专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR101503618B1 III족 질화물 반도체 소자 제조용 기판의 제조 방법, III족 질화물 반도체 자립 기판 또는 III족 질화물 반도체 소자의 제조 방법, 및 III족 질화물 성장용 기판 有权
标题翻译：用于生产III族氮化物半导体元件制造基板的方法，用于生产III族氮化物半导体自由基底层或III族氮化物半导体元件的方法，以及III族氮化物生长基板
公开(公告)号：KR101503618B1
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：KR1020137008856
申请日：2011-09-30
申请人： 도와 일렉트로닉스 가부시키가이샤 , 도와 홀딩스 가부시키가이샤
发明人： 토바,류이치 , 미야시타,마사히토 , 야오,타카후미 , 후지이,카츠시
IPC分类号： C30B29/38 , C30B25/18 , C23C14/14 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/0079 , C23C14/165 , C23C14/586 , C23C16/0272 , C23C16/303 , H01L21/02439 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01L33/22
摘要： MOCVD 성장로 내로 크롬층을 질화하는 경우에, 형성된 크롬 질화물층면에 있어서의 삼각뿔 형상의 질화크롬 미결정이 차지하는 면적비율을 향상시키는 것에 의해서, 그 후 크롬 질화물층 상에 성장되는 결정층의 결정성이나 균일성을 향상시킬 수 있는 III족 질화물 반도체 소자 제조용 기판의 제조 방법을 제공한다. 성장용 하지 기판 상에, 크롬층을 형성하는 성막 공정과 상기 크롬층을, 소정의 조건에서 질화함으로써 크롬 질화물층으로 하는 질화 공정과 상기 크롬 질화물층 상에, 적어도 1층의 III족 질화물 반도체층을 에피택셜 성장시키는 결정층 성장 공정을 구비하는 III족 질화물 반도체 소자 제조용 기판의 제조 방법이며, 상기 크롬층은, 스퍼터링법에 의해, 스퍼터링 입자 비정 영역에 있어서의 성막 속도가 7~65Å/초의 범위에서, 두께가 50~300Å의 범위가 되도록 성막되어 상기 크롬 질화물층은, 로 내 압력 6.666 kPa 이상 66.66 kPa 이하의, 온도 1000℃ 이상의 MOCVD 성장로 내에 있어서, 암모니아 가스를 포함한 가스 분위기 중에서 형성되어 상기 가스 분위기 중의 암모니아 가스 이외의 가스 성분은, 질소 가스 및 수소 가스로 이루어진 캐리어 가스로 해, 상기 캐리어 가스에 차지하는 질소 가스의 함유 비율은 60~100 체적%의 범위인 것을 특징으로 한다.

2. 发明公开

KR1020130113452A III족 질화물 반도체 소자 제조용 기판의 제조 방법, III족 질화물 반도체 자립 기판 또는 III족 질화물 반도체 소자의 제조 방법, 및 III족 질화물 성장용 기판 有权
标题翻译：用于生产III族氮化物半导体元件制造基板的方法，用于生产III族氮化物半导体自由基底层或III族氮化物半导体元件的方法，以及III族氮化物生长基板
公开(公告)号：KR1020130113452A
公开(公告)日：2013-10-15
申请号：KR1020137008856
申请日：2011-09-30
申请人： 도와 일렉트로닉스 가부시키가이샤 , 도와 홀딩스 가부시키가이샤
发明人： 토바,류이치 , 미야시타,마사히토 , 야오,타카후미 , 후지이,카츠시
IPC分类号： C30B29/38 , C30B25/18 , C23C14/14 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/0079 , C23C14/165 , C23C14/586 , C23C16/0272 , C23C16/303 , H01L21/02439 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01L33/22
摘要： Provided is a method for producing a substrate for group III nitride semiconductor element fabrication with an improved area ratio of chromium nitride microcrystals with a triangular pyramid shape in a chromium nitride layer surface. That is, there is provided a method for producing a substrate for group III nitride semiconductor element fabrication comprising a depositing step of forming a chromium layer on a base substrate for growth, a nitriding step of nitriding the chromium layer under prescribed conditions to form a chromium nitride layer, and a crystalline layer growth step of epitaxially growing at least one layer of a group III nitride semiconductor layer on the chromium nitride layer, characterized in that the chromium layer is deposited by a sputtering method such that the deposition rate is in the range of 7 to 65 Å/sec in the sputtering particle range and the thickness is in the range of 50 to 300 Å, the chromium nitride layer is formed in a MOCVD growth furnace with a furnace pressure of 6.666-66.66 kPa and a temperature of 1,000°C or more in a gas atmosphere containing ammonia gas, the gas component other than the ammonia gas in the gas atmosphere is a carrier gas comprising a nitrogen gas and a hydrogen gas, and the content ratio of the nitrogen gas in the carrier gas is in the range of 60 to 100 volume%.

3. 发明授权

KR101096498B1 백금족 원소의 회수법 有权
标题翻译：铂族元素回收方法
公开(公告)号：KR101096498B1
公开(公告)日：2011-12-20
申请号：KR1020057015402
申请日：2004-03-11
申请人： 도와 홀딩스 가부시키가이샤 , 다나까 홀딩스 가부시끼가이샤 , 고사카세이렌가부시키가이샤 , 가부시키가이샤닛뽄피지에무
发明人： 야마다고지 , 다야마겐이치 , 에자와노부야스 , 이노우에히로시 , 오기노마사히코 , 다카다테가즈마
IPC分类号： C22B11/02 , B01J38/00 , C01G55/00 , C22B5/10
CPC分类号： C22B5/10 , C22B4/00 , C22B11/023 , C22B11/026 , C22B15/0054 , C22B15/0058 , Y02P10/214 , Y02P10/22
摘要： 본원은 노내 투입 재료를 통전 가열하기 위한 전극과 노내 투입물을 외기 분위기와 실질적으로 차단하기 위한 뚜껑체를 구비한 밀폐형 전기로에 백금족 원소 동반의 산화물계 원료, 산화구리, 고형의 탄소질 환원재 및 플럭스를 투입하고, 이들 노내 투입물을 당해 전극에 의해 통전 가열하여 용융 및 환원처리하여 용융 슬래그층의 아래쪽으로 용융 금속 층을 형성시켜 이러한 용융 금속 중에 백금족 원소를 농축시킴을 포함하는 백금족 원소의 회수법에 관한 것이다. 이때에 산화물계 원료, 산화구리, 고형의 탄소질 환원재 및 플럭스는 모두 분립상물의 형태로 준비되고, 이들 분립상물이 미리 혼합된 후에 당해 전기로에 투입된다. 또한, 노내 투입물의 가열 용융후에 1200 내지 1500℃의 온도에서 5시간 이상 유지하는 정치공정을 수행한 후에 백금족 원소 함유의 용융 금속이 노 외부로 배출된다.
전극, 전기로, 백금족 원소, 산화물계 원료, 탄소질 환원재, 플럭스, 슬래그, 분립상물, 용융 금속.

4. 发明授权

KR100976268B1 ＧａＮ 단결정 성장방법, ＧａＮ 기판 제작방법, ＧａＮ계소자 제조방법 및 ＧａＮ계 소자 有权
标题翻译： GaN单晶的生长方法，GaN衬底的制备方法，GaN系元素的制造方法以及GaN系元素
公开(公告)号：KR100976268B1
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：KR1020077025453
申请日：2006-03-31
申请人： 가부시키가이샤 토호쿠 테크노 아치 , 후루카와 기카이 긴조쿠 가부시키가이샤 , 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 , 도와 홀딩스 가부시키가이샤 , (주)웨이브스퀘어 , 주식회사 에피밸리
发明人： 야오다카후미 , 조명환
IPC分类号： H01L21/20 , H01L33/12
CPC分类号： C30B29/406 , C30B25/02 , C30B25/183 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02614 , H01L29/2003 , H01L33/007 , H01L33/12
摘要： 기판 상에 성장한 금속 버퍼층을 사용하여 GaN계 박막(후막)을 성장한다.
(a) 사파이어 기판(120) 상에 Cr, Cu 등의 금속 버퍼층(210)을 증착 형성한다. (b) 사파이어 기판(120) 상에 금속 버퍼층(210)을 증착한 기판을 암모니아 가스 분위기에서 질화처리를 행하여, 금속 질화물층(212)을 형성한다. (c) 질화처리한 금속 버퍼층(210, 212) 상에 GaN 버퍼층(222)을 성장한다. (d) 최종적으로 GaN 단결정층(220)을 성장한다. 이러한 GaN 단결정층(220)은, 목적에 따라 다양한 두께로 성장할 수 있다. 상술한 공정에 의해 제작한 기판은, 선택적 화학 에칭에 의해 프리 스탠딩 기판을 제작할 수 있고, GaN계 발광 다이오드나 레이저 다이오드 제작을 위한 GaN 템플릿 기판으로서 사용할 수 있다.
GaN 단결정, GaN 기판, 금속 버퍼층, 질화, 성장

5. 发明公开

KR1020080043833A 반도체 기판의 제조 방법 有权
标题翻译：生产半导体基板的工艺
公开(公告)号：KR1020080043833A
公开(公告)日：2008-05-19
申请号：KR1020087006102
申请日：2006-08-24
申请人： 가부시키가이샤 토호쿠 테크노 아치 , 후루카와 기카이 긴조쿠 가부시키가이샤 , 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 , 도와 홀딩스 가부시키가이샤 , (주)웨이브스퀘어 , 주식회사 에피밸리
发明人： 야오다카후미 , 조명환
IPC分类号： H01L21/20 , C30B29/38
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L21/0237 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02491 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02664 , H01L33/0079 , H01S5/32341
摘要： According to a first aspect of the invention, there is provided a process for producing a semiconductor substrate, characterized by including the provision step of providing a ground substrate, the lamination step of on the ground substrate superimposing at least two multilayers including a peeling layer and a semiconductor layer and the detachment step of detaching the semiconductor layer.
摘要翻译：根据本发明的第一方面，提供一种制造半导体衬底的方法，其特征在于包括提供接地衬底的提供步骤，在所述接地衬底上的叠层步骤叠加至少两层包括剥离层和半导体层和分离半导体层的分离步骤。

6. 发明公开

KR1020070096119A ＰＭ 연소 촉매 및 필터 有权
标题翻译：颗粒物氧化催化剂和过滤器
公开(公告)号：KR1020070096119A
公开(公告)日：2007-10-02
申请号：KR1020057023875
申请日：2005-07-25
申请人： 도와 홀딩스 가부시키가이샤
发明人： 스다히사시 , 야노다쿠야
IPC分类号： B01J23/34 , B01D53/94 , B01J23/78 , F01N3/10
CPC分类号： B01D53/944 , B01D2279/30 , B01J23/002 , B01J23/34 , B01J23/83 , B01J35/002 , B01J2523/00 , F01N3/10 , B01J2523/24 , B01J2523/3706 , B01J2523/72 , B01J2523/842
摘要： A catalyst suitable for use in particulate filters (DPF) capable of trapping particulate matter (PM) contained in diesel engine exhaust gas, in particular, a combustion catalyst for particulate matter contained in diesel engine exhaust gas which comprises a perovskite composite oxide having an NO adsorption region in the range of 200 to 450°C. This combustion catalyst enables low-temperature combustion of PM, and due to use of no precious metal, is inexpensive, and due to no evaporation of constituent materials at exhaust gas temperature, excels in durability. The above perovskite composite oxide has the structural formula RTO 3, substantially not containing Na, wherein R is at least one member selected from the group consisting of La, Sr, Ba, Ca and Li while T is at least one member selected from the group consisting of Mn, Fe, Co, Cu, Zn, Ga, Zr, Mo, Mg, Al and Si.
摘要翻译：适用于能够捕集柴油发动机废气中所含的颗粒物质（PM）的微粒过滤器（DPF）的催化剂，特别是包含在柴油机废气中的颗粒物质的燃烧催化剂，其包含具有NO的钙钛矿复合氧化物吸附区域在200〜450℃的范围内。该燃烧催化剂使得PM的低温燃烧，并且由于不使用贵金属，因此便宜，并且由于废气温度下的构成材料没有蒸发，耐久性优异。上述钙钛矿复合氧化物具有结构式RTO 3，基本上不含有Na，其中R是选自La，Sr，Ba，Ca和Li中的至少一种，而T是选自以下的至少一种：由Mn，Fe，Co，Cu，Zn，Ga，Zr，Mo，Mg，Al和Si组成。

7. 发明授权

KR100729192B1 아연정광의 침출법 및 침출장치 失效
标题翻译：浸出锌浓度的方法和装置
公开(公告)号：KR100729192B1
公开(公告)日：2007-06-19
申请号：KR1020020012415
申请日：2002-03-08
申请人： 도와 홀딩스 가부시키가이샤
发明人： 간노마나부 , 와따나베요시유끼 , 사루따가오루 , 나루미아끼라
IPC分类号： C22B3/04
CPC分类号： C22B3/08 , C22B19/22 , Y02P10/234
摘要： 하나의 방법으로, 볼밀과 같은 분쇄기를 이용하여 정광입자 표면으로부터 단체 황과 다른 부산물이 박리될 때, 아연정광이 침출된다. 공급배관을 통해 흐르는 침출후 용액에 산소를 주입시킴으로서 침출에 소모된 3가 철이온은 재생된다. 이러한 방법은 실질적으로 침출시간을 단축시킬 수 있다.
또 다른 방법으로, 유리황산 및 2가 철이온을 함유한 용액과 아연정광이 가압분위기의 오토클레이브에 장입되고, 내부온도는 90℃ 에서 120℃ 사이로 설정되는데, 이로써 아연정광의 가압침출이 동시에 행해지지만 3가 철이온이 2 - 60 g/L 의 농도가 되도록 용액중의 2가 철이온이 산화된다. 이러한 일공정 산화 침출과정을 통해, 생성된 슬러리는 부산물인 단체 황이 침출된 아연정광의 입자표면에서 박리되는 마광/침출 공정이 가해지고, 그 후 마광/침출 공정으로부터 생성된 슬러리는 또다른 가압침출공정이 가해진다.
아연정광, 2가 철이온, 3가 철이온, 가압침출, 마광/침출공정, 분쇄기, 철함유 산성용액

8. 发明公开

KR1020060088058A 전기전도성 페이스트용 금속 분말 및 전기전도성 페이스트 有权
标题翻译：用于电导电和电导电材料的金属粉末
公开(公告)号：KR1020060088058A
公开(公告)日：2006-08-03
申请号：KR1020060009130
申请日：2006-01-27
申请人： 도와 홀딩스 가부시키가이샤
发明人： 야마시나히로유키 , 후지타히데후미 , 이바라키다츠야
IPC分类号： B22F1/00
CPC分类号： B22F1/0007 , B22F1/0055 , B22F2998/00 , F28F13/00 , F28F2013/006 , H05K1/092 , B22F1/0011
摘要： 본원 발명은, 평균 입자 직경 D50이 5㎛ 이하이고 수학식 1의 X값이 0.5 이하인 전기전도성 페이스트용 금속 분말에 관한 것이다.
수학식 1
X값= D50(㎛)/BET 비표면적(m
2 /g)
전도성 페이스트용 금속 분말 입자 표면에 150nm 직경 이하의 사마귀형 돌기가 존재하는 경우, 당해 전도성 페이스트용 금속 분말이 특히 바람직하다. 금속 분말의 전형적인 형태는 Cu, Ag, Au, Pd, Pt, Ni, Al 및 이들의 합금을 포함한다. 전도성 페이스트의 금속 분말로 인해, 당해 페이스트가 소성된 후, 공극비가 낮은 도체가 제조될 수 있다.
전도성 페이스트, 금속 분말, 전도체, 공극비, 사마귀형 돌기.

9. 发明授权

KR100605535B1 수소흡장합금 및 그 합금을 이용한 수소의 흡방출방법 및그 흡방출방법을 이용한 수소연료전지 有权
标题翻译：用于氢存储的合金，使用该合金吸收和释放氢的方法，以及使用该方法的氢燃料电池
公开(公告)号：KR100605535B1
公开(公告)日：2006-07-28
申请号：KR1020017012415
申请日：1999-11-24
申请人： 가부시키가이샤 토호쿠 테크노 아치 , 오카다 마스오 , 도와 홀딩스 가부시키가이샤
发明人： 오카다마스오 , 쿠리와다카히로
IPC分类号： C22C27/02
摘要： 수소 흡장량과 수소 압력의 관계에서 2단 플래이토 특성 혹은 경사 플래이토 특성을 나타내는 체심입방구조상을 주상으로 하는 수소흡장합금으로, 수소 방출 과정의 적어도 한 시기에 해당 합금온도(T2)를 수소흡장과정의 합금온도(T1)보다 높은 온도로 하는 것에 의해(T2>T1), 상기 2단 플래이토에서 저압 플래이토 영역 혹은 경사 플래이토의 하부 플래이토 영역의 흡장 수소의 적어도 일부를 방출가능하도록 합금을 구성하는 금속의 조성비율을 저압 플래이토 영역 혹은 경사 플래이토의 하부 플래이토 영역의 합금 중의 흡장 수소의 안정성을 저감화하도록 적정화하는 것으로 구성되는 수소 흡장 및 방출방법.
수소, 합금

10. 发明公开

KR1020050051560A 질화철 자성 분말 및 이의 제조방법 无效
标题翻译：铁氮化物粉末和生产粉末的方法
公开(公告)号：KR1020050051560A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：KR1020040097336
申请日：2004-11-25
申请人： 도와 홀딩스 가부시키가이샤
发明人： 마사다겐지 , 아미노다카후미 , 나가토미아키라
IPC分类号： H01F1/01 , C22C29/16
CPC分类号： C01B21/0622 , B82Y30/00 , C01P2004/64 , C01P2006/37 , C01P2006/42 , G11B5/70626 , H01F1/065 , Y10T428/12181 , Y10T428/2982 , Y10T428/2991 , Y10T428/2993 , Y10T428/2995
摘要： 주로 Fe
16 N
2 상으로 이루어진 질화절 자성 분말은 보자력(Hc)이 200KA/m 이상이고 분말 보자력 분포(BSFD)가 2 이하임을 특징으로 한다. 자성 분말은 주로 Fe
16 N
2 상으로 이루어진 질화 입자를 제조하기 위한 Fe 입자와 질소 함유 가스와의 질화 반응을 0.1MPa 이상의 가압하에서 진행시킴으로써 제조할 수 있다. 질화철 자성 분말의 향상된 특성으로 인해 당해 질화철 자성 분말은 고밀도 자기 기록 매체용 자성 물질로서 적합하다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式