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热词
    • 7. 发明公开
    • 후막 도체 형성용 Cu 페이스트 조성물 및 후막 도체
    • 用于厚膜导体形成和厚膜导体的Cu糊剂组合物
    • KR20180008390A
    • 2018-01-24
    • KR20177025486
    • 2016-05-19
    • SUMITOMO METAL MINING CO
    • KAWAKUBO KATSUHIROHASEMI MASAAKI
    • H01B1/22H05K1/09
    • H01B1/00H01B1/22H05K1/09
    • 기판의표면상에도포하고, 소성함으로써형성되는후막전극이나후막배선등의후막도체의내황화성을향상시키고, 전자부품이나전자회로의신뢰성을높일수 있는 Cu 페이스트조성물을제공한다. Cu 분말과 Ni 분말과유기비히클을, Cu 분말과 Ni 분말의합계 100질량부에대하여, Ni 분말이 0.7질량부내지 20질량부, 유기비히클이 5질량부내지 40질량부가되도록혼합하여, Cu 페이스트조성물을얻는다. 또는이것들에더해, CuO 분말을 1질량부내지 15질량부가되도록혼합하여, Cu 페이스트조성물을얻는다.
    • 施加在表面上的基板,并通过烧成,提高了厚膜导体,的hwanghwaseong诸如厚膜电极和形成于所述厚的薄膜布线,提供了一种电子部件或Cu糊剂组合物,其进而,有利于电子电路的可靠性。 通过质谱5组质量份混合,从而为重量的Cu粉末和Ni粉末的Cu粉末和Ni粉和有机载体,至总量为100份,镍粉末用有机载体的质量添加0.7质量份至20份至40份,Cu膏 获得作品。 或者,CuO粉末的添加量为1〜15质量份,得到Cu糊剂组合物。
    • 8. 发明公开
    • 반응성 스퍼터링법과 적층체 필름의 제조 방법
    • 反应溅射法和层压膜的制造方法
    • KR20180006901A
    • 2018-01-19
    • KR20177031762
    • 2016-04-20
    • SUMITOMO METAL MINING CO
    • WATANABE HIROTO
    • C23C14/00C23C14/06C23C14/34C23C14/35
    • C23C14/06C23C14/34H01B13/00
    • [과제] 비에로젼영역에퇴적한파티클퇴적물이나침식영역에발생한노듈이스퍼터링타깃으로부터벗겨지기어렵고아크방전등도억제할수 있는반응성스퍼터링법등을제공한다. [해결수단] 마그네트론스퍼터링캐소드(17, 18, 19, 20)를진공챔버(10) 내에구비한스퍼터링장치를사용하여, 반응성가스가포함되는프로세스가스를진공챔버내에도입하여성막을행하는반응성스퍼터링법에있어서, 반응성가스가산소가스혹은질소가스로구성되고또한반응성가스에물이포함되어있는것을특징으로한다. 반응성가스중에포함되는수분의작용에의해파티클퇴적물이나노듈이스퍼터링타깃으로부터벗겨지기어렵게되고, 대전된파티클퇴적물이나노듈의전하도감소하여아크방전등이억제된다.
    • [问题]难以脱落在沉积在浸渍或侵蚀区区域的粒子沉积物产生的非结核是从溅射靶提供了一种反应性溅射beopdeung能够抑制电弧放电灯。 [解决问题的手段]磁控溅射阴极(17,18,19,20),用于使用具有真空室10,通过引入含有反应性气体到真空腔室,用于执行沉积的工艺气体的反应性溅射方法的溅射装置 其特征在于反应气体由氧气或氮气组成,并且反应气体含有水。 反应颗粒包含在气体中的水的作用下沉降几乎纳米模块被从溅射靶剥离,带电粒子沉积物减少jeonhado纳米模块弧光放电灯被抑制。