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1. 发明授权

KR102168049B1 비닐에테르계 별형 폴리머 有权
公开(公告)号：KR102168049B1
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：KR1020167005430
申请日：2014-09-02
申请人： 마루젠 세끼유가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 요시다노리히로
IPC分类号： C08F216/14 , C08F261/06 , D06M15/347 , D06M15/356

2. 发明授权

KR102115687B1 측쇄에 수산기를 가지는 비닐에테르 폴리머의 제조 방법 및 온도 응답성 폴리머 혼합물 有权
公开(公告)号：KR102115687B1
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：KR1020187015812
申请日：2016-12-14
申请人： 마루젠 세끼유가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 요시다노리히로 , 스기하라신지
IPC分类号： C08F116/16 , C08L29/10 , C08F2/06 , C08F2/16 , C08F4/04

3. 发明授权

KR101727332B1 히드록시알킬（메타）아크릴산 에스테르의 제조 방법 有权
标题翻译：生产羟烷基（甲基）丙烯酸酯的方法
公开(公告)号：KR101727332B1
公开(公告)日：2017-04-14
申请号：KR1020117012869
申请日：2009-11-04
申请人： 히타치가세이가부시끼가이샤 , 마루젠 세끼유가가꾸 가부시키가이샤 , 이토츄 케미컬 프론티어 가부시키가이샤
发明人： 카메이준이치 , 하바카즈히코
IPC分类号： C07C67/297 , C07C69/54 , C07B61/00
CPC分类号： C07C67/03 , C07C67/29 , C07C2601/14 , C07C69/54
摘要： 번잡한정제공정을필요로하지않고효율적으로히드록시알킬(메타)아크릴산에스테르를제조할수 있는제조방법을제공한다. 비닐에테르함유알코올을에스테르교환법에의해 (메타)아크릴화하여비닐에테르함유 (메타)아크릴산에스테르로한 후, 산촉매존재하, 탈비닐화반응을실시할때에, 물을공존시키는것을특징으로하는, 히드록시알킬(메타)아크릴산에스테르의제조방법이다.
摘要翻译：（甲基）丙烯酸酯可以有效地生产而不需要复杂的纯化步骤。（甲基）丙烯酸酯通过酯交换法得到含乙烯基醚的（甲基）丙烯酸酯，然后在酸催化剂存在下，（甲基）丙烯酸烷基酯。

4. 发明公开

KR1020160032092A 고리형 카보네이트의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：制造循环碳酸盐的方法
公开(公告)号：KR1020160032092A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：KR1020167000413
申请日：2014-07-18
申请人： 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 상교기쥬츠 소고켄큐쇼 , 마루젠 세끼유가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 다카하시도시카즈 , 야스다히로유키 , 야마모토쇼우지 , 나니키다카시 , 하야시야스노리 , 하루나다케시 , 후루카와다쿠로
IPC分类号： C07D317/36 , C07D317/38 , B01J31/02
CPC分类号： C07D317/38 , B01J31/0239 , B01J31/0254 , B01J31/0268 , B01J31/0269 , B01J2231/341 , C07D317/36 , Y02P20/142
摘要： 고전화율·고수율로효율적으로고리형카보네이트를제조할수 있고, 또한촉매의시간경과적열화가억제되고, 촉매활성이잘 저하되지않는, 에폭사이드와이산화탄소의반응에의한고리형카보네이트의제조방법을제공하는것. 할로겐화물아니온을카운터이온으로하는제 4 급암모늄염및 할로겐화물아니온을카운터이온으로하는제 4 급포스포늄염에서선택되는제 4 급오늄염, 또는그 제 4 급오늄염이담체에고정화된고체촉매존재하에서, 에폭사이드와이산화탄소를반응시키는고리형카보네이트의제조방법으로서, 1 분자중에적어도하나의할로겐원자를함유하는유기할로겐화물을반응계에첨가하는것을특징으로하는제조방법.

5. 发明公开

KR1020160002801A 고리형 카보네이트 합성용 촉매의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：生产循环碳酸酯合成催化剂的方法
公开(公告)号：KR1020160002801A
公开(公告)日：2016-01-08
申请号：KR1020157030230
申请日：2014-04-22
申请人： 마루젠 세끼유가가꾸 가부시키가이샤 , 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 상교기쥬츠 소고켄큐쇼
发明人： 나니키다카시 , 다카하시도시카즈 , 야스다히로유키 , 야마모토쇼우지
IPC分类号： B01J37/02 , B01J31/26 , B01J31/02 , B01J21/08 , B01J35/10 , C07D317/36 , C07D317/38
CPC分类号： B01J31/0268 , B01J21/08 , B01J27/08 , B01J27/16 , B01J27/182 , B01J31/0267 , B01J31/0269 , B01J31/069 , B01J31/26 , B01J35/1019 , B01J35/1023 , B01J35/1061 , B01J2231/341 , C07D317/36 , C07D317/38
摘要： 에폭사이드와이산화탄소를반응시켜고리형카보네이트를합성하기위해서사용되는우수한촉매활성을갖는불균일계촉매를, 간편하게또한저비용으로제조하는방법, 그제조방법으로얻어진촉매, 그촉매를사용하는고리형카보네이트의합성방법의제공. 에폭사이드와이산화탄소를반응시켜고리형카보네이트를합성하기위해서사용되는촉매의제조방법으로서, 하기공정 (a) 및 (b) 를포함하는제조방법. (a) 할로알킬기또는할로아릴기를갖는실란화합물과, 흡착수분량 1 질량% 이하의실리카겔을반응시켜, 할로알킬기또는할로아릴기를갖는촉매전구체를얻는공정 (b) 공정 (a) 에서얻어진촉매전구체와 3 급포스핀을반응시켜, 할로겐함유량과인 함유량의몰비 [할로겐/인] 가 0.8 ∼ 1.6 인고리형카보네이트합성용촉매를얻는공정
摘要翻译：本发明提供一种易于制造低成本催化活性优异的多相催化剂的方法，所述多相催化剂用于通过环氧化物和二氧化碳的反应合成环状碳酸酯; 通过该制造方法得到的催化剂; 以及使用该催化剂合成环状碳酸酯的方法。一种制备用于通过使环氧化物与二氧化碳进行反应合成环状碳酸酯的催化剂的方法，所述方法包括以下步骤（a）和（b）：（a）获得具有卤代烷基或卤代芳基的催化剂前体，通过使具有卤代烷基或卤代芳基的硅烷化合物和吸附水量为1质量％以下的硅胶和（b）步骤通过使步骤（a）中得到的催化剂前体与卤素含量与磷含量的摩尔比即[卤素] / [磷]的叔膦反应，得到环状碳酸酯合成催化剂，为0.8〜1.6。

6. 发明授权

KR101419934B1 포지티브 형 리소그래피용 공중합체, 상기 공중합체의제조에 사용되는 중합 개시제, 및 반도체 리소그래피용조성물 有权
标题翻译：用于正型型光刻胶的共聚物，用于制备共聚物的聚合引发剂和用于半导体层析的组合物
公开(公告)号：KR101419934B1
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：KR1020070048838
申请日：2007-05-18
申请人： 마루젠 세끼유가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 이이지마미노루 , 야마기시다카노리
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0397 , C08F220/28
摘要： 알칼리-가용성 기가 산-해리성, 용해-억제기에 의해 보호된 구조를 갖는, 하기 화학식 (A) 로 나타내는 하나 이상의 반복 단위 (A), 및 알칼리-가용성 기가 산-해리성, 용해-억제기에 의해 보호된 구조를 갖는, 하기 화학식 (B) 로 나타내는 말단 구조 (B) 를 갖는, 포지티브 형 리소그래피용 공중합체:

[상기 화학식 (A) 에서, R
10 은 탄화수소기 또는 수소 원자이고; R
11 은 가교성 지환족 탄화수소기이고; n 은 0 또는 1 의 정수이고; R
12 는 산-해리성, 용해-억제기임],

[상기 화학식 (B) 에서, R
21 은 질소 원자를 함유할 수 있는 탄화수소기이고; R
22 는 산-해리성, 용해-억제기이고; p 는 공중합체 주쇄와의 결합 부위임].
상기 공중합체는 화학 증폭형 포지티브 형 리소그래피에 사용되며, 리소그래피 특성 (예를 들면, 용해 콘트라스트) 이 우수하다.

7. 发明公开

KR1020140002715A 금속 나노 입자 복합체 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：金属纳米复合材料及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140002715A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：KR1020137019416
申请日：2012-01-25
申请人： 마루젠 세끼유가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 요시다노리히로 , 니시우라다카오
IPC分类号： B22F1/00 , B22F1/02 , B22F9/00 , B22F9/24
CPC分类号： C08K3/08 , B22F1/0018 , B22F1/0022 , B22F1/0062 , B22F9/24 , B82Y30/00 , C08F116/14 , C08F216/125 , C08F216/1416 , C08F297/00 , C08F2216/1433 , C08K5/05 , C08K9/12 , C08K2003/0806 , C08K2003/0831 , C08K2003/085 , C08K2201/011 , C08L29/04 , C08L29/10 , C08L33/12 , C08L53/00 , C08L83/04 , C09D129/10 , C23C18/1635 , C23C18/40 , C23C18/44
摘要： 시간 경과적 안정성 및 유지 안정성이 우수하여, 금속 나노 입자 분산막의 원료로서 유용한 금속 나노 입자 복합체, 그 제조 방법, 금속 나노 입자 분산액, 금속 나노 입자 분산막 형성용 조성물 및 금속 나노 입자 분산막의 제공.
(A) 중심핵 및 중심핵에 결합된 아암부를 가지며, 아암부가, 하기 일반식 (1) 로 나타내는 반복 단위 및 하기 일반식 (2) 로 나타내는 반복 단위를 포함하는 별형 폴리머에 (B) 금속 나노 입자를 담지하여 이루어지는 금속 나노 입자 복합체.

(식 (1) 중, R
1 은 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타내고, 식 (2) 중, R
2 는 메틸기 또는 에틸기를 나타내며, k 는 1 ∼ 10 의 정수이다)

8. 发明授权

KR100969440B1 열 임프린트용 수지 有权
标题翻译：树脂用于热印
公开(公告)号：KR100969440B1
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：KR1020087008394
申请日：2006-08-25
申请人： 에스씨아이브이에이엑스 가부시키가이샤 , 마루젠 세끼유가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 토시푸미타케모리 , 타카야요시아키 , 미타타카히토 , 이이주카테츄야 , 하시마유지 , 쿠수우라타카히사 , 푸지이미추루 , 타쿠치타쿠지 , 미트라안우팜
IPC分类号： C08F10/00 , C08F32/00 , B29C45/00 , B29C59/02
CPC分类号： B29C59/005 , B29C59/026 , B29K2045/00 , C08F232/08 , C08G61/06 , C08G61/08 , H05K1/032 , H05K3/0014 , H05K3/107 , H05K2201/0158 , H05K2203/0108
摘要： 사출 성형체 제조에 제공되는 하기 화학식 1 또는 하기 화학식 2 로 표시되는 골격을 주쇄 중에 적어도 1 종류 함유하는 환상 올레핀계 열가소성 수지에 있어서, 상기 수지의 유리 전이 온도 Tg(℃)와 260℃에서의 MFR의 값 ([M])이 하기 식 (1)을 만족시킴과 함께 [M] > 10인 열 임프린트용 수지. 이로써 열 임프린트성 (전사성, 이형성 등) 이 우수하고 또한 생산성 (스루풋 등) 의 개선에 기여한다.
[화학식 1]

[화학식 2]

Tg(℃)

9. 发明公开

KR1020100033962A ＡＢＡ형 삼중블록 공중합체 및 그 제조방법 有权
标题翻译： ABA三嵌段共聚物及其制备方法
公开(公告)号：KR1020100033962A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：KR1020097025417
申请日：2008-06-19
申请人： 마루젠 세끼유가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 요시다노리히로 , 아오키히지리 , 미타타카히토 , 야마구치아미 , 하바카즈히코 , 사와다고로
IPC分类号： C08F297/00 , C08F16/14
CPC分类号： C08F297/00 , C08F212/14 , C08F216/14
摘要： A novel vinyl-ether-based ABA triblock copolymer comprising a polyvinyl ether and hydroxystyrene units; and a process by which the ABA type copolymer can be easily produced via a series of steps. The novel ABA triblock copolymer is made up of segments (A) comprising hydroxystyrene repeating units (a) and a segment (B) comprising vinyl ether repeating units (b), each segment (A) being bonded to the segment (B) through a single bond. This triblock copolymer can be produced via a series of simple steps, i.e., by polymerizing a vinyl ether monomer such as ethyl vinyl ether by living cationic polymerization in the presence of a bifunctional initiator and a Lewis acid, subsequently adding a hydroxystyrene monomer such as p-hydroxystyrene, and polymerizing the hydroxystyrene monomer by living cationic polymerization.
摘要翻译：一种新型乙烯基醚类ABA三嵌段共聚物，其包含聚乙烯基醚和羟基苯乙烯单元; 以及通过一系列步骤容易地制备ABA型共聚物的方法。新型ABA三嵌段共聚物由包含羟基苯乙烯重复单元（a）的链段（A）和包含乙烯基醚重复单元（b）的链段（B）组成，每个链段（A）通过一个单键。该三嵌段共聚物可以通过一系列简单的步骤制备，即通过在双功能引发剂和路易斯酸的存在下通过活性阳离子聚合使乙烯基醚单体如乙基乙烯基醚聚合，随后加入羟基苯乙烯单体如p 羟基苯乙烯，并通过活性阳离子聚合聚合羟基苯乙烯单体。

10. 发明公开

KR1020060126385A 반도체 리소그래피를 위한 공중합체, 조성물 및 티올화합물 失效
标题翻译：用于SEMICONDUCTOR LITHOGRAPHY，COMPOSITION AND THIOL COMPOUND的共聚物
公开(公告)号：KR1020060126385A
公开(公告)日：2006-12-07
申请号：KR1020060049737
申请日：2006-06-02
申请人： 마루젠 세끼유가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 이이지마미노루 , 야마기시다카노리
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： C07C323/17 , C07C2602/42 , C08F220/18 , C08F220/28 , G03F7/0397
摘要： Provided are a copolymer for semiconductor lithography preferably used in accurate processing using UV, X-ray, or electron beam, a composition comprising the copolymer, and a thiol compound forming the copolymer. The copolymer comprises at least (A) a repeating unit having a structure comprising alkali-soluble group protected with acid-dissociable, solution inhibitive group, and (B) a terminal structure represented by formula(F). In the formula(F), each X1 and X2 is independently hydrogen atom, halogen atom, or C1-C4 hydrocarbon group which may be substituted with halogen atom, each Y11 to Y14 is independently hydrogen atom, or ether bond formed between Y11 and Y12, or Y 13 and Y14 respectively, or C1-C2 hydrocarbon group, each Y21 to Y25 is independently hydrogen atom, or C1-C4 hydrocarbon group, and n is an integer of 0 or 1. The composition for semiconductor lithography comprises the copolymer and a radiation-sensitive acid generator. The thiol compound is represented by the formula F.
摘要翻译：提供一种用于半导体光刻的共聚物，优选用于使用UV，X射线或电子束的精确加工，包含该共聚物的组合物和形成该共聚物的硫醇化合物。共聚物至少包含（A）具有由酸解离的溶液抑制基团保护的碱溶性基团的结构的重复单元和（B）由式（F）表示的末端结构。式（F）中，X 1和X 2各自独立地为氢原子，卤素原子或可被卤原子取代的C 1〜C 4烃基，Y 11〜Y 14各自独立地为氢原子，Y 11和Y 12之间形成的醚键或Y 13和Y 14或C 1 -C 2烃基，每个Y 21至Y 25独立地为氢原子或C 1 -C 4烃基，n为0或1的整数。半导体光刻用组合物包含共聚物和辐射敏感的酸发生器。硫醇化合物由式F表示。

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