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1. 发明授权

KR102215341B1 금속 전구체 및 이를 이용하여 제조된 금속 함유 박막 有权
公开(公告)号：KR102215341B1
公开(公告)日：2021-02-16
申请号：KR1020130126440
申请日：2013-10-23
申请人： 솔브레인 주식회사
发明人： 홍창성 , 이상경 , 정재선 , 신진호 , 변재형
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/40 , C07F7/00 , C07F7/28 , H01L21/02 , H01L49/02
摘要： 본발명에서는우수한열 안정성을가져고온공정에유리하고, 그로인해높은생산성과함께, 미세화공정에서발생하는문제를해결할수 있으며, 액체상태로존재하여높은휘발성및 충분한증기압을가져화학증착, 특히유기금속화학증착(MOCVD; metal-organic chemical vapor deposition)이나원자층증착(ALD; atomic layer deposition) 공정을통한차세대 DRAM용박막형성에유용한, 하기화학식 1의금속전구체및 이를이용하여제조된금속함유박막이제공된다: [화학식 1] JPEG112013095790008-pat00049.jpg2836 상기식에서, M, R, Xa 내지 Xc 및 m은명세서중에서정의한바와같다.

2. 发明授权

KR102118973B1 전해액 첨가제 및 이를 포함하는 리튬 이차 전지 有权
公开(公告)号：KR102118973B1
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：KR1020170164244
申请日：2017-12-01
申请人： 솔브레인 주식회사
发明人： 김재윤 , 김민구 , 이종현 , 한지성
IPC分类号： H01M10/0567 , H01M10/052

3. 发明授权

KR102006323B1 식각액 조성물 및 이를 이용한 습식 식각 방법 有权
公开(公告)号：KR102006323B1
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：KR1020120154499
申请日：2012-12-27
申请人： 솔브레인 주식회사
发明人： 김현탁 , 임정훈 , 이창일 , 송충식 , 이진욱
IPC分类号： C23F1/26 , C09K13/06 , H01L21/306

4. 发明授权

KR101980319B1 전해액 첨가제 및 이를 포함하는 리튬 이차 전지 有权
公开(公告)号：KR101980319B1
公开(公告)日：2019-05-20
申请号：KR1020170081416
申请日：2017-06-27
申请人： 솔브레인 주식회사
发明人： 김재윤 , 임형규 , 이종현 , 한지성
IPC分类号： H01M10/0567 , H01M10/0569 , H01M10/0525

5. 发明授权

KR101980318B1 전해액 첨가제 및 이를 포함하는 리튬 이차 전지 有权
公开(公告)号：KR101980318B1
公开(公告)日：2019-05-20
申请号：KR1020170081415
申请日：2017-06-27
申请人： 솔브레인 주식회사
发明人： 김재윤 , 임형규 , 이종현 , 한지성
IPC分类号： H01M10/0567 , H01M10/0569 , H01M10/0525

6. 发明授权

KR101921545B1 전해질 및 이를 포함하는 리튬 이차 전지 有权
公开(公告)号：KR101921545B1
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：KR1020150165865
申请日：2015-11-25
申请人： 솔브레인 주식회사
发明人： 이종현 , 임형규 , 김재윤 , 임광일
IPC分类号： H01M10/0564 , H01M10/0567 , H01M10/0569 , H01M10/052
摘要： 본발명은전해질및 이를포함하는리튬이차전지에관한것으로, 상기전해질은환형카보네이트계용매및 LiPF를포함하는제 1 전해질시스템, 그리고사슬형카보네이트계용매, 디플루오로인산염(difluoro phosphate), 메틸렌메탄디술포네이트(Methylene Methanedisulfonate) 및 4-플루오로톨루엔(4-Fluorotoluene)을포함하는제 2 전해질시스템을포함한다.상기전해질은양극 LSV(linear sweep voltametry) 값이향상되면서도, 상용전해질대비양극표면에서의접촉각(contact angle) 및리튬이온전이수(Litransference number)가저하되지않는다.

7. 发明授权

KR101921539B1 전해질 및 이를 포함하는 리튬 이차 전지 有权
公开(公告)号：KR101921539B1
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：KR1020150165493
申请日：2015-11-25
申请人： 솔브레인 주식회사
发明人： 이종현 , 한지성 , 정명훈 , 정승훈
IPC分类号： H01M10/0564 , H01M10/0567 , H01M10/0569 , H01M10/052
摘要： 본발명은전해질및 이를포함하는리튬이차전지에관한것으로, 상기전해질은카보네이트계용매및 LiPF를포함하는제 1 전해질시스템, 그리고프로피오네이트계용매, 디플루오로인산염(difluoro phosphate) 및비닐렌카보네이트(vinylene carbonate)를포함하는제 2 전해질시스템을포함한다. 상기전해질은양극 LSV(linear sweep voltametry) 값이향상되면서도, 상용전해질대비양극표면에서의접촉각(contact angle) 및리튬이온전이수(Litransference number)가저하되지않는다.

8. 发明授权

KR101829399B1 감광성 수지 제거제 조성물 및 이를 이용하는 반도체 제조 공정 有权
标题翻译：感光树脂去除剂组合物及使用其的半导体制造工艺
公开(公告)号：KR101829399B1
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：KR1020100019538
申请日：2010-03-04
申请人： 삼성전자주식회사 , 솔브레인 주식회사
发明人： 이안호 , 임정훈 , 홍영택 , 김현탁 , 박성환 , 최백순 , 안승현 , 이병일
IPC分类号： G03F7/42 , C11D11/00
CPC分类号： G03F7/42
摘要： 본발명은감광성수지제거제조성물및 이를이용하는반도체제조방법을제공한다. 이감광성수지제거제조성물은아민화합물과탈이온수를포함하되탈이온수의함량이 45~99 중량%이다. 이감광성수지제거제조성물은제거촉진제를더 포함한다. 이감광성수지제거제조성물은경화되거나변성된감광성수지및 그부산물을효과적으로짧은시간안에제거할수 있다. 또한이 감광성수지제거제조성물은금속에대한부식을최소화할수 있다.이감광성수지제거제조성물은물의함량이 45~99 중량%로높아서, 후속의세정공정에서이소프로필알콜없이증류수만을이용하는것이가능하다. 이로써전체공정을단순화시킬수 있다.
摘要翻译：本发明提供一种光敏树脂去除剂组合物及使用其的半导体制造方法。光敏剂树脂去除剂组合物含有胺化合物和去离子水，其中去离子水含量为45至99重量％。光敏剂树脂去除剂组合物还包含去除促进剂。光敏剂去除树脂组合物可以在短时间内有效地去除固化或改性的光敏树脂及其副产物。的感光性树脂除去剂组合物也可以被最小化金属的腐蚀。Yigam光成分去除树脂组合物也能够在清洗过程中的水含量为仅使用蒸馏水，而不异丙醇是高的，随后以45至99％（重量）。这简化了整个过程。

9. 发明授权

KR101825493B1 금속 배선용 식각액 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 표시판의 제조방법 有权
标题翻译：用于电极的蚀刻剂和使用该蚀刻剂制造薄膜晶体管阵列面板的方法
公开(公告)号：KR101825493B1
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：KR1020100036364
申请日：2010-04-20
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 솔브레인 주식회사
发明人： 이병진 , 박홍식 , 이태형 , 송용성 , 박충우 , 오종현
IPC分类号： C09K13/10
CPC分类号： C09K13/10 , C23F1/10 , C23F1/44 , H01L21/32134 , H01L27/124 , H01L27/1259 , H01L29/4908
摘要： 본발명은표시장치의금속배선을식각하기위한식각액에관한것으로, 본발명에따른금속배선식각액은과산화수소, 산화제, 불소화합물, 킬레이트제, 질산계화합물, 붕소계화합물, 첨가제및 잔량의물을포함하는것을특징으로한다.
摘要翻译：本发明涉及用于蚀刻金属布线的蚀刻剂，并且根据本发明的金属布线蚀刻剂包括约5重量％至约15重量％的过氧化氢，约0.5重量％至约5重量％的氧化剂，约0.1重量％至约1重量％的氟化物基化合物，约0.5重量％至约5重量％的硝酸盐基化合物和约0.05重量％至约1重量％的硼基化合物。

10. 发明授权

KR101809192B1 식각 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101809192B1
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：KR1020110136430
申请日：2011-12-16
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사 , 솔브레인 주식회사
发明人： 조성혁 , 홍권 , 박형순 , 김규현 , 한지혜 , 임정훈 , 이진욱 , 박재완 , 정찬근
IPC分类号： C09K13/04 , C09K13/06
CPC分类号： H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L27/11556 , H01L27/11582 , H01L29/66136 , H01L29/66666 , H01L29/861
摘要： 본발명은실릴포스페이트(silyl phosphate) 화합물, 인산및 탈이온수를포함하는식각조성물, 및이를이용하는식각공정을포함하는반도체소자의제조방법에관한것이다. 본발명에따른식각조성물은산화막에대한질화막의식각선택비가높은특징을가지므로, 산화막의식각을최소화하여, EFH를용이하게조절할수 있다. 또한, 본발명의식각조성물을이용하면질화막제거시에산화막의막질손상이나산화막의식각으로인한전기적특성저하를방지하고, 파티클발생이방지되어, 공정의안정성을확보하고소자특성을향상시킬수 있다.

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