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1. 发明授权

KR101004713B1 디스플레이의 디밍 제어방법 失效
标题翻译：用于调制显示器的控制方法
公开(公告)号：KR101004713B1
公开(公告)日：2011-01-04
申请号：KR1020090034854
申请日：2009-04-22
申请人： 주식회사 에피밸리
发明人： 김동설 , 김창태
IPC分类号： G09G3/32 , G02F1/133 , H05B37/02
CPC分类号： H05B33/0845 , G02F2001/133614 , G09G3/3406 , G09G3/3413 , G09G2320/0242 , G09G2320/064 , H05B33/086
摘要： 본 개시는 디스플레이의 디밍 제어방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전자와 정공의 재결합을 통해 제1 광을 생성하는 활성층을 포함하는 제1 발광체; 그리고, 제1 광에 의해 여기되어 제1 광보다 낮은 파장의 제2 광을 발하는 제2 발광체;를 포함하는 발광소자를 구비하는 디스플레이의 디밍 제어방법에 있어서, 디밍 요청에 따라 발광소자에 공급될 전원을 조절하는 단계; 그리고, 조절되는 전원에 따라 디스플레이의 밝기를 조절하는 단계;로서, 전원 조절에 따라 색좌표가 제1 방향으로 이동하는 특성을 지닌 제1 형광물질과, 색좌표가 제1 방향과 반대인 제2 방향으로 이동하는 특성을 지닌 제2 형광물질을 포함하는 제2 발광체를 이용하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이의 디밍 제어방법에 관한 것이다.
디스플레이, 디밍, 발광소자, LED, 형광체, 쉬프트, 색좌표

2. 发明公开

KR1020100035754A 반도체 발광소자 패키지 失效
标题翻译：半导体发光器件封装
公开(公告)号：KR1020100035754A
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：KR1020080095086
申请日：2008-09-29
申请人： 주식회사 에피밸리
发明人： 김동설 , 김창태
IPC分类号： H01L33/52 , H01L33/62
摘要： PURPOSE: A semiconductor light emitting device package is provided to prevent moisture and gas form penetrating by forming a penetration path of gas or moisture by including an inner dam, an outer dam, and a groove in a molded frame. CONSTITUTION: A heat sink(10) discharges heat generated from a semiconductor light emitting device(20). A lead frame supplies electricity to the semiconductor light emitting device. A light-transmitting mold compound is located on the top of the semiconductor light emitting device. A molded frame(50) fixes the heat sink and the lead frame. The molded frame comprises an inner dam(51) so that a phosphor layer(60) is located only around the semiconductor light emitting device.
摘要翻译：目的：提供半导体发光器件封装，通过在模制框架中包括内坝，外坝和沟槽，通过形成气体或水分的穿透路径来防止水分和气体的形成。构成：散热器（10）对从半导体发光器件（20）产生的热量进行放电。引线框架为半导体发光器件供电。透光模具化合物位于半导体发光器件的顶部。模制框架（50）固定散热器和引线框架。模制框架包括内部水坝（51），使得荧光体层（60）仅位于半导体发光器件的周围。

3. 发明公开

KR1020100116243A 디스플레이의 디밍 제어방법 失效
标题翻译：用于调制显示器的控制方法
公开(公告)号：KR1020100116243A
公开(公告)日：2010-11-01
申请号：KR1020090034854
申请日：2009-04-22
申请人： 주식회사 에피밸리
发明人： 김동설 , 김창태
IPC分类号： G09G3/32 , G02F1/133 , H05B37/02
CPC分类号： H05B33/0845 , G02F2001/133614 , G09G3/3406 , G09G3/3413 , G09G2320/0242 , G09G2320/064 , H05B33/086
摘要： PURPOSE: A method for dimming control of a display is provided to compensate the shift of fluorescent substance in a color coordination system by including fluorescent material having different moving direction in the color coordination system. CONSTITUTION: An emitting device comprises first fluorescent substance and second fluorescent substances. The first fluorescent substance comprises an active layer. An active layer generates a first light. A second fluorescent substance generates a second light. A power source is applied to the emitting device and is controlled by a dimming request. The brightness of the display is controlled.
摘要翻译：目的：提供一种对显示器进行调光控制的方法，以通过在颜色协调系统中包括具有不同移动方向的荧光材料来补偿颜色协调系统中荧光物质的偏移。构成：发射装置包括第一荧光物质和第二荧光物质。第一荧光物质包括活性层。有源层产生第一个光。第二荧光物质产生第二光。电源被施加到发射装置并且由调光请求来控制。控制显示器的亮度。

4. 发明授权

KR100985720B1 발광소자 패키지의 제조 방법 失效
标题翻译：形成发光装置封装的方法
公开(公告)号：KR100985720B1
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：KR1020090062980
申请日：2009-07-10
申请人： 주식회사 에피밸리
发明人： 김창태 , 안현수 , 이태희 , 김현석 , 김동설
IPC分类号： H01L33/62 , H01L21/78
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a light emitting device package is provided to reduce the number of wire bonding parts by connecting an electrode through a pad metal. CONSTITUTION: An n type group III nitride semiconductor layer(21) is formed on a substrate(11). An active layer(31) and a p type group III nitride semiconductor layer(41) are grown. A photoresist pattern is formed on the active layer and the p type group III nitride semiconductor layer to expose the n type group III nitride semiconductor layer. A photoresist pattern is formed on the exposed n type group III nitride semiconductor layer and a p type group III nitride semiconductor layer. The group III nitride semiconductor layers laminated on the substrate is electrically separated from the group III nitride semiconductor layers laminated on the same substrate. An ITO(51) is laminated on the n type group III nitride semiconductor layer and the p type group III nitride semiconductor layer. A passivation layer(61) is formed. A pad metal(71) is deposited by using an E-beam evaporator.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造发光器件封装的方法，以通过焊垫金属连接电极来减少引线接合部件的数量。构成：在基板（11）上形成n型III族氮化物半导体层（21）。生长活性层（31）和p型III族氮化物半导体层（41）。在有源层和p型III族氮化物半导体层上形成光致抗蚀剂图案，以露出n型III族氮化物半导体层。在曝光的n型III族氮化物半导体层和p型III族氮化物半导体层上形成光致抗蚀剂图案。层叠在基板上的III族氮化物半导体层与层叠在同一基板上的III族氮化物半导体层电分离。在n型III族氮化物半导体层和p型III族氮化物半导体层上层叠ITO（51）。形成钝化层（61）。通过使用电子束蒸发器沉积垫金属（71）。

5. 发明授权

KR100964812B1 반도체 발광소자 패키지 失效
标题翻译：半导体发光器件封装
公开(公告)号：KR100964812B1
公开(公告)日：2010-06-22
申请号：KR1020080095086
申请日：2008-09-29
申请人： 주식회사 에피밸리
发明人： 김동설 , 김창태
IPC分类号： H01L33/52 , H01L33/62

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