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1. 发明授权

KR101521874B1 내흑변성이 우수한 도금층을 갖는 전기, 전자기기 부품 및 그 제조방법. 有权
标题翻译：具有耐硫化，耐热性和相同方法的涂料电子元件。
公开(公告)号：KR101521874B1
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：KR1020140067336
申请日：2014-06-03
申请人： (주) 인광 , 이이근
发明人： 이이근
IPC分类号： C25D5/14 , C25D3/64 , C25D7/00 , C23C2/04
CPC分类号： C25D5/10 , C23C18/1653 , C25D7/00 , H01L33/62 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 본발명은은도금층이시간이경과되거나온도상승으로, 황이포함된분위기에서그 표면이변색되어손상을받는일이없는도금된전기및 전자부품과이를제조하는방법을제공하는것을목적으로한다. 나아가서, 발광소자(LED)를실장한발광장치용의, 황화방지에대한내열성이우수하고, 와이어본딩성도우수하며, 초기광 반사율도우수하고, 광신뢰성도우수한도금구조를갖는반사면을구비하는발광소자탑재용지지체를제공하는것을목적으로한다. 또한, 이러한다층의은합금전해도금구조를갖고, 열이나황화에의해변색되기어렵고, 은본래의광택을갖고, 접촉저항이작은전기부품용도금방법을제공하고자한다. 이러한도금방법은도금용지지체의표면에니켈또는동 하지도금층을형성하고, 은도금층을형성하고, 또한상기은도금층 표면에두께 0.001∼10.0㎛의주석, 인듐, 아연, 망간, 니켈, 구리, 코발트, 카드늄, 팔라듐, 안티몬, 금및 백금중 2 이상의금속과은합금도금층을전해도금방법으로형성하여이루어지는전기, 전자기기부품에관한것이다.
摘要翻译：本发明的目的是提供：镀敷的电子和电子部件，其中镀银层的表面在随时间经过的硫气氛中或在温度升高时不变色和损坏; 另外，本发明的目的是提供一种用于安装其上安装有LED的发光器件的发光二极管（LED）的支撑件，其具有具有镀层结构的反射表面具有优异的耐硫化性，优异的焊接性，优异的初始光反射性和优异的光可靠性。此外，本发明的目的是提供一种具有多层镀层结构的电气部件的电镀方法，其难以通过加热或硫化而变色，并且具有固有的银光泽和低的接触电阻。电镀方法涉及通过在用于镀覆的支撑体的表面上形成镀镍或镀铜的下层而形成的镀银电子部件，形成银镀层，并且另外在条子表面上形成镀层，厚度为0.001〜1.0μm的合金镀层，含有锡，锡，铟，锌，锰，镍，铜，钴，镉，钯，锑中的一种以上的金属。

2. 发明公开

KR1020170121436A 내흑변성이 우수한 인듐합금 전해도금층을 갖는 전기, 전자기기 부품 및 그 제조방법 有权
标题翻译：具有优良等级修改的铟合金电极镀层的电子和电子器件组件
公开(公告)号：KR1020170121436A
公开(公告)日：2017-11-02
申请号：KR1020160049850
申请日：2016-04-25
申请人： (주) 인광 , 이이근
发明人： 이이근
IPC分类号： C25D3/56 , C25D3/12 , C25D3/38 , C25D3/48 , C25D3/46 , C23C28/02 , C25D5/34 , H01L33/00 , H01H1/02
CPC分类号： C25D3/56 , C23C28/021 , C23C28/023 , C25D3/12 , C25D3/38 , C25D3/46 , C25D3/48 , C25D5/34 , H01H1/02 , H01L33/00 , H01R13/02
摘要： 본발명은내흑변성이우수한인듐합금전해도금층을갖는전기, 전자기기부품및 그제조방법에관한것으로, 우수한내열성과내흑변성을갖는동시에접촉전기저항이낮고, 광반사도가높으며, 신뢰성이탁월한인듐합금을전해도금하여내흑변성이우수한인듐합금전해도금층을갖는전기, 전자기기부품및 그제조방법에관한것이다.
摘要翻译：本发明naeheuk变性低，优良的铟合金电镀，与电镀层的电子设备的部件和涉及制造具有优异的耐热性和naeheuk变性性，高光反射率的同时电接触的方法，可靠性优良的铟合金具有耐气候性优异的铟合金电解镀层的电气电子设备部件及其制造方法。

3. 发明公开

KR1020130050506A 폴리실리콘 정제용 ＣＶＤ장치의 금속 전극의 재생 방법 및 이 방법으로 재생된 금속 전극 有权
标题翻译：用于精制多晶硅和复原电极的CVD装置的电极重现方法
公开(公告)号：KR1020130050506A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：KR1020110115610
申请日：2011-11-08
申请人： (주) 인광
发明人： 이이근 , 이종인
IPC分类号： C23C16/44 , C25D7/06 , C25D5/34
摘要： PURPOSE: A method for recycling the metal electrode of a CVD(Chemical Vaporized Deposition) device for refining polysilicon and the metal electrode recycled by the same are provided to facilitate the recycling of the metal electrode damaged by high voltage and high current. CONSTITUTION: A method for recycling the metal electrode of a CVD device for refining polysilicon is as follows: a step for removing damaged portions from the metal electrode which supplies electricity to a reactor or a convertor of the CVD device(S10); a step for overlaying first metal on the removed portions of the metal electrode by electrolyzing the first metal(S20); a step for machining the overlaid portions of the metal electrode in a predetermined shape(S30); and a step for forming a second metal thin film on the metal electrode to complete the recycling of the metal electrode(S40). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S10) Step of removing a damaged portion of a metal electrode to expose a non-damaged portion; (S20) Step of overlaying first metal on the exposed non-damaged portion; (S30) Step of mechanically processing the overlaid portion; (S40) Step of forming a thin film of second metal on the surface of the mechanically processed portion
摘要翻译：目的：提供用于精炼多晶硅的CVD（化学气相沉积）装置的金属电极和由其再循环的金属电极的金属电极的再循环方法，以便于由高电压和高电流损坏的金属电极的再循环。构成：用于回收用于精制多晶硅的CVD装置的金属电极的方法如下：从向CVD装置的电抗器或转换器供电的金属电极去除损坏部分的步骤（S10）; 通过电解第一金属来覆盖金属电极的去除部分上的第一金属的步骤（S20）; 用于以预定形状加工金属电极的重叠部分的步骤（S30）; 以及在金属电极上形成第二金属薄膜以完成金属电极的再循环的步骤（S40）。（附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S10）去除金属电极的损坏部分以露出未损坏部分的步骤; （S20）将第一金属覆盖在暴露的未损坏部分上的步骤; （S30）机械处理重叠部分的步骤; （S40）在机械加工部的表面上形成第二金属薄膜的工序

4. 发明公开

KR1020150026774A 내흑변성이 우수한 도금층을 갖는 전기, 전자기기 부품 및 그 제조방법. 有权
标题翻译：具有耐硫化，耐热性和相同方法的涂料电子元件。
公开(公告)号：KR1020150026774A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：KR1020140067336
申请日：2014-06-03
申请人： (주) 인광 , 이이근
发明人： 이이근
IPC分类号： C25D5/14 , C25D3/64 , C25D7/00 , C23C2/04
CPC分类号： C25D5/10 , C23C18/1653 , C25D7/00 , H01L33/62 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 은도금 층이 시간이 경과되거나 온도상승으로, 황이 포함된 분위기에서 그 표면이 변색되어 손상을 받는 일이 없는 도금된 전기 및 전자부품과 이를 제조하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 나아가서, 발광소자(LED)를 실장한 발광장치용의, 황화 방지에 대한 내열성이 우수하고, 와이어 본딩성도 우수하며, 초기 광 반사율도 우수하고, 광 신뢰성도 우수한 도금구조를 갖는 반사면을 구비하는 발광소자 탑재용 지지체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 이러한 다층의 은합금 전해도금 구조를 갖고, 열이나 황화에 의해 변색되기 어렵고, 은 본래의 광택을 갖고, 접촉저항이 작은 전기부품용 도금 방법을 제공하고자 한다. 이러한 도금 방법은 도금용 지지체의 표면에 니켈 또는 동 하지 도금층을 형성하고, 은도금 층을 형성하고, 또한 상기 은도금 층 표면에 두께 0.001∼10.0㎛의 주석, 인듐, 아연, 망간, 니켈, 구리, 코발트, 카드늄, 팔라듐, 안티몬, 금 및 백금 중 2 이상의 금속과 은합금 도금층을 전해도금방법으로 형성하여 이루어지는 전기, 전자기기 부품에 관한 것이다.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种电镀电子部件，其中镀银层的表面在包含硫的气氛中由于经过时间或温度升高而不变色并损坏; 及其制造方法。此外，本发明的目的是提供一种用于安装发光装置的发光装置的支撑体，该发光装置安装发光装置（LED），该发光装置具有具有相对于硫化物具有优异耐热性的电镀结构的反射表面预防性，良好的引线键合性能，优异的初始光反射率和优异的光可靠性。此外，本发明的目的是提供一种具有多层银合金电镀结构的电气部件的电镀方法，难以通过加热或硫化而变色，具有原始的银光泽，并且具有小的接触电阻。本发明涉及通过电镀方法形成的电气和电子部件，所述电镀方法在用于镀覆的支撑体的表面上形成镀镍或铜的下层，形成镀银层，并且形成镀有两个或来自厚度范围为0.001-10.0μm的锡，铟，锌，锰，镍，铜，钴，镉，钯，锑，金和铂的金属以及通过电镀方法在镀银层上的银合金。

5. 发明授权

KR101797660B1 내흑변성이 우수한 인듐합금 전해도금층을 갖는 전기, 전자기기 부품 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101797660B1
公开(公告)日：2017-11-15
申请号：KR1020160049850
申请日：2016-04-25
申请人： (주) 인광 , 이이근
发明人： 이이근
IPC分类号： C25D3/56 , C25D3/12 , C25D3/38 , C25D3/48 , C25D3/46 , C23C28/02 , C25D5/34 , H01L33/00 , H01H1/02
摘要： 본발명은내흑변성이우수한인듐합금전해도금층을갖는전기, 전자기기부품및 그제조방법에관한것으로, 우수한내열성과내흑변성을갖는동시에접촉전기저항이낮고, 광반사도가높으며, 신뢰성이탁월한인듐합금을전해도금하여내흑변성이우수한인듐합금전해도금층을갖는전기, 전자기기부품및 그제조방법에관한것이다.

6. 发明授权

KR101300779B1 폴리실리콘 정제용 ＣＶＤ장치의 금속 전극의 재생 방법 및 이 방법으로 재생된 금속 전극 有权
标题翻译：用于精制多晶硅和复原电极的CVD装置的电极重现方法
公开(公告)号：KR101300779B1
公开(公告)日：2013-08-29
申请号：KR1020110115610
申请日：2011-11-08
申请人： (주) 인광
发明人： 이이근 , 이종인
IPC分类号： C23C16/44 , C25D7/06 , C25D5/34
摘要： 본 발명은 가스정제법을 이용하여 금속규소를 폴리실리콘으로 정제하는 CVD 장치에 설치되는 금속 전극이 손상되었을 때 이를 재생하는 폴리실리콘 정제용 CVD 장치의 금속 전극 재생 방법 및 이 방법을 이용하여 재생된 폴리실리콘 정제용 CVD 장치의 금속 전극에 관한 것으로, 폴리실리콘 정제를 위한 리액터 또는 컨버터에 전력을 공급하여 금속 전극의 손상부를 제거하는 단계와, 상기 노출된 비손상부위에 제1 금속을 전기도금 하여 제거된 부위를 상기 제1 금속으로 육성시키는 단계와, 상기 제1 금속으로 육성된 부위를 설정된 형상으로 기계적 가공하는 단계와, 상기 기계적 가공 후, 금속 전극의 표면에 제2 금속 박막을 형성하여 금속 전극 재생을 완료하는 단계를 포함하는 폴리실리콘 정제용 CVD 장치의 금속 전극의 재생 방법 및 이 방법으로 재생된 폴리실리콘 정제용 금속 전극을 제공한다.

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