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1. 发明授权

KR101419934B1 포지티브 형 리소그래피용 공중합체, 상기 공중합체의제조에 사용되는 중합 개시제, 및 반도체 리소그래피용조성물 有权
标题翻译：用于正型型光刻胶的共聚物，用于制备共聚物的聚合引发剂和用于半导体层析的组合物
公开(公告)号：KR101419934B1
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：KR1020070048838
申请日：2007-05-18
申请人： 마루젠 세끼유가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 이이지마미노루 , 야마기시다카노리
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0397 , C08F220/28
摘要： 알칼리-가용성 기가 산-해리성, 용해-억제기에 의해 보호된 구조를 갖는, 하기 화학식 (A) 로 나타내는 하나 이상의 반복 단위 (A), 및 알칼리-가용성 기가 산-해리성, 용해-억제기에 의해 보호된 구조를 갖는, 하기 화학식 (B) 로 나타내는 말단 구조 (B) 를 갖는, 포지티브 형 리소그래피용 공중합체:

[상기 화학식 (A) 에서, R
10 은 탄화수소기 또는 수소 원자이고; R
11 은 가교성 지환족 탄화수소기이고; n 은 0 또는 1 의 정수이고; R
12 는 산-해리성, 용해-억제기임],

[상기 화학식 (B) 에서, R
21 은 질소 원자를 함유할 수 있는 탄화수소기이고; R
22 는 산-해리성, 용해-억제기이고; p 는 공중합체 주쇄와의 결합 부위임].
상기 공중합체는 화학 증폭형 포지티브 형 리소그래피에 사용되며, 리소그래피 특성 (예를 들면, 용해 콘트라스트) 이 우수하다.

2. 发明公开

KR1020060126385A 반도체 리소그래피를 위한 공중합체, 조성물 및 티올화합물 失效
标题翻译：用于SEMICONDUCTOR LITHOGRAPHY，COMPOSITION AND THIOL COMPOUND的共聚物
公开(公告)号：KR1020060126385A
公开(公告)日：2006-12-07
申请号：KR1020060049737
申请日：2006-06-02
申请人： 마루젠 세끼유가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 이이지마미노루 , 야마기시다카노리
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： C07C323/17 , C07C2602/42 , C08F220/18 , C08F220/28 , G03F7/0397
摘要： Provided are a copolymer for semiconductor lithography preferably used in accurate processing using UV, X-ray, or electron beam, a composition comprising the copolymer, and a thiol compound forming the copolymer. The copolymer comprises at least (A) a repeating unit having a structure comprising alkali-soluble group protected with acid-dissociable, solution inhibitive group, and (B) a terminal structure represented by formula(F). In the formula(F), each X1 and X2 is independently hydrogen atom, halogen atom, or C1-C4 hydrocarbon group which may be substituted with halogen atom, each Y11 to Y14 is independently hydrogen atom, or ether bond formed between Y11 and Y12, or Y 13 and Y14 respectively, or C1-C2 hydrocarbon group, each Y21 to Y25 is independently hydrogen atom, or C1-C4 hydrocarbon group, and n is an integer of 0 or 1. The composition for semiconductor lithography comprises the copolymer and a radiation-sensitive acid generator. The thiol compound is represented by the formula F.
摘要翻译：提供一种用于半导体光刻的共聚物，优选用于使用UV，X射线或电子束的精确加工，包含该共聚物的组合物和形成该共聚物的硫醇化合物。共聚物至少包含（A）具有由酸解离的溶液抑制基团保护的碱溶性基团的结构的重复单元和（B）由式（F）表示的末端结构。式（F）中，X 1和X 2各自独立地为氢原子，卤素原子或可被卤原子取代的C 1〜C 4烃基，Y 11〜Y 14各自独立地为氢原子，Y 11和Y 12之间形成的醚键或Y 13和Y 14或C 1 -C 2烃基，每个Y 21至Y 25独立地为氢原子或C 1 -C 4烃基，n为0或1的整数。半导体光刻用组合物包含共聚物和辐射敏感的酸发生器。硫醇化合物由式F表示。

3. 发明授权

KR101422307B1 액침 리소그래피용 공중합체 및 조성물 有权
标题翻译：用于渗透层析和组合物的共聚物
公开(公告)号：KR101422307B1
公开(公告)日：2014-07-22
申请号：KR1020097008422
申请日：2007-10-30
申请人： 마루젠 세끼유가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 야마기시다카노리 , 오이카와도모 , 오카다다카요시
IPC分类号： G03F7/039 , H01L21/027 , C08F220/26
CPC分类号： G03F7/0397 , C08F220/18 , C08F220/28 , G03F7/2041 , Y10S430/111 , Y10S430/115
摘要： 워터 마크 등의 패턴 결함이나, 감방사선성 산발생제 등의 첨가물의 용출에 의한 감도나 패턴 형상의 이상 등을 억제할 수 있는, 액침 리소그래피에 적합한 표면 특성을 부여하는 공중합체와, 그 공중합체를 함유하는 조성물을 제공한다.
적어도, 산의 작용으로 보호기가 해리되어 알칼리 가용성기를 발생시키는 반복 단위 (A) 와, 락톤 구조를 갖는 반복 단위 (B) 를 함유하는 공중합체로서, 그 공중합체의 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (이하, 「PGMEA」 라고 하는 경우가 있다.) 용액을 웨이퍼에 도포하고 가열하여 형성한 박막에, 순수 15㎕ 를 적하하고, 물방울이 이동을 개시할 때의 웨이퍼의 기울기가 35°이하, 또는 물방울이 이동을 개시할 때의 물방울 최상부의 접촉각이 64°이상인 것을 특징으로 하는 액침 리소그래피용 공중합체.

4. 发明公开

KR1020090082363A 반도체 리소그래피용 공중합체와 조성물, 및 상기 공중합체의 제조 방법 有权
标题翻译：用于半导体层析的共聚物和组合物和用于生产共聚物的方法
公开(公告)号：KR1020090082363A
公开(公告)日：2009-07-30
申请号：KR1020097008252
申请日：2007-10-19
申请人： 마루젠 세끼유가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 오이카와도모 , 오카다다카요시 , 구도마사아키 , 야마기시다카노리
IPC分类号： C08F220/10 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0397 , C08F220/18 , C08F220/28 , C08F2220/283 , G03F7/2041 , G03F7/70341
摘要： [PROBLEMS] To provide a chemical amplification type positive copolymer for semiconductor lithography which eliminates a drawback of the prior art, has a high development contrast, and has excellent resolution in fine-pattern formation; a composition for semiconductor lithography which contains the copolymer; and a process for producing the copolymer. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] The polymer for semiconductor lithography comprises repeating units (A) having a structure which has an alkali-soluble group protected by an acid-diassociable dissolution-inhibitive group, repeating units (B) having a lactone structure, and repeating units (C) having an alcoholic hydroxy group. It is characterized by having an acid value, as determined by dissolving the copolymer in a solvent and subjecting the solution to neutralization titration with a solution of an alkali metal hydroxide using Bromothymol Blue as an indicator, of 0.01 mmol/g or less.
摘要翻译：为了提供消除现有技术的缺点的半导体光刻的化学放大型正共聚物，具有高显影对比度，并且在精细图案形成中具有优异的分辨率; 含有共聚物的半导体光刻用组合物; 和共聚物的制造方法。 [解决问题的手段]半导体光刻用聚合物包含具有被酸可溶性溶解抑制基团保护的碱溶性基团的结构的重复单元（A），具有内酯结构的重复单元（B），重复具有醇羟基的单元（C）。其特征在于具有通过将共聚物溶解在溶剂中并使用溴甲ol蓝作为指示剂的碱金属氢氧化物溶液进行中和滴定测定的酸值为0.01mmol / g以下。

5. 发明公开

KR1020060051296A 반도체 레지스트용 공중합체에 있어서의 입자의 증가 방지방법 有权
标题翻译：防止在半导体电阻共聚物颗粒中增加的方法
公开(公告)号：KR1020060051296A
公开(公告)日：2006-05-19
申请号：KR1020050085794
申请日：2005-09-14
申请人： 마루젠 세끼유가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 야마기시다카노리 , 미즈노가즈히코
IPC分类号： G03F7/26
CPC分类号： C08F6/003 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/16
摘要： 극성기를 포함하는 반복 단위 및 지환 구조를 포함하는 반복 단위를 갖는 반도체 레지스트용 공중합체를 함유하고, 이온성 첨가제를 함유하지 않는 반도체 레지스트용 공중합체 용액을, 아미노기 및/또는 아미드 결합을 갖는 수지를 함유하는 필터에 통과시키는 것을 포함하는 반도체 레지스트용 공중합체에 있어서의 입자의 증가 방지 방법이다.
상기 방법으로 반도체 제조의 미세한 패턴 형성에 사용되는 레지스트막으로서 바람직하며 저장 중 입자의 형성이 근소하여 현상 결함이 실질적으로 없는 반도체 레지스트용 공중합체를 얻을 수 있는 반도체 레지스트용 공중합체를 수득할 수 있다.
반도체 레지스트

6. 发明授权

KR101446819B1 반도체 리소그래피용 중합체의 제조 방법 有权
标题翻译：用于生产半导体光刻胶的聚合物的方法
公开(公告)号：KR101446819B1
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：KR1020097012579
申请日：2007-12-20
申请人： 마루젠 세끼유가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 야마기시다카노리 , 가토이치로 , 야마구치사토시 , 오사키고우조 , 시바타야스오 , 마가라이사오 , 오모리히데키 , 이우치겐스케
IPC分类号： C08F2/01 , C08F220/28 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： C08F2/00 , C08F2/01 , C08F224/00 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041
摘要： 중합체의 제조 로트 간 차이를 매우 작게 할 수 있는 반도체 리소그래피용 중합체의 제조 방법을 제공한다.
중합성 단량체와 중합 개시제를 용매 중에서 가열하여 중합하는 공정 (P) 를 포함하는 반도체 리소그래피용 중합체의 제조 방법으로서, 공정 (P) 에 있어서 중합조로부터 대기로 통하는 사이에 설치된 액봉이 가능한 구조를 갖는 용기 (W0) 내의 액면 레벨을 조절함으로써, 공정 (P) 에 있어서의 중합 압력을 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 리소그래피용 중합체의 제조 방법.

7. 发明授权

KR101070764B1 반도체 리소그래피용 공중합체의 제조방법 有权
标题翻译：用于SEMICONDUCTOR LITHOGRAPHY的共聚物的生产工艺
公开(公告)号：KR101070764B1
公开(公告)日：2011-10-07
申请号：KR1020040085117
申请日：2004-10-23
申请人： 마루젠 세끼유가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 야마기시다카노리 , 카토이치로 , 야마구치사토시
IPC分类号： C08F220/06 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/094 , C08F6/12 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/091
摘要： 적어도하나의에틸렌성이중결합을갖는중합성모노머를중합용매의존재하에중합개시제와라디칼중합시켜서반도체리소그래피용공중합체를제조하는방법은, 필터매체에의해서액공급수단과교반수단을구비한제 1부분과액추출수단을구비한제 2부분으로나뉘어진밀폐가능한하나의용기내에서, 다음의침전단계(1) 및여과단계(2)에의해서, 라디칼중합에의해서얻어진중합반응혼합액을정제하는것을포함한다: (1) 중합반응혼합액을액공급수단으로부터빈용매가들어간용기의제 1부분에공급하고, 중합반응혼합액을빈용매와접촉시켜서고형물을침전시키는침전단계; 및 (2) 고형물이침전된액을여과용필터로여과하고, 액추출수단을통해서얻어진여과액을추출하고, 다음에침전된고형물을분리하는여과단계.

8. 发明公开

KR1020090107022A 반도체 리소그래피용 중합체의 제조 방법 有权
标题翻译：用于生产半导体光刻胶的聚合物的方法
公开(公告)号：KR1020090107022A
公开(公告)日：2009-10-12
申请号：KR1020097012579
申请日：2007-12-20
申请人： 마루젠 세끼유가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 야마기시다카노리 , 가토이치로 , 야마구치사토시 , 오사키고우조 , 시바타야스오 , 마가라이사오 , 오모리히데키 , 이우치겐스케
IPC分类号： C08F2/01 , C08F220/28 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： C08F2/00 , C08F2/01 , C08F224/00 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/038 , G03F7/091
摘要： A process for producing a polymer for semiconductor lithography. It is effective in extremely reducing differences among polymer production lots. The process for producing a polymer for semiconductor lithography comprises the step (P) of heating a polymerizable monomer and a polymerization initiator in a solvent to polymerize the monomer. It is characterized in that the polymerization pressure in the step (P) is regulated by regulating the liquid level in a container (W0) which is disposed in a line extending from the polymerization tank to the air and is capable of liquid enclosure.
摘要翻译：一种半导体光刻用聚合物的制造方法。在极大地减少聚合物生产批次之间的差异方面是有效的。用于制备半导体光刻用聚合物的方法包括在溶剂中加热可聚合单体和聚合引发剂以使单体聚合的步骤（P）。其特征在于，通过调节在从聚合槽延伸到空气中并且能够液体封闭的管线中的容器（W0）中的液面来调节步骤（P）中的聚合压力。

9. 发明公开

KR1020070112068A 포지티브 형 리소그래피용 공중합체, 상기 공중합체의제조에 사용되는 중합 개시제, 및 반도체 리소그래피용조성물 有权
标题翻译：用于正型型光刻胶的共聚物，用于制备共聚物的聚合引发剂和用于半导体层析的组合物
公开(公告)号：KR1020070112068A
公开(公告)日：2007-11-22
申请号：KR1020070048838
申请日：2007-05-18
申请人： 마루젠 세끼유가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 이이지마미노루 , 야마기시다카노리
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0397 , C08F220/28 , G03F7/0392 , G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/039
摘要： A copolymer for chemically amplified positive photolithography, a radical polymerization initiator, and a composition for semiconductor photolithography containing the copolymer are provided to improve photolithographic characteristics such as dissolution contrast. A copolymer for positive photolithography comprises at least one repeating unit represented by the formula A whose alkali-soluble group is protected with an acid-labile soluble-inhibiting group; and at least one terminal structure represented by the formula B whose alkali-soluble group is protected with an acid-labile soluble-inhibiting group, wherein R10 is a C1-C4 hydrocarbon capable of being substituted with F, or H; R11 is a C7-C12 crosslinked alicyclic hydrocarbon group crosslinked by a C1-C2 hydrocarbon group, O or S; n is 0 or 1; R12 is an acid-labile soluble-inhibiting group; R21 is a C3-C6 hydrocarbon group capable of containing N; and R22 is an acid-labile soluble-inhibiting group.
摘要翻译：提供了用于化学放大阳性光刻的共聚物，自由基聚合引发剂和含有共聚物的半导体光刻组合物，以改善光刻特性如溶出对比度。用于正光刻的共聚物包括至少一个由碱可溶性基团用酸不稳定可溶性抑制基团保护的式A表示的重复单元; 和由碱可溶性基团用酸不稳定的可溶性抑制基团保护的式B表示的至少一种末端结构，其中R 10是能够被F或H取代的C1-C4烃; R11是由C1-C2烃基O或S交联的C7-C12交联脂环族烃基; n为0或1; R12是酸不稳定的可溶性抑制基团; R21是能够含有N的C 3 -C 6烃基; R22是酸不稳定的可溶性抑制基团。

10. 发明公开

KR1020060107846A 레지스트용 중합체 용액 및 그 제조방법 有权
标题翻译：耐溶剂聚合物溶液及其制备方法
公开(公告)号：KR1020060107846A
公开(公告)日：2006-10-16
申请号：KR1020067013865
申请日：2004-12-10
申请人： 마루젠 세끼유가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 야마기시다카노리 , 바바히로미쯔
IPC分类号： G03F7/039 , C08F6/10 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0392 , G03F7/0048 , G03F7/16 , G03F7/004
摘要： A resist polymer solution comprising a resist polymer containing a repeating unit decomposed by the action of an acid so as to be soluble in alkali and a repeating unit having a polar group, the resist polymer dissolved in a solvent for coating film formation, wherein the amount of impurities whose boiling point is not higher than that of the solvent for coating film formation is 1 mass% or less based on the resist polymer. Further, there is provided a process for producing a resist polymer solution, comprising the step (1) of re-dissolving a solid matter containing a resist polymer in a solvent for coating film formation (a) and/or a solvent (b) whose boiling point at atmospheric pressure is not higher than that of the solvent (a); and the impurity removing step (2) of distilling off the solvent (b) and/or any excess amount of solvent (a) in vacuum from the re-dissolution solution obtained in the step (1).
摘要翻译：一种抗蚀剂聚合物溶液，其包含抗蚀剂聚合物，所述抗蚀剂聚合物含有通过酸的作用而分解以便可溶于碱的重复单元和具有极性基团的重复单元，所述抗蚀剂聚合物溶解在用于涂膜形成的溶剂中，的沸点不高于涂膜成膜用溶剂的杂质为1质量％以下。另外，提供了一种抗蚀剂聚合物溶液的制造方法，其包括将含有抗蚀剂聚合物的固体成分重新溶解在涂膜成膜用溶剂（a）和/或溶剂（b）中的工序（1）大气压下的沸点不高于溶剂（a）的沸点; 和从步骤（1）中得到的再溶解溶液中真空蒸出溶剂（b）和/或任何过量溶剂（a）的杂质去除步骤（2）。

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