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1. 发明公开

KR1020170072681A 저 암전류 아발란치 포토다이오드 有权
标题翻译：低暗电流雪崩光电二极管
公开(公告)号：KR1020170072681A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：KR1020150181157
申请日：2015-12-17
申请人： (재)한국나노기술원 , 한국과학기술연구원 , 아주대학교산학협력단
发明人： 정해용 , 전동환 , 신찬수 , 박경호 , 박원규 , 김민수 , 한상욱 , 문성욱 , 김상인
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/02 , H01L29/66 , H01L31/09
摘要： 본발명은, 저암전류아발란치포토다이오드로서, 증폭층의중심부에형성되는멀티플리케이션(multiplication) 영역과그 주변에형성되는비-멀티플리케이션영역을포함하는상기증폭층; 및상기증폭층상단의수광부에배치되는전극을포함하고, 상기전극은멀티플리케이션영역및 비-멀티플리케이션영역의일부를포함하도록배치되는것을특징으로한다.
摘要翻译：本发明涉及一种低暗电流雪崩光电二极管，其包括：放大层，其包括形成在所述放大层的中心处的倍增区和形成在所述倍增区周围的非多路复用区; 以及设置在放大层的上侧的光接收部分处的电极，其中电极被布置为包括倍增区域和非多路复用区域的一部分。

2. 发明授权

KR101666400B1 포토다이오드 및 포토다이오드 제조 방법 有权
标题翻译：光化物及其制造方法
公开(公告)号：KR101666400B1
公开(公告)日：2016-10-14
申请号：KR1020140149039
申请日：2014-10-30
申请人： 한국과학기술연구원 , (재)한국나노기술원 , 아주대학교산학협력단
发明人： 한상욱 , 문성욱 , 김용수 , 이인준 , 김상인 , 박원규 , 전동환 , 신찬수 , 박경호 , 정해용
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/18
摘要： 포토다이오드는기판; 상기기판위에위치하는제 1 캐리어(carrier) 증폭층; 상기제 1 캐리어증폭층위에위치하는광자흡수층; 및상기광자흡수층위에위치하는제 2 캐리어증폭층;을포함할수 있다. 한편, 포토다이오드제조방법은기판위에제 1 캐리어증폭층을형성하는단계; 상기제 1 캐리어증폭층위에광자흡수층을형성하는단계; 및상기광자흡수층위에제 2 캐리어증폭층을형성하는단계;를포함할수 있다. 본발명의실시예들은두 종류의캐리어를모두이용하여신호를증폭함으로써전압이득및 단일광자검출의신뢰도를증대시킬수 있다.

3. 发明公开

KR1020160053178A 변형된 도핑 흡수층을 이용한 애벌랜치 포토다이오드 有权
标题翻译： APD使用调制吸收剂
公开(公告)号：KR1020160053178A
公开(公告)日：2016-05-13
申请号：KR1020140150213
申请日：2014-10-31
申请人： (재)한국나노기술원 , 한국과학기술연구원 , 아주대학교산학협력단
发明人： 전동환 , 정해용 , 신찬수 , 박경호 , 박원규 , 김용수 , 한상욱 , 문성욱 , 이인준 , 김상인
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/0304 , H01L31/0352
CPC分类号： H01L31/107 , H01L31/0304 , H01L31/03044 , H01L31/03046 , H01L31/03529
摘要： 본발명은상기목적을달성하기위한것으로서, 분리된흡수층및 증폭층(separate absorption and multiplication)을갖는애벌랜치포토다이오드에있어서, 상기흡수층은전계가걸린흡수층과도핑된흡수층의조합으로변형형성되고, 상기도핑된흡수층은, 상기전계가걸린흡수층과비흡수층사이에형성되며, 상기전계가걸린흡수층의도핑농도보다상대적으로높은도핑농도를가지는도핑층으로이루어진것을특징으로하는변형된도핑흡수층을이용한애벌랜치포토다이오드를기술적요지로한다. 이에의해, 기존의흡수층에도핑층을추가하여변형된도핑흡수층을형성하여, 주파수특성을유지하면서효율은증가시키는이점이있다.
摘要翻译：本发明涉及使用调制掺杂吸收层的雪崩光电二极管。使用调制掺杂吸收层的雪崩光电二极管包括彼此分离的吸收层和倍增层。吸收层被调制成电场吸收层和掺杂吸收层的组合。掺杂吸收层形成在电场吸收层和非吸收层之间。掺杂吸收层包括具有比电场施加的吸收层的掺杂浓度相对低的掺杂浓度的掺杂层。因此，由于通过在现有的吸收层中添加掺杂层来形成调制的掺杂吸附层，所以可以在保持频率特性的同时提高效率。

4. 发明授权

KR101783648B1 저 암전류 아발란치 포토다이오드 有权
公开(公告)号：KR101783648B1
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：KR1020150181157
申请日：2015-12-17
申请人： (재)한국나노기술원 , 한국과학기술연구원 , 아주대학교산학협력단
发明人： 정해용 , 전동환 , 신찬수 , 박경호 , 박원규 , 김민수 , 한상욱 , 문성욱 , 김상인
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/02 , H01L29/66 , H01L31/09
摘要： 본발명은, 저암전류아발란치포토다이오드로서, 증폭층의중심부에형성되는멀티플리케이션(multiplication) 영역과그 주변에형성되는비-멀티플리케이션영역을포함하는상기증폭층; 및상기증폭층상단의수광부에배치되는전극을포함하고, 상기전극은멀티플리케이션영역및 비-멀티플리케이션영역의일부를포함하도록배치되는것을특징으로한다.

5. 发明授权

KR101663638B1 변형된 도핑 흡수층을 이용한 애벌랜치 포토다이오드 有权
标题翻译： APD使用调制掺杂吸收剂
公开(公告)号：KR101663638B1
公开(公告)日：2016-10-10
申请号：KR1020140150213
申请日：2014-10-31
申请人： (재)한국나노기술원 , 한국과학기술연구원 , 아주대학교산학협력단
发明人： 전동환 , 정해용 , 신찬수 , 박경호 , 박원규 , 김용수 , 한상욱 , 문성욱 , 이인준 , 김상인
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/0304 , H01L31/0352
摘要： 본발명은상기목적을달성하기위한것으로서, 분리된흡수층및 증폭층(separate absorption and multiplication)을갖는애벌랜치포토다이오드에있어서, 상기흡수층은전계가걸린흡수층과도핑된흡수층의조합으로변형형성되고, 상기도핑된흡수층은, 상기전계가걸린흡수층과비흡수층사이에형성되며, 상기전계가걸린흡수층의도핑농도보다상대적으로높은도핑농도를가지는도핑층으로이루어진것을특징으로하는변형된도핑흡수층을이용한애벌랜치포토다이오드를기술적요지로한다. 이에의해, 기존의흡수층에도핑층을추가하여변형된도핑흡수층을형성하여, 주파수특성을유지하면서효율은증가시키는이점이있다.

6. 发明公开

KR1020160053179A 변형된 도핑 및 조성 흡수층을 이용한 애벌랜치 포토다이오드 有权
标题翻译： APD使用调制和组合吸收剂
公开(公告)号：KR1020160053179A
公开(公告)日：2016-05-13
申请号：KR1020140150214
申请日：2014-10-31
申请人： (재)한국나노기술원 , 한국과학기술연구원 , 아주대학교산학협력단
发明人： 전동환 , 정해용 , 신찬수 , 박경호 , 박원규 , 김용수 , 한상욱 , 문성욱 , 이인준 , 김상인
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/0304
CPC分类号： H01L31/107 , H01L31/0304 , H01L31/03044 , H01L31/03046 , H01L31/03529
摘要： 본발명은상기목적을달성하기위한것으로서, 분리된흡수층및 증폭층(separate absorption and multiplication)을갖는애벌랜치포토다이오드에있어서, 상기흡수층은전계가걸린흡수층과도핑및 조성변화층의조합으로이루어지되, 상기도핑및 조성변화층은, 상기전계가걸린흡수층과비흡수층사이에형성되며, 상기전계가걸린흡수층의도핑농도보다상대적으로높은도핑농도를가지면서, 상기화합물반도체의조성을기판에대해 10% 오차범위내에서의격자부정합또는정합이유지되도록변형하여형성되는것을특징으로하는변형된도핑및 조성흡수층을이용한애벌랜치포토다이오드를기술적요지로한다. 이에의해, 도핑이되어있으면서조성변화가이루어진도핑및 조성변화층은소수캐리어의에너지밴드를가변함으로써전계를인가하여캐리어이동을돕게되어, 캐리어가증폭층으로도달하는속도를가속할수 있도록하여, 효율특성및 응답속도를더욱개선시키는이점이있다.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种使用调制掺杂和组合物吸收层的雪崩光电二极管，以通过将掺杂和组成改性层添加到吸收层来保持频率特性并提高效率。为了实现该目的，雪崩光电二极管包括分离的吸收层和放大层。吸收层通过组合形成电子场的吸收层与组合物改性层而形成。掺杂和组成改性层形成在其中形成电子场的吸收层和非吸收层之间。掺杂和组成改性层具有比形成电子场的吸收层的掺杂浓度更高的掺杂浓度。修改化合物半导体的组成以在基板的±10％的误差范围内维持晶格不整合或一致性。因此，通过改变小载体的能带，施加掺杂的掺杂和其中组成改变的组成改性层有助于载流子的移动，并且更好地提高了效率特性和响应速度通过增加使载波到达修改层的速度。

7. 发明授权

KR101663644B1 변형된 도핑 및 조성 흡수층을 이용한 애벌랜치 포토다이오드 有权
标题翻译： APD使用调制掺杂和成分吸收剂
公开(公告)号：KR101663644B1
公开(公告)日：2016-10-10
申请号：KR1020140150214
申请日：2014-10-31
申请人： (재)한국나노기술원 , 한국과학기술연구원 , 아주대학교산학협력단
发明人： 전동환 , 정해용 , 신찬수 , 박경호 , 박원규 , 김용수 , 한상욱 , 문성욱 , 이인준 , 김상인
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/0304
摘要： 본발명은상기목적을달성하기위한것으로서, 흡수층및 증폭층이각각분리되어형성된(separate absorption and multiplication) 애벌랜치포토다이오드에있어서, 상기흡수층은전계가걸린흡수층과도핑및 조성변화층의조합으로이루어지되, 상기도핑및 조성변화층은, 상기전계가걸린흡수층과비흡수층사이에형성되며, 상기전계가걸린흡수층의도핑농도보다상대적으로높은도핑농도를가지면서, 상기화합물반도체의조성을기판에대해 10% 오차범위내에서의격자부정합또는정합이유지되도록변형하여형성되는것을특징으로하는변형된도핑및 조성흡수층을이용한애벌랜치포토다이오드를기술적요지로한다. 이에의해, 도핑이되어있으면서조성변화가이루어진도핑및 조성변화층은소수캐리어의에너지밴드를가변함으로써전계를인가하여캐리어이동을돕게되어, 캐리어가증폭층으로도달하는속도를가속할수 있도록하여, 효율특성및 응답속도를더욱개선시키는이점이있다.

8. 发明公开

KR1020160050574A 포토다이오드 및 포토다이오드 제조 방법 有权
标题翻译：光化物及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160050574A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：KR1020140149039
申请日：2014-10-30
申请人： 한국과학기술연구원 , (재)한국나노기술원 , 아주대학교산학협력단
发明人： 한상욱 , 문성욱 , 김용수 , 이인준 , 김상인 , 박원규 , 전동환 , 신찬수 , 박경호 , 정해용
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/107 , H01L31/184 , H01L31/1844
摘要： 포토다이오드는기판; 상기기판위에위치하는제 1 캐리어(carrier) 증폭층; 상기제 1 캐리어증폭층위에위치하는광자흡수층; 및상기광자흡수층위에위치하는제 2 캐리어증폭층;을포함할수 있다. 한편, 포토다이오드제조방법은기판위에제 1 캐리어증폭층을형성하는단계; 상기제 1 캐리어증폭층위에광자흡수층을형성하는단계; 및상기광자흡수층위에제 2 캐리어증폭층을형성하는단계;를포함할수 있다. 본발명의실시예들은두 종류의캐리어를모두이용하여신호를증폭함으로써전압이득및 단일광자검출의신뢰도를증대시킬수 있다.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种放大电子和空穴并具有高电压增益的光电二极管及其制造方法。光电二极管包括：基板; 设置在所述基板上的第一载流子放大层; 设置在所述第一载流子放大层上的光子吸收层; 以及设置在光子吸收层上的第二载流子放大层。制造光电二极管的方法包括以下步骤：在衬底上形成第一载流子放大层; 在所述第一载流子放大层上形成光子吸收层; 以及在所述光子吸收层上形成第二载流子放大层。根据本发明的实施例，可以通过使用两种载体两者放大信号来提高电压增益和光子检测的可靠性。

9. 发明授权

KR101734077B1 다중접합 태양전지 및 그 제조방법 有权
标题翻译：多结太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：KR101734077B1
公开(公告)日：2017-05-12
申请号：KR1020150188846
申请日：2015-12-29
申请人： (재)한국나노기술원
发明人： 김강호 , 김영조 , 정상현 , 김창주 , 전동환 , 신현범 , 박원규 , 강호관 , 이재진
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/046 , H01L31/18 , H01L21/027 , H01L21/3213
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 본발명은다중접합태양전지및 그제조방법에관한것이다. 본발명에따른다중접합태양전지의제조방법은, 기판의상면에하부, 중부, 상부태양전지층및 포토레지스트층을차례로적층형성하는단계와; 포토레지스트층및 그하부의상부태양전지층의일부를각각메사식각하는단계와; 상부태양전지층의식각후, 포토레지스트를리플로우하고열처리하여식각된상부태양전지층을포토레지스트로보호하는단계와; 상부태양전지층하부에위치하는중부태양전지층의일부를식각한후, 포토레지스트를리플로우하고열처리하여식각된중부태양전지층을포토레지스트로보호하는단계와; 중부태양전지층하부에위치하는하부태양전지층의일부를식각하는단계; 및상부태양전지층위에위치하는포토레지스트층과, 상기식각부보호용으로형성된포토레지스트를제거하여다중접합태양전지구조체를완성하는단계를포함한다. 이와같은본 발명에의하면, 다중접합태양전지의제조공정에다단계습식식각공정을도입함으로써, 메사습식식각공정에서의언더컷발생문제를해결하여메사습식식각공정으로인한활성면적감소를원천적으로방지할수 있고, 이에따라태양전지의효율저하문제를근본적으로해결할수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种多结太阳能电池及其制造方法。按照本发明制造键合的太阳能电池的方法包括：形成下部，中部，并依次层叠顶部太阳能电池层和所述衬底的所述顶表面上的光致抗蚀剂层的工序; 分别在光致抗蚀剂层下方蚀刻光致抗蚀剂层和部分上太阳能电池层; 在蚀刻上太阳能电池层之后，回流并热处理光致抗蚀剂以用光致抗蚀剂保护蚀刻的上太阳能电池层; 进一步包括：蚀刻，其位于顶太阳能电池层底部中央的太阳能电池层的一部分，保护所述中心太阳能电池层蚀刻所述回流热处理，并在光致抗蚀剂和光致抗蚀剂之后; 蚀刻位于中间太阳能电池层下方的下部太阳能电池层的一部分; 以及形成顶部太阳能电池层上，除去蚀刻保护部形成光致抗蚀剂，包括步骤完成的多结太阳能电池结构的光致抗蚀剂层。因此，根据如本发明，通过在结太阳能电池的制造过程中引入的多步骤湿蚀刻工艺多，台面湿法蚀刻工艺eseoui并能解决底切问题，从根本上防止活性区域由于台面湿法蚀刻工艺减小，因此，可以从根本上解决降低太阳能电池效率的问题。

10. 发明公开

KR1020170047721A 집광형 태양광 발전 방법 및 시스템 有权
公开(公告)号：KR1020170047721A
公开(公告)日：2017-05-08
申请号：KR1020150148153
申请日：2015-10-23
申请人： (재)한국나노기술원
发明人： 정상현 , 김창주 , 김영조 , 김강호 , 전동환 , 박형호 , 최영수 , 성호근 , 박경호 , 최재혁 , 신현범 , 박원규 , 강호관 , 이재진
IPC分类号： H02S20/32 , H02S20/30 , H02S50/10 , G01K13/00 , H02S40/42
CPC分类号： G01K13/00 , H02S20/30 , H02S20/32 , H02S50/10
摘要： 본발명은집광형태양광발전방법및 시스템에관한것으로서, 상기방법은태양추적방식에따라태양의황도를계산하여태양전지판을조정하는단계, 상기태양전지판을구성하는하나이상의단위모듈에서태양광을집광하는단계,단위모듈에장착된온도센서를이용하여, 온도분포를측정하는단계및 측정한온도분포결과에따라하나이상의단위모듈을보정하는단계를포함한다.

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