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热词
    • 7. 发明公开
    • 연속 시스템에서 액체 레벨 조절 방법 및 장치
    • 用于连续系统中液位调节的方法和装置
    • KR1020130023144A
    • 2013-03-07
    • KR1020120092845
    • 2012-08-24
    • 레나 게엠베하
    • 바이에르마르쿠스
    • G05D7/00
    • G05D9/12
    • PURPOSE: A liquid level control method and a control device in a continuous system are provided to withstand fault and have rigidity by controlling relative vertical intervals based on a set adjustment value. CONSTITUTION: An actual level value, corresponding to a current vertical interval, is compared to a set level value, corresponding to a desired vertical interval, by a control device. The control device generates a set adjustment value. The control device delivers the set adjustment value to the device for controlling a relative vertical interval. The actual level value is determined by the integral surface of a plane object in a processing container. [Reference numerals] (AA) Detecting an introduced substrate and determining the number of the substrates; (BB) Determining a adjustment set value; (CC) Delivering to a device(ex. pump) for controlling a relative vertical interval; (DD) Actual adjustment value(ex. pump flow amount); (EE) Determining offset(difference); (FF) Offset = 0?; (GG) No; (HH) Yes; (II) Flow variation for each substrate : pump characteristic curve
    • 目的:提供连续系统中的液面控制方法和控制装置,以通过基于设定的调整值控制相对垂直间隔来承受故障并具有刚度。 构成:通过控制装置将对应于当前垂直间隔的实际电平值与对应于期望的垂直间隔的设定电平值进行比较。 控制装置产生设定的调整值。 控制装置将设定的调整值递送到用于控制相对垂直间隔的装置。 实际水平值由处理容器中的平面物体的整体面决定。 (附图标记)(AA)检测引入的基板并确定基板的数量; (BB)确定调整值; (CC)传送到设备(例如泵),用于控制相对垂直间隔; (DD)实际调整值(例如泵流量); (EE)确定偏移(差); (FF)Offset = 0? (GG)否 (HH)是; (II)每个基板的流量变化:泵特性曲线
    • 8. 发明授权
    • 하나 이상의 기판상에 금속층들을 형성하기 위한 공정 반응기의 조립용 키트 및 이를 이용한 방법
    • 用于组装用于在一个或多个基材上形成金属层的工艺反应器的组件及其使用方法
    • KR101133085B1
    • 2012-04-24
    • KR1020087023897
    • 2007-12-10
    • 레나 게엠베하
    • 하베르만디르크뮐러패트릭하르트만스그루버에른스트
    • C25D17/02C25D5/08C25D21/18
    • C25D17/02C25D5/08C25D17/001C25D17/007C25D17/008C25D21/18
    • 본 발명은 하나 이상의 기판들상에 금속층을 형성하기 위한 공정 반응기의 조립용 키트에 관한 것으로서, 상기 층들은 상기 기판들 상의 유체 내에 존재하는 금속 이온들의 석출에 의해 생산되고, 상기 키트는 다음의 구성요소들: 두개의 단부들(4, 5)을 갖는 반응기 하우징(3)으로서, 상기 유체가 상기 반응기 하우징(3)의 내부를 일단부에서 타단부로 흐르는 반응기 하우징(3); 상기 반응기 하우징(3)의 출구(4)의 영역에 배열되는 상기 기판의 수용을 위한 장치(6); 상기 반응기 하우징(3)의 출구(4)의 영역에 있는 적어도 하나의 오버플로우(8)로서, 상기 오버플로우(8) 위로 상기 기판(2)의 방향으로 흐르는 상기 유체(F)가 상기 반응기 하우징(3)으로부터 빠져나갈 수 있는 적어도 하나의 오버플로우(8); 상기 오버플로우(8)위로 빠져나가는 상기 유체(F)의 수용을 위한 집수 탱크(10); 상기 반응기 하우징(3)으로 수집된 유체를 재순환시키는 위한 수단;및 적어도 하나의 애노드를 실질적으로 포함하고, 여기서, 상기 공정 반응기는, 넓은 균일한 균질 코팅을 얻기 위하여, 하나 이상의 다음의 구성 요소들: 상기 반응기 하우징(3) 내의 상기 유체(F)를 특정적으로 제어하기 위한 적어도 하나의 흐름 조절 장치(S); 상기 반응기 하우징(3) 내에 수립된 전기장을 특정적으로 제어하기 위한 적어도 하나의 장 조절 장치(E); 양의 또는 음의 포텐셜 둘 중 어느 하나를 취할 수 있고, 코팅될 상기 기판(2) 및 상기 반응기 하우징(3)의 반대쪽의 단부(5) 사이에 배열되는 적어도 하나의 보조 전극(H); 상기 반응기 하우징(3) 내에 수립되는 전기장을 정렬하기 위한 적어도 하나의 오리피스(B); 상기 반응기 하우징(3) 내의 상기 유체(F)의 유동을 정렬하기 위한 적어도 하나의 오리피스;및 상기 반응기 하우징(3)의 내부 직경(3i)을 감소시키기 위한 적어도 하나의 링 요소(R)을 더 포함한다.
      전기도금, 기판, 금속층, 석출