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1. 发明公开

KR20180008390A 후막 도체 형성용 Cu 페이스트 조성물 및 후막 도체 审中-公开
标题翻译：用于厚膜导体形成和厚膜导体的Cu糊剂组合物
公开(公告)号：KR20180008390A
公开(公告)日：2018-01-24
申请号：KR20177025486
申请日：2016-05-19
申请人： SUMITOMO METAL MINING CO
发明人： KAWAKUBO KATSUHIRO , HASEMI MASAAKI
IPC分类号： H01B1/22 , H05K1/09
CPC分类号： H01B1/00 , H01B1/22 , H05K1/09
摘要： 기판의표면상에도포하고, 소성함으로써형성되는후막전극이나후막배선등의후막도체의내황화성을향상시키고, 전자부품이나전자회로의신뢰성을높일수 있는 Cu 페이스트조성물을제공한다. Cu 분말과 Ni 분말과유기비히클을, Cu 분말과 Ni 분말의합계 100질량부에대하여, Ni 분말이 0.7질량부내지 20질량부, 유기비히클이 5질량부내지 40질량부가되도록혼합하여, Cu 페이스트조성물을얻는다. 또는이것들에더해, CuO 분말을 1질량부내지 15질량부가되도록혼합하여, Cu 페이스트조성물을얻는다.
摘要翻译：施加在表面上的基板，并通过烧成，提高了厚膜导体，的hwanghwaseong诸如厚膜电极和形成于所述厚的薄膜布线，提供了一种电子部件或Cu糊剂组合物，其进而，有利于电子电路的可靠性。通过质谱5组质量份混合，从而为重量的Cu粉末和Ni粉末的Cu粉末和Ni粉和有机载体，至总量为100份，镍粉末用有机载体的质量添加0.7质量份至20份至40份，Cu膏获得作品。或者，CuO粉末的添加量为1〜15质量份，得到Cu糊剂组合物。

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