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1. 发明公开

KR1020110125868A 3족 질화물 반도체 발광소자 无效
标题翻译： III-NITRIDE半导体发光器件
公开(公告)号：KR1020110125868A
公开(公告)日：2011-11-22
申请号：KR1020100045486
申请日：2010-05-14
申请人： 주식회사 에피밸리
发明人： 이태희 , 김창태 , 김현석 , 안현수
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/20 , H01L33/32
摘要： PURPOSE: A group III nitride semiconductor light emitting diode is provided to improve optical extraction efficiency and reliability by improving uniformity of current diffusion. CONSTITUTION: A first nitride semiconductor layer(330) having first conductivity is formed on the top of a substrate. A second nitride semiconductor layer(350) having 2 conductivity is formed on the first nitride semiconductor layer. An active layer is formed between the first nitride semiconductor layer and the second nitride semiconductor layer and create light by re-bonding an electron and a hole. A first pad electrode(380) is formed on the first nitride semiconductor layer which is exposed. A second pad electrode(370) is formed on the second nitride semiconductor layer. A branch electrode is electrically connected to the second pad electrode and is formed on the second nitride semiconductor layer.
摘要翻译：目的：提供III族氮化物半导体发光二极管，通过提高电流扩散的均匀性来提高光学提取效率和可靠性。构成：在基板的顶部形成具有第一导电性的第一氮化物半导体层（330）。在第一氮化物半导体层上形成具有2个导电性的第二氮化物半导体层（350）。在第一氮化物半导体层和第二氮化物半导体层之间形成有源层，并通过重新键合电子和空穴来产生光。在暴露的第一氮化物半导体层上形成第一焊盘电极（380）。第二焊盘电极（370）形成在第二氮化物半导体层上。分支电极电连接到第二焊盘电极并形成在第二氮化物半导体层上。

2. 发明授权

KR101060289B1 반도체 기판의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101060289B1
公开(公告)日：2011-08-29
申请号：KR1020087006102
申请日：2006-08-24
申请人： 가부시키가이샤 토호쿠 테크노 아치 , 후루카와 기카이 긴조쿠 가부시키가이샤 , 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 , 도와 홀딩스 가부시키가이샤 , (주)웨이브스퀘어 , 주식회사 에피밸리
发明人： 야오다카후미 , 조명환
IPC分类号： H01L21/20 , C30B29/38
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L21/0237 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02491 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02664 , H01L33/0079 , H01S5/32341
摘要： 본 발명의 제1 측면에 관한 반도체 기판의 제조 방법은 하지 기판을 준비하는 준비 공정과, 상기 하지 기판 위에 박리층 및 반도체층을 포함하는 다중층을 적어도 2개 적층 하는 적층 공정과, 상기 반도체층을 분리하는 분리 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.

3. 发明公开

KR1020110077363A 3족 질화물 반도체 발광소자 无效
标题翻译： III-NITRIDE半导体发光器件
公开(公告)号：KR1020110077363A
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：KR1020090133917
申请日：2009-12-30
申请人： 주식회사 에피밸리
发明人： 서재원 , 정영록 , 김창태
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L33/42 , H01L33/38 , H01L33/32
摘要： PURPOSE: A III group nitride semiconductor light emitting device is provided to improve light extraction efficiency. CONSTITUTION: A first semiconductor layer(12) has a first conductivity. A second semiconductor layer(14) has a second conductivity. A plurality of semiconductor layers are located between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer and include an active layer which generates light by the recombination of an electron and a hole. A first insulator(15) is contacted with a part of the second semiconductor layer. A first electrode(17) is formed on the upper side of the first insulator. A light transmitting electrode(16) covers a part of the first insulator between the first insulator and the first electrode and is electrically connected to the second semiconductor layer.
摘要翻译：目的：提供III族氮化物半导体发光器件，以提高光提取效率。构成：第一半导体层（12）具有第一导电性。第二半导体层（14）具有第二导电性。多个半导体层位于第一半导体层和第二半导体层之间，并且包括通过电子和空穴的复合产生光的有源层。第一绝缘体（15）与第二半导体层的一部分接触。第一电极（17）形成在第一绝缘体的上侧。透光电极（16）覆盖第一绝缘体和第一电极之间的第一绝缘体的一部分，并与第二半导体层电连接。

4. 发明授权

KR101034764B1 3족 질화물 반도체 발광소자를 제조하는 방법 失效
标题翻译：形成α-NITRIDE半导体发光器件的方法
公开(公告)号：KR101034764B1
公开(公告)日：2011-05-16
申请号：KR1020090064703
申请日：2009-07-16
申请人： 주식회사 에피밸리
发明人： 이창명
IPC分类号： H01L33/12 , H01L33/02 , H01L21/20
摘要： 본 개시는 3족 질화물 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서, 기판 상에 제1 온도로 제1 버퍼층을 성장시킨 후, 제1 버퍼층 상에 제1 온도보다 낮은 제2 온도로 제2 버퍼층을 성장시키는 제1 단계; 그리고 제1 온도 및 제2 온도보다 높은 제3 온도에서 적어도 Ga와 N을 포함하는 3족 질화물 반도체층을 성장시키는 제2 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 관한 것이다.
반도체, 발광소자, GaN, 기판, 암모니아, 질화물, 결정, 버퍼층.

5. 发明公开

KR1020110019161A 3족 질화물 반도체 발광소자를 제조하는 방법 无效
标题翻译：形成III型氮化物半导体发光器件的方法
公开(公告)号：KR1020110019161A
公开(公告)日：2011-02-25
申请号：KR1020090076765
申请日：2009-08-19
申请人： 주식회사 에피밸리
发明人： 장문식 , 김서군 , 김창태
IPC分类号： H01L33/14
CPC分类号： H01L33/325 , H01L21/02389 , H01L21/02439 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01L33/025
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a group III nitride semiconductor light emitting diode is provided to improve doping efficiency and output power through several GaN and MgN processes on one p type layer. CONSTITUTION: A plurality of nitride semiconductor layers include an active layer(40) and at least one p type layer(51). An active layer generates light through the recombination of holes and electrons. A p type layer supplies the holes. An active layer is formed. At least one p type layer is formed on the active layer. GaN and MgN are processed several times.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造III族氮化物半导体发光二极管的方法，以通过在一个p型层上的几个GaN和MgN工艺来提高掺杂效率和输出功率。构成：多个氮化物半导体层包括有源层（40）和至少一个p型层（51）。有源层通过空穴和电子的重组产生光。 p型层供应孔。形成有源层。在活性层上形成至少一个p型层。将GaN和MgN加工数次。

6. 发明公开

KR1020110017415A 3족 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법 无效
标题翻译： III-NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT ENITTING DEVICE制造方法
公开(公告)号：KR1020110017415A
公开(公告)日：2011-02-21
申请号：KR1020110010470
申请日：2011-02-07
申请人： 주식회사 에피밸리
发明人： 김창태 , 전의규 , 김현석
IPC分类号： H01L33/22
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/007 , H01L33/32
摘要： PURPOSE: The manufacturing method of the group III nitride semiconductor light emitting diode at the same time forms the metal oxide layer which is necessary for the Surface lattice formation in the transparent electrode layer formation. CONSTITUTION: The nitride semiconductor layer(32) having the first conductivity comprises the domain for the cut of the emitting device. A plurality of nitride semiconductor layers(33) is allowed in between the nitride semiconductor layer(34) having nitride semiconductor layer and second conductivity having first conductivity.
摘要翻译：目的：同时，III族氮化物半导体发光二极管的制造方法形成了透明电极层形成中的表面晶格形成所需的金属氧化物层。构成：具有第一导电性的氮化物半导体层（32）包括用于切割发光器件的区域。在具有氮化物半导体层的氮化物半导体层（34）和具有第一导电性的第二导电性之间允许多个氮化物半导体层（33）。

7. 发明公开

KR1020110007293A 3족 질화물 반도체 발광소자를 제조하는 방법 无效
标题翻译：形成III型氮化物半导体发光器件的方法
公开(公告)号：KR1020110007293A
公开(公告)日：2011-01-24
申请号：KR1020090064743
申请日：2009-07-16
申请人： 주식회사 에피밸리
发明人： 이창명
IPC分类号： H01L33/12 , H01L33/10
摘要： PURPOSE: A method is provided to improve optical efficiency and to implement a high brightness lighting emitting device. CONSTITUTION: A first group III nitride semiconductor layer is injected on a substrate(10) at the low temperature. A MgN processing process is executed as a mask processing process. The growth of an n-type group III nitride semiconductor layer in a left side uses a sapphire substrate. A second group III nitride semiconductor is deposited on a region where the first group III nitride semiconductor is formed.
摘要翻译：目的：提供一种提高光学效率和实现高亮度发光装置的方法。构成：在低温下将第一III族氮化物半导体层注入基片（10）上。执行MgN处理处理作为掩模处理处理。左侧的n型III族氮化物半导体层的生长使用蓝宝石衬底。在形成第一III族氮化物半导体的区域上沉积第二III族氮化物半导体。

8. 发明授权

KR101004713B1 디스플레이의 디밍 제어방법 失效
标题翻译：用于调制显示器的控制方法
公开(公告)号：KR101004713B1
公开(公告)日：2011-01-04
申请号：KR1020090034854
申请日：2009-04-22
申请人： 주식회사 에피밸리
发明人： 김동설 , 김창태
IPC分类号： G09G3/32 , G02F1/133 , H05B37/02
CPC分类号： H05B33/0845 , G02F2001/133614 , G09G3/3406 , G09G3/3413 , G09G2320/0242 , G09G2320/064 , H05B33/086
摘要： 본 개시는 디스플레이의 디밍 제어방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전자와 정공의 재결합을 통해 제1 광을 생성하는 활성층을 포함하는 제1 발광체; 그리고, 제1 광에 의해 여기되어 제1 광보다 낮은 파장의 제2 광을 발하는 제2 발광체;를 포함하는 발광소자를 구비하는 디스플레이의 디밍 제어방법에 있어서, 디밍 요청에 따라 발광소자에 공급될 전원을 조절하는 단계; 그리고, 조절되는 전원에 따라 디스플레이의 밝기를 조절하는 단계;로서, 전원 조절에 따라 색좌표가 제1 방향으로 이동하는 특성을 지닌 제1 형광물질과, 색좌표가 제1 방향과 반대인 제2 방향으로 이동하는 특성을 지닌 제2 형광물질을 포함하는 제2 발광체를 이용하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이의 디밍 제어방법에 관한 것이다.
디스플레이, 디밍, 발광소자, LED, 형광체, 쉬프트, 색좌표

9. 发明授权

KR100997908B1 3족 질화물 반도체 발광소자 有权
标题翻译： III族氮化物半导体发光器件
公开(公告)号：KR100997908B1
公开(公告)日：2010-12-02
申请号：KR1020080089120
申请日：2008-09-10
申请人： 주식회사 에피밸리 , 박은현
发明人： 박은현 , 전수근 , 임재구
IPC分类号： H01L33/06 , H01L33/14
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/02 , H01L33/06
摘要： 본 개시는 n형 질화물 반도체층; p형 도펀트로 도핑된 p형 질화물 반도체층; n형 질화물 반도체층과 p형 질화물 반도체층 사이에 위치하며, 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하도록 양자 우물층을 구비하는 활성층; 그리고, 양자 우물층과 p형 질화물 반도체층 사이에서 양자에 접촉하도록 위치하며, p형 질화물 반도체층과의 계면이 매끄럽게 되도록 그 표면을 형성하여, p형 도펀트의 양자 우물층으로의 확산을 방지하는 확산 방지막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다.
질화물, 반도체, 발광소자, 활성층, 양자, 우물층, 장벽층, 마그네슘
摘要翻译：本公开涉及n型氮化物半导体层; 掺杂有p型掺杂剂的p型氮化物半导体层; 设置在n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层之间并具有用于通过电子和空穴的复合产生光的量子阱层的有源层; 并且，位于所述量子阱层和p型氮化物半导体层之间，以便与两个相接触的p型氮化物半导体层表面的，通过形成在其表面上，以防止p型掺杂剂的量子阱层的扩散来平滑并且在衬底上形成扩散防止层。

10. 发明授权

KR100996451B1 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법 失效
标题翻译：半导体发光装置及其制造方法
公开(公告)号：KR100996451B1
公开(公告)日：2010-11-25
申请号：KR1020070084776
申请日：2007-08-23
申请人： 주식회사 에피밸리
发明人： 김창태 , 이태희 , 정현민 , 남기연
IPC分类号： H01L33/22
摘要： 본 발명은 돌기가 형성된 기판; 기판 위에 형성되며, 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 구비하는 복수개의 반도체층; 복수개의 반도체층의 측면에서 복수개의 반도체층의 적층 방향을 따라 형성되며, 활성층에서 생성된 빛을 스캐터링하는 요철;로서, 요부가 돌기 위의 복수개의 반도체층이 제거되어 형성되는 요철;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.
반도체, 발광소자, 질화물, 활성층, 외부양자효율, 식각, 스크라이빙

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