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81. 发明公开

KR1020070067440A 고효율 2차 조화파 생성 수직 외부 공진기형 면발광 레이저시스템 有权
标题翻译：高效第二谐波产生垂直外部空间表面发射激光系统
公开(公告)号：KR1020070067440A
公开(公告)日：2007-06-28
申请号：KR1020050128743
申请日：2005-12-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김준연
IPC分类号： H01S5/18
CPC分类号： H01S5/183 , H01S3/109 , H01S5/041
摘要： A high efficient second harmonic generation vertical external cavity type surface emitting laser system is provided to acquire high wave conversion efficiency in a second harmonic generation element through the reduction of the linewidth of the laser beam by adapting a reflective type volume brag grating to an external mirror. A high efficient second harmonic generation vertical external cavity type surface emitting laser system includes a laser element(21), an optical member(27), and a second harmonic generation element(25). The laser element(21) has an active layer which generates a laser beam by pumping, and a reflector which reflects the laser beam generated in the active layer. The optical member(27) forms a reflector and a resonator of the laser element, and reduces a linewidth of the laser beam. The second harmonic wave generation element(25) is located between the laser element(21) and the optical member(27). The second harmonic wave generation element(25) transforms a frequency of the laser beam to a double frequency.
摘要翻译：提供了一种高效的二次谐波发生垂直外腔型表面发射激光系统，通过将反射型体积吹制光栅适应于外部反射镜，通过减少激光束的线宽来获得二次谐波发生元件中的高波转换效率。高效二次谐波产生垂直外腔型表面发射激光器系统包括激光元件（21），光学元件（27）和二次谐波产生元件（25）。激光元件（21）具有通过泵浦产生激光束的有源层和反射在活性层中产生的激光束的反射器。光学构件（27）形成激光元件的反射器和谐振器，并且减小激光束的线宽。二次谐波发生元件（25）位于激光元件（21）和光学元件（27）之间。二次谐波发生元件（25）将激光束的频率变换为双倍频率。

82. 发明公开

KR1020050047238A 유기금속화학기상증착법에 의한 선택영역 성장방법 有权
标题翻译：通过选择区MOCVD生长形成薄膜的方法
公开(公告)号：KR1020050047238A
公开(公告)日：2005-05-20
申请号：KR1020030081038
申请日：2003-11-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 방영철 , 이은화 , 김현수 , 이중기 , 김준연
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： C30B29/40 , C30B25/04 , H01L21/02392 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L21/02639
摘要： 본 발명은 유기금속화학기상증착법에 의한 선택영역 성장방법에 관한 것이다.
본 발명은 (001) 결정면을 갖는 반도체 기판 위에 예정된 상기 선택영역의 폭보다 넓은 폭의 제1 윈도우를 갖는 제1 마스크 패턴과, 상기 제1 윈도우 가장자리에서의 상기 Ⅲ족 반도체 원료가스의 표면이동을 차단하는 차단영역을 형성하기 위한 제2 윈도우를 갖도록 상기 제1 마스크 패턴과 이격 배치되며 예정된 상기 선택영역의 폭과 동일한 폭의 제3 윈도우를 갖는 제2 마스크 패턴을 형성하는 과정과; 상기 제2 윈도우 및 제3 윈도우에 의해 노출된 상기 반도체 기판 위에 유기금속화학기상증착법에 의한 반도체 성장층을 성장하는 과정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.

83. 发明授权

KR102002898B1 반도체 버퍼 구조체 및 이를 포함하는 반도체 소자 有权
公开(公告)号：KR102002898B1
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：KR1020120097863
申请日：2012-09-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김준연 , 김주성 , 양문승
IPC分类号： H01L21/20 , H01L33/00 , H01L29/78 , H01L29/872

84. 发明授权

KR101650840B1 발광소자 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：KR101650840B1
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：KR1020090079189
申请日：2009-08-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김준연 , 민복기 , 홍현기 , 이재원
IPC分类号： H01L33/10 , H01L33/12
CPC分类号： H01L33/007 , B82Y20/00 , H01L33/0075 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01L33/46 , H01L2933/0025 , Y10S977/893 , Y10S977/95
摘要： 발광소자및 이의제조방법이개시된다. 개시된발광소자는실리콘기판; 상기실리콘기판상에형성된것으로, 금속성버퍼층과패턴된분산브래그반사층을포함하는반사버퍼층; 상기반사버퍼층위에형성된 GaN 기반의발광구조층;을포함한다.
摘要翻译：公开了一种发光器件及其制造方法。所公开的发光器件包括硅衬底; 形成在所述硅衬底上的反射缓冲层，所述反射缓冲层包括金属缓冲层和图案化的分散布拉格反射层; 并且在反射缓冲层上形成GaN基发光结构层。

85. 发明授权

KR101638228B1 파인 피치에 대응되는 프로브 핀의 제조 방법 有权
标题翻译：探针的制作方法，可用于精细间距
公开(公告)号：KR101638228B1
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：KR1020140058364
申请日：2014-05-15
申请人： 주식회사 코리아 인스트루먼트 , 삼성전자주식회사
发明人： 김지원 , 안승배 , 조원종 , 김규열 , 김준연 , 강신호
IPC分类号： H01L21/66 , G01R1/073
摘要： 본발명의프로브핀은프로브기판의회로패턴과연결되는프로브빔 영역, 및반도체소자의콘택패드와접촉되는프로브팁 영역을포함하고, 상기프로브빔 영역은, 스트립형태의제1금속패턴, 상기제1금속패턴상에적층되고, 상기제1금속패턴보다길이가긴 제2금속패턴, 및상기제2금속패턴상에적층되고, 상기제1금속패턴과실질적으로동일한길이의제3금속패턴을포함하고, 상기프로브팁 영역은상기제2금속패턴의전단부에서상기콘택패드방향으로일체로돌출형성된 2차원구조를가진다. 이와같은본 발명의구성에의하면반도체소자의파인피치에대처하여검사를실시할수 있다.

86. 发明公开

KR1020160022463A 반도체 발광소자 审中-实审
标题翻译：半导体发光器件
公开(公告)号：KR1020160022463A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：KR1020140107873
申请日：2014-08-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 맹종선 , 김준연 , 최성민 , 유경호
IPC分类号： H01L33/14 , H01L33/30
CPC分类号： H01L33/325 , H01L33/06 , H01L33/145
摘要： 본발명의일 측면은, n형반도체층및 p형반도체층과, 상기 n형반도체층과 p형반도체층사이에배치된활성층및 상기활성층과 p형반도체층사이에배치되며 p형도펀트원소가도핑된전자차단층을포함하고, 상기전자차단층은, AlGaN (0
摘要翻译：本发明的一个方面涉及具有改进的驱动电压特性的半导体发光器件。半导体发光器件包括n型半导体层和p型半导体层，配置在n型半导体层和p型半导体层之间的有源层，以及配置在n型半导体层之间的电子阻挡层型半导体层和p型半导体层，并且掺杂有p型掺杂元素。电子阻挡层具有交替布置第一区域和第二区域的结构。第一区域由Al x Ga 1-x N（0

87. 发明授权

KR101545815B1 검사 공정 시 손상된 박막 저항 교체가 가능한 프로브 카드 및 박막 저항 교체 방법 有权
标题翻译：具有可损坏薄膜的探针卡和用于交换薄膜的损伤方法
公开(公告)号：KR101545815B1
公开(公告)日：2015-08-20
申请号：KR1020140048785
申请日：2014-04-23
申请人： 주식회사 코리아 인스트루먼트 , 삼성전자주식회사
发明人： 김지원 , 김용모 , 조원종 , 김규열 , 김준연 , 강신호
IPC分类号： G01R1/073 , G01R31/26 , H01L21/66
CPC分类号： G01R1/073 , G01R31/26 , G01R31/2818
摘要： 본 발명의 손상된 박막 저항 교체가 가능한 프로브 카드는, 프로브 기판 내부의 배선 라인과 상기 프로브 기판 상의 상면 단자가 테스터와 프로브 사이에서 전기 신호를 인터페이싱 하는 프로브 카드에 있어서, 상기 배선 라인에 의하여 인터페이싱 되는 상기 전기 신호의 경로에 저항을 제공하기 위하여 상기 프로브 기판 상에 제1 두께를 가지는 박막 저항 패턴; 상기 프로브 기판 상에 상기 제1 두께보다 큰 제2 두께를 가지고, 상기 박막 저항 패턴의 양단에 전기적으로 연결되는 한 쌍의 박막 회로 패턴; 및 상기 박막 저항 패턴 및 상기 한 쌍의 박막 회로 패턴을 보호하기 위하여 박막 저항 패턴 및 박막 회로 패턴 상에 적층되되, 저항 교체용 오프닝을 통하여 상기 한 쌍의 박막 회로 패턴을 노출시키는 보호막을 포함한다. 이와 같은 본 발명에 의하면, 손상된 박막 저항 교체가 용이하다.
摘要翻译：能够替代本发明的损坏的薄膜电阻器的探针卡在探针基板中具有布线，并且在探针卡上具有与测试器和探针之间的电信号对接的上表面端口。本发明的探针卡包括：薄膜电阻图案，其在探针基板上具有第一厚度，以便提供对由布线接合的电信号的路径的电阻; 一对薄膜电路图案，其具有比探针衬底上的第一厚度大的第二厚度，并且电连接到薄膜电阻器图案的两端; 以及层叠在薄膜电阻图案和薄膜电路图案上的保护膜，以保护薄膜电阻器图案和薄膜电路图案，并且通过打开用于电阻器更换来暴露薄膜电路图案。根据本发明，容易更换损坏的薄膜电阻器。

88. 发明授权

KR101471859B1 발광 다이오드 有权
标题翻译：发光二极管
公开(公告)号：KR101471859B1
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：KR1020080119011
申请日：2008-11-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김준연 , 김택 , 김경국
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/22 , B82Y20/00
CPC分类号： H01L33/387 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/46 , Y10S977/701 , Y10S977/762 , Y10S977/949
摘要： 편광성이향상된광을방출하는발광다이오드가개시된다. 발광다이오드는발광부전면과배면에각각배치된와이어그리드편광자를구비하는데, 여기서상부의와이어그리드편광자와하부의와이어그리드편광자는서로에대해비스듬한각도로경사져있다. 이러한상부및 하부와이어그리드편광자는발광다이오드의전극의역할도동시에수행한다. 따라서, 여기에개시된발광다이오드는특정한편광방향만을갖도록제어된광을방출할수 있어서, DBEF와같은값비싼기존의부품을생략할수 있다. 이러한발광다이오드를이용하면, 백라이트유닛및 이를이용한디스플레이장치의원가를절감하는것이가능하다.
摘要翻译：公开了发射极化改善的光的发光二极管。发光二极管包括布置在发光部分的前侧和后侧上的线栅偏振器，其中顶部的线栅偏振器和底部的线栅偏振器相对于彼此以倾斜角度倾斜。这些上部和下部线栅偏振器也用作发光二极管的电极。因此，这里公开的发光二极管可以发射受控光以仅具有特定的偏振方向，从而可以省略诸如DBEF的昂贵的常规部件。通过使用这种发光二极管，可以降低背光单元和使用该背光单元的显示装置的成本。

89. 发明公开

KR1020140058020A 발광 소자 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：发光装置及制造发光装置的方法
公开(公告)号：KR1020140058020A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：KR1020120124474
申请日：2012-11-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 황준식 , 김준연 , 채수희
IPC分类号： H01L33/12
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/12
摘要： Disclosed are a light emitting device and a fabricating method thereof. The light emitting device (LED) includes a stress control layer having a compressive stress on a substrate; a bonding layer on the stress control layer; a semiconductor layer on the bonding layer and including an active region for emitting light on the bonding layer; a first electrode on a lower surface of the substrate; and a second electrode on the semiconductor layer, wherein the compressive stress of the stress control layer is between about 1 and about 20 GPa.
摘要翻译：公开了一种发光器件及其制造方法。发光器件（LED）包括在衬底上具有压应力的应力控制层; 应力控制层上的结合层; 在所述接合层上的半导体层，并且包括用于在所述接合层上发光的有源区; 在所述基板的下表面上的第一电极; 以及所述半导体层上的第二电极，其中所述应力控制层的压缩应力在约1至约20GPa之间。

90. 发明授权

KR101344477B1 반도체 광소자 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：半导体光学器件及其制造方法
公开(公告)号：KR101344477B1
公开(公告)日：2014-02-17
申请号：KR1020070005814
申请日：2007-01-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김준연 , 하경호 , 조수행
IPC分类号： H01L31/12 , H01L33/02
CPC分类号： H01S5/2232 , B82Y20/00 , H01S5/021 , H01S5/0218 , H01S5/0265 , H01S5/0425 , H01S5/12 , H01S5/124 , H01S5/2004 , H01S5/3434 , H01S5/4087
摘要： 반도체 광소자 및 그 제조 방법이 개시된다.
개시된 반도체 광소자는 실리콘 기판; 상기 실리콘 기판 위에 구비된 Ⅲ-Ⅴ 반도체 이득층;을 포함하고, 상기 실리콘 기판 또는 반도체 이득층에 분산 브레그 그레이팅이 형성된다. 상기 분산 브레그 그레이팅에 의해 단일 모드의 광이 출력된다.

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