专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

81. 发明公开

KR1020100115474A 포토레지스트 조성물, 이를 이용한 미세 패턴의 형성방법 및 반도체 장치의 제조방법 有权
标题翻译：光电组合物，形成微细图案的方法和使用光电组合物制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020100115474A
公开(公告)日：2010-10-28
申请号：KR1020090034066
申请日：2009-04-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박지만 , 김영호 , 윤효진 , 안선열 , 이송세 , 박경우
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0048 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/20 , G03F7/202
摘要： PURPOSE: A method for forming micro pattern and photoresist composition are provided to enhance resolution of the pattern and to reduce pattern defect. CONSTITUTION: A method for forming a micro pattern comprises: a step of applying a photoresist composition on the substrate(20) to form photoresist film(22); a step of exposing the photoresist film to the light; and a step of developing the photoresist film using aqueous alkali developing liquid to form a photoresist pattern. The photoresist composition contains: a hydrophobic first repeat unit having a side chain with 3 or more hydroxyl group-substituted heterocyclic ring; a polymeric polymer resist additive having hydrophobic second repeat unit; a polymer having an acid-labile protection group at the side chain; photoacid generator; and solvent.
摘要翻译：目的：提供形成微图案和光致抗蚀剂组合物的方法以增强图案的分辨率并减少图案缺陷。构成：形成微图案的方法包括：将光致抗蚀剂组合物施加在基底（20）上以形成光致抗蚀剂膜（22）的步骤; 将光致抗蚀剂膜曝光的步骤; 以及使用水性碱性显影液显影光致抗蚀剂膜以形成光致抗蚀剂图案的步骤。光致抗蚀剂组合物含有：具有3个以上羟基取代杂环的侧链的疏水性第一重复单元; 具有疏水性第二重复单元的聚合物聚合物抗蚀剂添加剂; 在侧链具有酸不稳定保护基的聚合物; 光酸发生器; 和溶剂。

82. 发明授权

KR100987219B1 무선 통신 시스템에서 신호 송수신 방법 및 시스템 有权
标题翻译：在无线通信系统中传输和接收信号的方法和系统
公开(公告)号：KR100987219B1
公开(公告)日：2010-10-12
申请号：KR1020070065533
申请日：2007-06-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김영호
IPC分类号： H04B7/26 , H04B7/14
CPC分类号： H04B7/2606 , H04W52/0245 , H04W52/0251 , H04W52/0277 , H04W88/04 , Y02D70/164 , Y02D70/449
摘要： 본 발명은 무선 통신 시스템에서 신호 송수신 방법 및 시스템에 관한 것으로서, 제1단말은 기지국으로부터 중계 요청 메시지를 수신하면, 중계 기능을 수행할 수 있는지 여부에 대한 정보, 잔존 전력량을 나타내는 정보, 상기 기지국으로부터 수신한 하향링크 신호의 세기 정보 및 상기 제1단말이 충전 모드에 존재함을 나타내는 정보 중 적어도 하나를 포함하는 중계 응답 메시지를 상기 기지국으로 송신하고, 상기 중계 응답 메시지를 송신한 후 상기 기지국으로부터 중계 기능을 수행할 것을 지시하는 중계 확정 메시지가 수신되면, 상기 기지국과 제2단말 간에 송수신되는 신호를 중계하며, 상기 제1단말과 제2단말은 상이함을 특징으로 한다.
중계 단말, 잔존 전력량, 신호 세기
摘要翻译：提供了一种用于在无线通信系统中发送和接收信号的方法和装置，其中当从发射机接收到中继请求消息时，第一接收机向发射机发送包括中继可能信息的中继应答消息，中继可能的信息，包括在发送中继响应消息之后从发射机接收到中继确认消息时，包括指示第一接收机是否可以执行中继功能的信息，以及中继发射机和第二接收机之间的信号。这里，第一接收机与第二接收机不同。

83. 发明授权

KR100985749B1 내장형 시스템 소프트웨어 자동 테스트 시스템 및 방법과테스트 시나리오 작성 방법 有权
标题翻译：嵌入式系统软件和测试场景组合方法的自动测试系统和方法
公开(公告)号：KR100985749B1
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：KR1020070100067
申请日：2007-10-04
申请人： 한국전자통신연구원 , 삼성전자주식회사
发明人： 김우식 , 이재호 , 김영호 , 박상준 , 김강희 , 김선자
IPC分类号： G06F11/36 , G06F19/00
摘要： 본 발명은 내장형 시스템 소프트웨어를 테스트하기 위한 방법 및 장치에 관한 것으로, 특히 내장형 시스템 소프트웨어의 동작 테스트를 호스트 환경과 타겟 환경에서 자동화하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따라 내장형 시스템 소프트웨어를 실행시키는 호스트의 에뮬레이터에서 발생하는 이벤트를 기록하고 재현하며, 이러한 이벤트에 따라 테스트되는 내장형 소프트웨어의 각종 출력 메시지를 기록함으로써 테스터의 수동 개입이 없이도 내장형 시스템 소프트웨어를 차별 없이 다양한 시나리오에 대해 자동 테스트할 수 있는 방법 및 시스템이 제공된다.
따라서, 이와 같은 본 발명에 의해 각종 사용자 테스트 시나리오의 작성을 자동화할 수 있고 각 타겟 시스템에서의 내장형 시스템 소프트웨어 테스트를 자동화할 수 있어 테스트 소요 시간을 감소시키고 정확성을 높일 수 있다.
내장형 시스템 소프트웨어, 테스트, 에뮬레이터, 단말기 응용 프로그램

84. 发明公开

KR1020090067092A 반사방지 코팅용 고분자, 반사방지 코팅용 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：用于抗反射涂料的聚合物，用于抗反射涂料的组合物和使用组合物在半导体器件中形成图案的方法
公开(公告)号：KR1020090067092A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：KR1020080129565
申请日：2008-12-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 윤효진 , 김영호 , 김부득 , 박지만 , 류진아 , 최재희
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： G03F7/091 , G03F7/038 , Y10S430/106 , Y10S430/114 , Y10S430/128 , G03F7/11
摘要： A composition for anti-reflective coating containing a polymer for anti-reflective coating is provided to form the pattern of excellent profile by regulating the diffusion of acid in an anti-reflective coating film. A polymer for anti-reflective coating comprises a first repeating unit containing basic functional group of the chemical formula 1, a second repeating unit having a light absorbing functional group and a third repeating unit having crosslinking functional group. In the chemical formula 1, R1 is hydrogen or low alkyl group of C1-C4; X is alkylene, arylene, oxyakylene, alkyleneoxy, oxyarylene, aryleneoxy, carbonyl, oxy, oxycarbonyl, carbonyloxy, carbonyl alkylene, carbonyl arylene, alkylene carbonyl, arylene carbonyl and bivalent selected from them.
摘要翻译：提供含有抗反射涂层用聚合物的抗反射涂层用组合物，以通过调节抗反射涂膜中酸的扩散来形成优异轮廓的图案。用于抗反射涂层的聚合物包括含有化学式1的碱性官能团的第一重复单元，具有光吸收官能团的第二重复单元和具有交联官能团的第三重复单元。在化学式1中，R1是C1-C4的氢或低级烷基; X是亚烷基，亚芳基，氧亚烷基，亚烷氧基，氧亚芳基，亚芳氧基，羰基，氧基，氧羰基，羰氧基，羰基亚烷基，羰基亚芳基，亚烷基羰基，亚芳基羰基和选自它们的二价。

85. 发明公开

KR1020090058932A 비휘발성 유기 쌍안정성 기억소자 및 그 제조방법 有权
标题翻译：非易失性有机可逆存储器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020090058932A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：KR1020070125742
申请日：2007-12-05
申请人： 한양대학교 산학협력단 , 삼성전자주식회사
发明人： 김태환 , 푸샨리 , 정재훈 , 김영호
IPC分类号： H01L27/115 , B82Y10/00
CPC分类号： H01L51/0591 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C13/025 , G11C2213/15 , G11C2213/55 , H01L51/0046 , H01L2251/305 , Y10S977/735 , Y10S977/742 , Y10S977/779 , Y10S977/785 , Y10S977/943 , H01L21/28273
摘要： A nonvolatile organic bistable memory device and a manufacturing method thereof are provided to improve conductivity of the device by inserting a charge injection layer between an electrode and a polymer material. A lower electrode(320) is formed on a substrate(310). A lower charge injection layer(330) is formed on the lower electrode. An insulative polymer thin film(340) is formed in the lower charge injection layer. The insulative polymer thin film includes a nano particle. An upper charge injection layer(350) is formed in the insulative polymer thin film. An upper electrode is formed on the upper charge injection layer.
摘要翻译：提供了一种非挥发性有机双稳态存储器件及其制造方法，以通过在电极和聚合物材料之间插入电荷注入层来改善器件的导电性。下电极（320）形成在基板（310）上。在下电极上形成下电荷注入层（330）。在下电荷注入层中形成绝缘聚合物薄膜（340）。绝缘聚合物薄膜包括纳米颗粒。在绝缘聚合物薄膜中形成上电荷注入层（350）。在上部电荷注入层上形成上部电极。

86. 发明授权

KR100900439B1 임베디드 시스템을 위한 메모리 부족상황 관리 방법 및장치 有权
标题翻译：用于管理嵌入式系统中的内存不足的方法和装置
公开(公告)号：KR100900439B1
公开(公告)日：2009-06-01
申请号：KR1020070100018
申请日：2007-10-04
申请人： 한국전자통신연구원 , 삼성전자주식회사
发明人： 이재호 , 김익순 , 김선자 , 김우식 , 김영호 , 김강희 , 윤성환
IPC分类号： G06F12/00 , G06F9/06
摘要： 본 발명은 임베디드 시스템에서 다수의 응용 프로그램이 실행되면서 발생하는 메모리 부족상황을 처리하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 임베디드 시스템의 메모리 부족상황 관리방법은 실행중인 적어도 하나의 프로세스 중 적어도 하나의 프로세스가 선택되는 단계; 상기 선택된 적어도 하나의 프로세스를 보호 설정하는 단계; 적어도 하나의 프로세스를 실행하기 위한 메모리 공간의 할당을 요청받는 단계; 상기 요청받은 메모리 공간의 부족 여부를 판단하여 상기 요청받은 메모리 공간이 부족한 경우 상기 메모리를 사용하고 있는 적어도 하나의 실행 프로세스의 보호 설정을 검사하는 단계; 상기 보호 설정이 되지 않은 실행 프로세스 중 적어도 하나의 실행 프로세스를 선택하여 종료시키는 단계; 및 상기 종료된 실행 프로세스가 사용했던 메모리 공간을 상기 메모리 공간의 할당을 요청한 프로세스에 할당하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따르면, 메모리 부족상황 처리를 위한 알고리즘을 유연성 있게 제공한다. 또한, 메모리 부족상황에서도 특정 프로그램을 안정적으로 사용할 수 있다.
스왑영역, 임베디드 시스템, 메모리 관리정책, 가용 메모리, 보호 프로세스

87. 发明公开

KR1020090044946A 무선 통신 시스템에서 페이징 방법 및 그 시스템 无效
标题翻译：无线通信系统中的寻呼方法及其系统
公开(公告)号：KR1020090044946A
公开(公告)日：2009-05-07
申请号：KR1020070121665
申请日：2007-11-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 손영문 , 윤진현 , 손중제 , 임근휘 , 강현정 , 김영호 , 장재혁
IPC分类号： H04B7/26
CPC分类号： H04W68/00 , H04W64/003
摘要： 본 발명은 무선 통신 시스템에 관한 것으로서, 이동국의 페이징 메시지 미수신에 따른 동작 방법에 관한 것이다. 상기 이동국은 상기 페이징 메시지를 수신할 수 있는 시구간인 페이징 리스닝 인터벌(paging listening interval)에서 기지국으로부터 상기 페이징 메시지를 수신하는지 판별하고, 상기 페이징 리스닝 인터벌이 만료되기까지 페이징 메시지를 수신하지 못한 경우, 상기 기지국으로 페이징 메시지 미수신에 따른 위치 업데이트를 요구하는 레인징 요구 메시지를 송신하고, 상기 기지국으로부터 레인징 응답 메시지를 수신한다.
페이징 메시지, 페이징 리스닝 인터벌, 레인징 요구, 레인징 응답

88. 发明授权

KR100894435B1 이동통신 시스템에서 대기 시간을 이용한 가입자 정보 제공장치 및 방법 有权
标题翻译：用于在移动通信系统中提供用户信息的设备和方法
公开(公告)号：KR100894435B1
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：KR1020050061583
申请日：2005-07-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박영수 , 최준영 , 김영호 , 이근호 , 이재과 , 박동식 , 조영권 , 장재혁 , 정준영
IPC分类号： H04M3/487 , H04M3/42
CPC分类号： H04M3/4211 , H04M3/42017 , H04M19/041 , H04M2207/18 , H04W4/16
摘要： 본 발명은 이동통신 시스템에서 대기 시간을 이용한 가입자 정보 제공 장치 및 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 장치는, 가입자 통화 연결을 위한 대기시간에 대기 단말로 제공하고자 하는 가입자 정보와 가입자의 위치 정보 및 상기 정보들의 공개 대상 및 공개 정도를 포함한 등록정보가 기록되어 관리되는 데이터베이스와, 가입자로부터 가입자 정보와 가입자의 위치 정보를 입력받아 데이터베이스화하고 발신단말의 호 요청시, 상기 가입자 정보와 가입자의 위치 정보를 상기 데이터베이스에서 검색 및 추출하여 상기 공개 대상 및 공개 정도에 따라 교환국으로 제공하는 대기시간 관리 서버와, 발신단말의 호 요청시, 상기 대기시간 관리 서버로 상기 가입자 정보와 가입자의 위치 정보를 요청하며, 상기 대기시간 관리 서버로부터 수신된 상기 가입자 정보와 가입자의 위치 정보를 이용하여 대기 시간 정보를 상기 발신단말로 전송하는 교환국을 포함한다. 본 발명에 따르면 통화 대기 시간의 지루함을 해소시키고 새로운 단말/시스템 수익모델을 구축할 수 있으며 나아가 비즈니스에 적극 활용하여 고객 및 인맥관리에도 활용이 가능한 이점이 있다.
단말, 대기시간, 통화 대기, standby time

89. 发明授权

KR100893832B1 두 개의 주파수 대역을 사용하는 다중 홉 릴레이 방식의셀룰러 네트워크에서 다중 링크를 지원하기 위한 장치 및방법 有权
标题翻译：使用两个频段支持多路继电器网络中的多链路的装置和方法
公开(公告)号：KR100893832B1
公开(公告)日：2009-04-17
申请号：KR1020050097849
申请日：2005-10-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이미현 , 주판유 , 손중제 , 조재원 , 임형규 , 강현정 , 홍송남 , 손영문 , 이성진 , 김영호
IPC分类号： H04B7/26 , H04L12/46
CPC分类号： H04W16/26 , H04B7/155 , H04B7/2606
摘要： 적어도 두 개의 주파수 대역을 사용하는 다중 홉 릴레이 방식의 셀룰러 네크워크에서 다중링크를 지원하기 위한 장치 및 방법에 관한 것으로서, 부프레임의 제 1 주파수 대역은, 단말 또는 중계국이 기지국의 통신을 수행하기 위한 링크의 부프레임을 구성하는 과정과, 상기 부프레임의 제 2 주파수 대역은, 상기 기지국 또는 중계국이 단말의 통신을 수행하기 위한 링크의 부프레임을 구성하는 과정을 포함하여, 부프레임 내의 다중 링크간의 간섭 회피와 자원 활용의 유연성, 단말의 핸드오프 및 셀 검색의 용이성 및 선진 기술의 적용의 용이성과 중계기의 동작 전환 갭 오버헤드의 감소 등의 이점이 있다.
다중 홉, 릴레이, 두 개의 주파수 대역, 프레임 구조, 부프레임 구조

90. 发明公开

KR1020080106696A 탑코팅 패턴을 보조 식각마스크로 활용하는 반도체 소자의제조방법 无效
标题翻译：使用顶部涂层图案作为辅助蚀刻掩模的制造方法
公开(公告)号：KR1020080106696A
公开(公告)日：2008-12-09
申请号：KR1020070054442
申请日：2007-06-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김경미 , 김재호 , 김영호 , 박미라
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0274 , G03F7/091 , G03F7/11 , G03F7/168 , G03F7/38 , G03F7/70341
摘要： A manufacturing method of the semiconductor device is provided to supplement the etch-resistant of the photoresist pattern in the subsequent etching process by partly remaining the top coating film on the photoresist pattern. A manufacturing method of the semiconductor device comprises the following processes. The photoresist film is formed on the semiconductor substrate(201). The top coating film containing photoresist is formed on the photoresist film. The top coating film and the photoresist film are exposed by using the dipping photolithography. The top coating film and the photoresist film are developed and the top coating pattern(209a') and the photoresist pattern(207a') are formed.
摘要翻译：提供了半导体器件的制造方法，以通过在光致抗蚀剂图案上部分保留顶部涂覆膜来补充随后的蚀刻工艺中光致抗蚀剂图案的抗蚀刻性。半导体器件的制造方法包括以下处理。光致抗蚀剂膜形成在半导体衬底（201）上。在光致抗蚀剂膜上形成含有光致抗蚀剂的顶涂层膜。通过使用浸渍光刻法使顶部涂膜和光致抗蚀剂膜曝光。显影顶涂层和光致抗蚀剂膜，并形成顶涂层图案（209a'）和光致抗蚀剂图案（207a'）。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式