세정액을 35 내지 120℃의온도로유지하는알루미늄부재침지단계, 및미리설정한시간경과후 알루미늄부재를세정액에서취출하는취출단계를구비한다. 알루미늄부재침지단계에서, 세정액에포함된강산에의해불순물이알루미늄부재의표면에서제거되나, 세정액에포함된부식억제제에의해알루미늄부재표면의부식이억제된다.
摘要翻译：公开了一种清除铝（Al）构件的方法，该铝（Al）构件除去由铝或铝合金构成的构件的表面产生或结合的杂质。清洗铝构件的方法包括：清洗液制备步骤，制备通过将强酸和腐蚀抑制剂溶于水而形成的清洗液; 铝构件浸渍步骤，将由铝（Al）的金属制成的铝构件浸渍在其表面上，并将清洗液保持在35-120℃的温度; 以及在经过预定时间之后将铝构件从清洗液体排出的排出步骤。在铝构件浸渍工序中，通过清洗液中含有的强酸从铝构件的表面除去杂质，但是由于清洗液中含有的腐蚀抑制剂，铝构件的表面的腐蚀被抑制。

9. 发明授权

KR101868457B1 비아 홀 형성 방법 및 이를 포함하는 비아 콘택 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101868457B1
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：KR1020160130854
申请日：2016-10-10
申请人： (주)아인스
发明人： 한세충 , 전찬봉
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/768 , H01L21/027 , H01L21/3065 , H01L21/288
摘要： 비아홀 형성방법및 이를포함하는비아콘택제조방법이개시된다. 개시된비아홀 형성방법은, 실리콘기판의일 측면에 SiO로이루어진제1 산화물층을형성하는제1 산화물층형성단계, 제1 산화물층에 SiN를증착하여질화물층(nitride layer)을형성하는질화물층형성단계, 제1 산화물층및 질화물층에실리콘기판의일 측면이부분적으로노출되도록기판노출공(孔)을형성하는기판노출공형성단계, 실리콘기판에기판노출공과정렬되는비아홀(via hole)을생성하되, 비아홀의입구를기판노출공내부에형성하고입구의내경을기판노출공의내경보다작게형성하는비아홀 생성단계, 비아홀의내주면과비아홀 입구의주변부를산화시켜 SiO로이루어진제2 산화물층을형성하는제2 산화물층형성단계, 및실리콘기판상에적층된, 질화물층, 제1 산화물층, 및제2 산화물층을식각하여제거하는적층물제거단계를포함한다. 제2 산화물층형성단계에서, 비아홀 입구의주변부의내부에제2 산화물층과실리콘으로이루어진층 사이의경계면이곡면으로형성되고, 적층물제거단계에서곡면이노출된다.

10. 发明授权

KR101818592B1 미세 세라믹 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：形成精细陶瓷图案的方法
公开(公告)号：KR101818592B1
公开(公告)日：2018-01-15
申请号：KR1020160087552
申请日：2016-07-11
申请人： (주)아인스
发明人： 한세충 , 이종윤
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L21/48 , H01L21/265 , H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/32139 , H01L21/02178 , H01L21/2656 , H01L21/31116 , H01L21/32134 , H01L21/324 , H01L21/4807
摘要： 기판의표면에세라믹(ceramics) 소재로이루어진미세한패턴을형성하는미세세라믹패턴형성방법이개시된다. 개시된미세세라믹패턴형성방법은, 기판에세라믹소재로이루어진세라믹층을적층하는세라믹층적층단계, 세라믹층에알루미늄(Al) 및산화알루미늄(AlO) 중적어도하나를주성분으로포함하는마스크(mask)를적층하는마스크적층단계, 세라믹층이부분적으로노출되도록마스크를두께방향으로관통하는미세패턴을마스크에형성하는미세패턴형성단계, 마스크위에서기판으로, 세라믹소재를구성하는성분중 적어도한 종류의성분의이온으로이루어진이온빔(ion beam)을조사(照射)하는이온빔 조사단계, 마스크를세라믹층에서분리제거하는마스크제거단계, 및세라믹층에에칭액(etching agent)을투입하여, 마스크에의해가려져있었던세라믹층의부분은식각하고, 미세패턴으로인해노출되었던세라믹층의다른부분은잔류시키는세라믹층식각단계를구비한다.
摘要翻译：公开了一种在基板的表面上形成精细陶瓷图案以形成由陶瓷材料制成的精细图案的方法。细陶瓷图案的形成方法公开的，层叠由陶瓷材料制成，以在衬底上的陶瓷层的陶瓷层的层压步骤中，铝包括一个或甚至以铝为主要成分的陶瓷层（Al）和掩模（掩模）（ALO）普遍氧化物层压的掩模层压步骤，该陶瓷层是精细图案形成的步骤，使得部分地暴露以形成通过在厚度方向上的掩模的掩模的精细图案，掩模上的基板，至少一种的成分的陶瓷材料组合物，以离子的离子束由（离子束）照射（照射），掩模去除从陶瓷层去除掩模远的步骤的离子束照射步骤中，并投入在陶瓷层的蚀刻溶液（蚀刻剂），陶瓷层是由掩模掩蔽陶瓷层的一部分被蚀刻，并且由于精细图案而暴露的陶瓷层的另一部分保留。

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